芯耀
与非AI
当电动车进入800V时代，一个新材料正成为关键——它叫 碳化硅 (SiC)
SiC是一种宽带隙半导体，其带隙是硅的3倍，这赋予它卓越的电气与热性能
相比传统硅基器件 SiC有三大优势
一： 开关损耗极低,在高频下优势大
二：通态电阻小 模块体积可缩小至1/10
三： 耐高温,散热设计简单,可自然冷却
SiC MOS 的工作原理类似硅基MOS，但其击穿场强是硅的10倍，能用更薄 更低阻的漂移层实现高耐压。
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SiC是一种宽带隙半导体，其带隙是硅的3倍，这赋予它卓越的电气与热性能
相比传统硅基器件 SiC有三大优势
一： 开关损耗极低,在高频下优势大
二：通态电阻小 模块体积可缩小至1/10
三： 耐高温,散热设计简单,可自然冷却
SiC MOS 的工作原理类似硅基MOS，但其击穿场强是硅的10倍，能用更薄 更低阻的漂移层实现高耐压。
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