芯耀
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在半导体制造中，光刻机是 “芯片之母”，其性能决定芯片制程精度与集成度。按曝光机制，光刻机主要分为直写光刻、接近接触式光刻、光学投影光刻（含 i-line 光刻）及浸没式光刻四类，支撑不同层级半导体生产需求。
直写光刻：掩模版制造核心
直写光刻无需掩模版，以激光或电子束在光刻胶上绘图形，是掩模版制造与小批量芯片生产的关键。其分辨率受光源与控制系统影响，差异较大。如英国 MicroWriter ML3 系统分辨率 0.6μm-1μm，适用于 MEMS 与传感器研发；国内苏大维格系统基于 DMD 的 SLM 技术，支持 500nm 任意图形光刻，特定图形精度达 100nm。但该技术生产效率低，仅用于研发与定制化场景。
接近接触式光刻：低成本之选
接近接触式光刻含接触式与接近式，成本低、操作简，在低端领域有应用。接触式工作时掩模版与光刻胶直接接触，分辨率高于 0.5μm，部分达 0.3μm，适用于基础电子元件生产，但易磨损掩模版、污染光刻胶，增加成本。
接近式则在两者间留 5-50μm 间隙，避免损伤，却因衍射效应导致分辨率下降，极限约 2μm。目前该类技术因精度不足，逐步被光学投影光刻取代，仅少量用于低精度分立器件生产。
光学投影光刻：量产中坚
光学投影光刻通过光学系统聚焦、缩小掩模版图形至硅片，结合步进运动实现高精度量产，是主流技术。按光源波长，可分 i-line、KrF、ArF 光刻，分辨率随波长缩短提升。
i-line 光刻以 365nm 汞灯为光源，分辨率 1μm-0.35μm，部分支持 0.25μm 制程，曾广泛用于逻辑与存储芯片生产，现仍在汽车电子、工业控制等领域发挥作用，优势是技术成熟、维护成本低。
采用 248nm 波长氟化氪（KrF）准分子激光器的光刻机，分辨率大幅提升，可将制程节点推进到 180-130nm，成为早期智能手机芯片与高端存储芯片的生产主力；
193nm 波长氟化氩（ArF）准分子激光器的光刻机，凭借更短的波长与更优的光学设计，制程能力进一步缩小至 130-65nm，至今仍是中高端芯片量产的重要设备，在 28nm 成熟制程芯片生产中仍占据关键地位。
浸没式光刻：突破极限
浸没式光刻在物镜与光刻胶间填高折射率液体（如纯水），使 193nm 波长折算为 134nm，分辨率达 14nm。结合多重曝光技术，可延伸至 7nm 制程，是 7nm-22nm 芯片生产核心，被台积电、三星、英特尔等全球顶尖芯片制造企业广泛采用。
极紫外（EUV）光刻机是其高端分支，用 13.5nm 光源，如 ASML TWINSCAN EXE:5000 分辨率达 8nm，直接支持 5nm-2nm 制程，是先进芯片量产关键，但技术复杂、成本高，仅少数企业掌握。
不同类型光刻机构成半导体制造技术体系，随芯片制程突破，其技术将持续迭代，为产业发展提供支撑。
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