芯耀
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今天继续把零跑BMS控制板最后的高压部分学习分析完。
其高压电路在T面的主要模块划分如下图，比较清晰，高低压之间有明显的隔离器件分割。
BJB采样芯片与隔离通信
高压采样电路中的采样芯片选取的是AS8510，是比较常见的型号，尤其在专用的BJB芯片出现之前被大量使用，包括CATL的产品等等；这个芯片集成了电流采样、电压采样的功能，尤其是电流采样通道精度很高，而且增益还可以配置，其实比很多BJB芯片的精度都好。
AS8510与低压电路之间是隔离SPI通信，这里使用的数字隔离器来自于TI的ISO7741，也是比较常见的型号。
隔离推挽电源
高压模块供电来自于低压电路，使用隔离推挽电源方案实现；推挽驱动芯片来自于TI的SN6501，也是目前比较主流的方案，然后隔离输出端增加了一个3.3V的LDO做稳压；目前推挽电源芯片国产也有很多替代方案，如3PEAK、纳芯微、矽力杰等等厂家都有兼容替代产品；像大多数电源芯片一样，推挽电源也会有EMC问题，可能需要额外加一些吸收电路，另外不同厂家的推挽芯片EMC表现是不同的，选型时需要注意验证下。
SHUNT采样与NTC采样
SHUNT电压采样线是一对差分线，从T面走到AS8510，注意在中间PCB较窄处的一定范围内不能布置任何的器件，避免机械应力。
如下图在B面，可以看到有丝印标注正负极方向，用来指示SHUNT的哪一边接电池的负极；NTC布置在SHUNT的下方，不是正中间，其采样线可以看到走向了低压电路区域，而不是使用AS8510做采集，所以这对采样线与高压区域的器件或走线都保持了大概5mm的安规间距。
高压采样与绝缘检测电路
此单板大概有3路高压采样通道，1路绝缘检测电路，其中3路高压采样电路中可能保护负极粘连检测电路，不太确定。
先看下光MOS驱动电路，其都由低压MCU来供电和驱动，如果是集中式的单板，使用低压端去驱动隔离开关是比较好的选择；如果使用高压端的BJB去驱动，功耗、电平匹配会很麻烦，但是BJB驱动隔离开关的好处是安规要求会下降；这里光MOS选用的是松下的AQW216和AQV258两种。
绝缘检测电路，采用典型电桥法，其中正对地有两个桥臂，负对地有一个桥臂，绝缘检测的观测点在负桥臂上，所以正常工作时应该是正桥臂切换出两种状态；而高压采样方案为典型的电阻分压法；所有的高压分压电阻采用0805220KΩ类型，不确定是否是薄膜电阻，绝缘检测一个桥臂有8个分压电阻，高压采样每路有6个分压电阻。
另外，绝缘检测的搭铁接地线在B面，同时连接到高压连接器与单板按照金属化孔上。
总结：
最近忙着做白盒测试，有些新的方案需要验证，好获取第一手数据；以上所有，仅供参考。
