芯耀
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在 DDR 设计中，菊花链拓扑因布局灵活被广泛应用，但信号传输线较长带来的反射问题却让人头疼。终端匹配电阻到底要不要加？加了和不加，信号质量差距有多大？今天就用真实案例带你来一探究竟！
先搞懂：终端电阻是来干嘛的？
DDR 采用菊花链拓扑时，信号在传输过程中遇到阻抗不连续，就会像回声一样产生反射，干扰原始信号。终端匹配电阻的核心作用，就是通过 “阻抗匹配” 消除这种反射。
常见的端接方式有两种：
-
- 源端串联电阻：从信号源头解决反射终端并联电阻：在信号末端 “吸收” 反射（本次案例重点）
到底效果如何？我们直接看实测！
案例实测：双通道 DDR3 的对比实验
本次测试的对象是双通道 DDR3 一拖 8 正反贴菊花链拓扑结构，我们提取了其中一根地址线 A3，用 SigXplorer 软件进行仿真，激励信号为 533MHz，重点通过眼图来判断信号质量（眼图中，眼宽和眼高越理想，说明信号越稳定）。
首先看终端匹配电阻的示意图，如下所示：
图 1（信号末端终端匹配电阻示意图）
再看整体拓扑结构：信号从驱动端 U21 出发，依次经过 8 个 DDR 颗粒（U14、U5、U6、U15、U7、U16、U8、U17），末端连接 39Ω 终端匹配电阻 RN106。图 2（DDR3 菊花链拓扑结构示意图）
情况一：加了终端电阻
观察加终端电阻后的眼图（图 3、图 4），可以明显看到清晰的眼宽和眼高，信号整体有效，没有出现跌破关键阈值 VIH（高电平输入电压）和 VIL（低电平输入电压）的情况。
不过不同位置的颗粒信号质量有小差异：
- 靠近驱动端的 U5、U14 颗粒：信号质量较好，过冲和下冲现象不明显靠近终端电阻的远端颗粒：过冲和下冲更明显，信号质量稍差，但仍在合格范围内
图 3（加终端电阻的地址线 A3 眼图）
图 4（加终端电阻时不同位置颗粒的信号对比）
情况二：不加终端电阻
再看不加终端电阻的眼图（图 5），差距立刻显现出来：
- 整体的眼宽和眼高非常窄，信号在 VIH 和 VIL 之间的有效保持时间很短，信号质量极差更奇怪的是：靠近驱动端的颗粒信号几乎 “模糊不清”，眼图杂乱；而最远端的颗粒反而眼宽和眼高相对清晰（但仍有明显的上冲和下冲）
这是因为反射信号在传输线两端来回反射，导致近端信号被严重干扰，远端则因反射叠加较少暂时 “状况稍好”，但整体仍不合格。
图 5（不加终端电阻的信号眼图及不同位置对比）
结论：终端电阻，必须加！但有个关键
从仿真结果能直接得出：采用菊花链拓扑时，终端电阻必须加，否则信号质量会严重恶化，影响 DDR 的正常工作。
不过要注意：终端电阻的阻值必须与传输线阻抗相匹配，这样才能达到最佳的反射消除效果哦～
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