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杰盛微JSM2113STR 4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

2025/09/09
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电子设备的世界里,芯片如同精密的 “心脏”,驱动着整个系统的高效运转。对于众多工程师和电子产品制造商而言,寻找性能卓越且适配的芯片至关重要。今天,我们要为大家介绍一款来自杰盛微半导体的明星产品 ——JSM2113STR,它在众多方面展现出超越经典芯片 IR2113 的实力,成为理想的替代方案。

一、产品概述

JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道JSM2113S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达700V。

JSM2113S内部集成高低侧shutdown逻辑,可用于故障条件下的通断关断。JSM2113S采用宽体SOP-16(W)封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、核心产品特性

自举工作的浮动通道

最高工作电压可达 700 V

兼容 3.3V、5V 和 15V输入逻辑

dVs/dt 耐受能力可达±50 Vhnsec

Vs负偏压能力达-9V

栅极驱动电范围 10 V-20V

宽温度范围-40~125°C

集成欠压锁定功能

周期性边缘触发关断逻辑

输入输出同相位

逻辑和电源地±5V 偏移

芯片开通关断延时特性

- Ton/Toff =130ns/130ns

-高低侧廷时匹配

驱动电流能力:

--拉电流/灌电流=4.0A/4.0A

高、低侧欠压锁定电路

--欠压锁定正向闽值8.9V

--欠压锁定负向闽值 8.2V

符合 RoSH 标准

SOP-16 (W)

三、核心产品特性

3.1 电压与逻辑兼容性

输入逻辑:兼容3.3V、5V、15V CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平

电压耐受:最高工作电压700V,dVs/dt 耐受能力达 **+50V/nsec**,Vs 负偏压能力达 **-9V**

电源电压:逻辑电源(VDD)范围为 Vss+3V 至 Vss+25V,低侧电源(VCC)推荐工作范围10V-20V

3.2 功能集成

保护功能:集成高低侧 shutdown 逻辑(故障时关断)、欠压锁定功能(VCC 欠压正向阈值 8.9V、负向阈值 8.2V;VB 欠压正向阈值 8.9V、负向阈值 8.2V,迟滞均为 0.7V)

时序特性:输入输出同相位,周期性边缘触发关断逻辑;开通 / 关断延时(Ton/Toff)均为130ns,高低侧延时匹配最大10ns;上升时间(tR)25-35ns,下降时间(tF)约 17ns

3.3 电流特性

输出电流:驱动电流能力为拉电流 4.0A / 灌电流 4.0A

静态电流:高侧浮动电源静态电流(IoBS)典型 70μA、最大 120μA;低侧电源静态电流(Iocc)典型 120μA、最大 240μA;逻辑电源静态电流(IQCD)典型 15μA;高侧浮动电源泄漏电流(ILK)最大 50μA(VB=VS=700V 时)

四、引脚功能描述

极限工作范围

推荐工作范围

五、应用范围

通用逆变器

交流和直流电源中的半桥和全桥转换器

用于服务器、电信、IT 和工业基础设施的高密度开关电源

太阳能逆变器、电机驱动器UPS不间断电源

六、JSM2113STR:性能参数全方位对比 IR2113

(一)更高的耐压能力

IR2113 的最高工作电压为 600V,而 JSM2113STR 的浮地通道最高工作电压可达 700V。在一些对电压要求较高的应用场景中,如高压电力转换、工业逆变器等,JSM2113STR 能够承受更高的电压,确保设备在高电压环境下稳定运行,大大提高了系统的可靠性和适应性。

(二)更强的驱动电流

IR2113 的输出拉电流和灌电流典型值为 2.5A,而 JSM2113STR 的输出拉电流和灌电流均达到 4.0A。在驱动功率 MOSFET 或 IGBT 时,更大的驱动电流意味着能够更快地对栅极电容进行充放电,从而实现更快的开关速度,降低开关损耗,提高系统的效率。例如在电机驱动系统中,更高的驱动电流可以让电机响应更加迅速,运行更加平稳。

(三)更宽的逻辑输入兼容

IR2113 逻辑兼容 3.3V,而 JSM2113STR 的逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平,同时还能兼容 5V 和 15V 的输入逻辑。这使得 JSM2113STR 在与不同逻辑电平的控制芯片连接时更加灵活,无论是低电压的微控制器系统,还是较高电压的逻辑电路,都能轻松适配,大大减少了系统设计过程中的电平转换环节,降低了设计成本和复杂性。

(四)出色的抗干扰能力

JSM2113STR 的 dVs/dt 耐受能力可达 ±50V/nsec,Vs 负偏压能力达 - 9V,相比之下,IR2113 在这方面未明确给出如此出色的参数。在实际应用中,尤其是在一些电磁环境复杂的场合,如工业现场、开关电源附近等,JSM2113STR 能够更好地抵抗电压的快速变化和负偏压干扰,保证芯片的正常工作,减少误动作的发生。

(五)集成丰富保护功能

JSM2113STR 内部集成了高低侧 shutdown 逻辑,可用于故障条件下的快速通断关断,同时还具备欠压锁定功能。VCC 欠压正向阈值为 8.9V,负向阈值为 8.2V;VB 欠压正向阈值为 8.9V,负向阈值为 8.2V,迟滞均为 0.7V。而 IR2113 虽有双通道欠压锁定,但在整体保护功能的丰富性和参数设置的合理性上,JSM2113STR 更具优势。这些保护功能能够在系统出现异常时迅速动作,保护芯片和后端负载,大大提高了系统的稳定性和可靠性。

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