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N沟道功率MOSFET

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  • 杰盛微JSM2113STR 4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片
    在电子设备的世界里，芯片如同精密的 “心脏”，驱动着整个系统的高效运转。对于众多工程师和电子产品制造商而言，寻找性能卓越且适配的芯片至关重要。今天，我们要为大家介绍一款来自杰盛微半导体的明星产品 ——JSM2113STR，它在众多方面展现出超越经典芯片 IR2113 的实力，成为理想的替代方案。 一、产品概述 JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高
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    在高压驱动芯片领域，IRS2106 曾凭借稳定的性能成为工程师选型清单中的 “常客”。但随着电力电子设备对耐压、抗干扰、效率的要求不断提升，一款更具竞争力的替代产品逐渐走进大众视野 —— 杰盛微自主研发的 JSM2106STR。这款 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片，不仅完美兼容 IRS2106 的应用场景，更在关键性能指标上实现突破，为行业带来更优的驱动解决方案。 一、产品概述 JSM210
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  • 东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化
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