MRF6P23190HR6 2 x W-CDMA横向N沟道射频功率MOSFET

专为频率从2300到2300的CDMA基站应用而设计2400兆赫。适用于WiMAX、WiBro和多载波放大器应用。适用于WLL应用的AB类和C类。

• 典型的双载波W-CDMA性能：VDD=28伏，IDQ=1900毫安，Pout=40瓦特平均值，f=2390 MHz，信道带宽=3.84 MHz，标准杆数=8.5 dB@0.01%概率在CCDF上。功率增益14 dB排水效率23.5%，在3.84 MHz信道带宽下，IM3@10 MHz偏移量为-37.5 dBc，在3.84 MHz信道带宽下，5 MHz偏移时的ACPR为-41 dBc
• 能够处理10:1 VSWR，@28 Vdc，2340 MHz，190瓦CW输出功率

特征

• 以串联等效大信号阻抗参数为特征
• 内部匹配，易于使用
• 最高32 VDD操作合格
• 集成ESD保护
• 专为低内存效应和宽瞬时带宽而设计应用
• 符合RoHS标准
• 磁带和卷轴。R6后缀=每56毫米13英寸卷轴150个单位。