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JSM2006G650V集自举单相高低侧同相电机驱动芯片

08/09 09:17
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电机驱动领域,芯片的稳定性、兼容性和性能直接影响设备的运行效率与寿命。杰盛微半导体自主研发的JSM2006G 650V 集自举单相高低侧同相电机驱动芯片,凭借优异的参数表现和广泛的兼容性,成为替代 PT5606、KP85302 的理想选择,为电机控制、家电、逆变器等场景提供高性价比解决方案。

一、产品概述

JSM2006G是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM2006G采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。

JSM2006G其浮动通道可用于驱动高压侧道功率 MOSFET,浮地通道最高工作电压可达600VJSM2006G采用SOP-8封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

 二、核心特性

功能全覆盖,驱动能力更稳定

JSM2006G 采用单芯片集成高、低侧栅驱动电路,配备独立的高侧和低侧参考输出通道,通过自举工作的浮地通道驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET,与 PT5606、KP85302 的核心驱动功能完全兼容。无论是电机正反转控制还是逆变器功率调节,都能稳定输出驱动信号,确保设备高效运行。

关键参数硬实力,适配多场景需求

-高压耐压更可靠:最高芯片耐压达 650V,浮地通道最高工作电压 600V,足以应对各类高压驱动场景,保障电路安全;

-宽电压逻辑兼容:支持 3.3V、5V、15V 输入逻辑,兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 电平,与主流控制芯片无缝对接,无需额外电平转换;

-强抗干扰与保护:dVs/dt 耐受能力达 ±50V/ns,Vs 负偏压能力 - 9V,有效抵御电压瞬变干扰;集成 VCC、VBS 欠压锁定电路和 130ns 死区时间防直通保护,避免芯片过压损坏。

这些参数不仅覆盖 PT5606、KP85302 的性能需求,更在稳定性和抗干扰能力上实现升级,降低设备故障率。

三、引脚功能描述

四、关键电气规格

4.1极限工作范围(TA=25℃,以 VSS 为参考)

4.2 推荐工作范围

4.3 电气特性(VCC=VBS=15V,Ta=25℃)

五、替代场景无缝切换,应用领域广泛

JSM2006G 的高兼容性使其在以下场景中可直接替代 PT5606、KP85302,无需大幅调整电路设计

电机控制:工业电机、家电电机的正反转驱动,精准控制转速与扭矩;

家电设备:空调压缩机、洗衣机电机驱动,提升运行效率与稳定性;

通用逆变器:光伏逆变器车载逆变器等功率转换设备,保障高压侧 MOSFET 可靠开关

高速风筒:专为高速风筒设计的驱动方案,适配高转速电机需求。

六、杰盛微品质保障,替代更放心

作为国产半导体企业,杰盛微半导体专注于功率驱动芯片研发,JSM2006G 经过严苛的可靠性测试,在一致性、稳定性和供货能力上具备优势。选择 JSM2006G 替代 PT5606、KP85302,不仅能获得同等甚至更优的性能,还能享受本土化技术支持与灵活的供货服务,降低采购与维护成本。

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