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SC3D08065A-JSM 碳化硅肖特基二极管

11/24 08:13
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功率半导体领域,碳化硅SiC)器件凭借高频、高效、耐高温的特性,正逐步取代传统硅器件,成为新能源、工业电源等领域的 “核心动力”。而在众多碳化硅肖特基二极管产品中,杰盛微自主研发的SC3D08065A,不仅凭借卓越性能站稳市场,更成为了 C3D08060A 的优质替代方案,为工程师们的选型提供了更可靠、更适配的新选择。

一、产品基础描述

     杰盛微半导体(JSMSEMI)推出的SC3D08065A-JSM硅 carbide(碳化硅)肖特基二极管,采用TO-220-2 封装,具备零正反向恢复电流、650V 高阻断电压、-55 至 175℃宽工作结温等特性,可实现更高系统效率、无开关损耗等优势,主要应用于服务器 / 电信电源、太阳能逆变器等场景;其关键参数包括连续正向电流(Tc=25℃时 30A)、正向电压(If=8A,Tj=25℃时典型 1.3V)、热阻(结壳 1.6℃/W) ,且遵循 RoHS 环保标准,MSL 等级为 1,不适用于航空航天、汽车或医疗设备等(除非特别指定)。

二、核心特性与优势

2.1 核心特性(Features)

  • 零正反向恢复电流(Zero Forward/Reverse Recovery Current):消除恢复过程带来的损耗与干扰,提升开关性能。
  • 高阻断电压(High Blocking Voltage):保障在高电压场景下的稳定工作,对应最大阻断电压 650V。
  • 高频工作能力(High Frequency Operation):适配高频电源转换需求,拓宽应用场景。
  • 正向电压(Vp)正温度系数(Positive Temperature Coefficient on Vp):便于多器件并联,避免热失控。
  • 开关特性不受温度影响(Temperature Independent Switching Behavior):在宽温度范围内保持稳定的开关性能。
  • 浪涌电流能力(High surge current capability):可承受短时大电流冲击,提升产品可靠性。

2.2 产品优势(Benefits)

  • 更高系统效率(Higher System Efficiency):无恢复电流与开关损耗,降低系统整体能耗。
  • 并联使用便捷,无热失控(Parallel Device Convenience without thermal runaway):基于正向电压正温度系数,多器件并联时电流分配均匀,避免局部过热。
  • 适用于更高温度场景(Higher Temperature Application):工作结温范围宽(-55 至 175℃),适配高温工业环境。
  • 无开关损耗(No Switching loss):得益于零恢复电流特性,开关过程中无额外能量损耗。
  • 硬开关特性,可靠性更高(Hard Switching & Higher Reliability):适应硬开关工作模式,长期使用稳定性强。
  • 环保保护(Environmental Protection):符合 RoHS 标准,减少对环境的影响。

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