SK海力士1b DRAM最快本月量产

SK海力士正在加速10nm工艺第五代（1b）DRAM的量产，该DRAM将用于其第六代高带宽内存（HBM4）。随着与NVIDIA的HBM4质量测试接近尾声，此举被视为SK海力士为快速响应NVIDIA最新人工智能（AI）加速器Vera Rubin对HBM4的需求而采取的措施。SK海力士计划扩大产能，不仅通过供应1b DRAM量产所需的晶圆，还将扩建其位于清州的M15x晶圆厂并升级其M16晶圆厂的工艺。

据业内人士2月3日透露，SK海力士计划最早于本月开始量产用于HBM4的1b DRAM。这有望不仅满足NVIDIA所需的HBM4样品数量，还能满足Vera Rubin所需的HBM4数量。据报道，SK海力士正在确保年底前M15x工艺下每月约4万片晶圆的产能，以满足NVIDIA对HBM4的需求，并据称正在推进向M16工艺的过渡。

SK海力士似乎正在加速HBM4的量产，其内部评估认为已基本满足NVIDIA不断提高的HBM4性能要求。尽管SK海力士去年9月正式宣布HBM4量产，并声称已在业内率先建立起量产体系，但据信该公司已根据NVIDIA不断提高的性能要求（包括传输速度）进行了多次设计变更。三星电子曾表示：“自研发阶段以来，我们无需重新设计即可满足性能要求。”然而，据报道，SK海力士的设计变更导致其性能要求的实现时间晚于最初的预期。

随着三星电子正式宣布“HBM4将于2月量产”，一场争夺供货的竞赛预计将展开。今年的HBM4供应合同已于去年敲定，但谁能率先供应最终满足NVIDIA性能要求的HBM4，将成为衡量该公司当前技术实力的关键指标。三星电子拥有技术优势，其10nm级第六代（1c）DRAM领先SK海力士一代，而HBM4核心逻辑芯片的4nm工艺也领先于SK海力士和美光。SK海力士一直保持领先地位，但也面临着证明自身竞争力的挑战。

SK海力士的战略似乎是在盈利能力方面获得竞争优势，而这主要基于稳定的良率。虽然三星电子可能通过将1c DRAM应用于HBM4而获得性能优势，但SK海力士在良率方面可能仍然更胜一筹。由于 HBM4 采用 12 个尖端 DRAM，每个 DRAM 的良率至关重要。如果 DRAM 工艺良率低于 90%，HBM4 的整体良率将不可避免地大幅下降。这将直接影响价格竞争力以及 HBM 业务的盈利能力。

一位半导体行业内部人士解释说：“考虑到英伟达下一代 AI 加速器的发布计划，核心组件 HBM4 的供应应该会在 2 月份正式开始。” 他补充道：“由于三星电子对本月的出货量充满信心，据报道，SK 海力士也计划扩大量产以满足英伟达的需求。他们的策略是通过快速供货来消除市场对性能的担忧，证明业务可行性，并保持其在 HBM 市场的领先地位。”

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