芯耀
与非AI
创新的射频解决方案，连接世界的领先供应商Qorvo，今天宣布推出世界上最高功率氮化硅基氮化镓的RF晶体管。QPD1025以65千伏的1.8KW电压工作，为L波段航空电子设备和鉴别敌友（IFF）应用提供了出色的信号完整性和扩展范围。
Strategy Analytics战略技术实践部执行总监Asif Anwar表示：“Qorvo的QPD1025晶体管代表了这一领域的真正改变。它提供了与硅LDMOS和硅双极型器件相当的脉冲功率和占空比性能，但其效率显着提高。Qorvo进一步实现了这种高功率和高效率，而无需将金刚石等特殊材料引入到热管理流程中，从而确保成本效益的解决方案。“
Qorvo高功率解决方案总经理Roger Hall表示：“这款新型高功率晶体管通过消除组合放大器难以实现的多千瓦解决方案，为客户节省时间和金钱。QPD1025的漏极效率明显提高，并且使LDMOS效率提高了近15个百分点，这在IFF和航空电子应用中具有重要意义。“
Qorvo提供业界最大，最具创新性的GaN-on-SiC产品组合。该公司的产品具有高功率密度，体积小，出色的增益，高可靠性和工艺成熟性，批量生产时间可追溯至2000年。有关Qorvo GaN-on-SiC优点的更多信息可在此处和本视频中获得。
QPD1025的工程样品现已上市。
| QPD1025 1800 Watt, 65-Volt GaN RF Input-Matched Transistor |
|---|
| Frequency Range: 1.0 to 1.1 GHz |
| Linear Gain: 22.5 dB (@1.0 GHz Load Pull) |
| Typical PAE3dB: 77.2% (@1.0 GHz Load Pull) |
| CW and Pulse capable |
| Package: 4-lead NI-1230 (earless) |
阅读全文
