• BUCK功率参数合集(1)：输入功率、输出功率、损耗功率和转换效率

  本文介绍了BUCK电路设计中的关键概念，包括输入功率、输出功率、损耗功率和转换效率，并详细解释了各部分的计算方法及其影响因素。通过一个实际例子展示了如何计算并评估电路的实际效率，强调了理解这些参数对优化电路设计的重要性。

  
  电源先生 1150 03/06 15:46 MOSFET BUCK电路
• BUCK功率参数合集(2)：深度解析电感的功率损耗

  电感功率损耗主要分为绕组损耗和磁芯损耗两部分。绕组损耗包括直流电阻损耗和交流电阻损耗，通常只计算直流电阻损耗。磁芯损耗则包含磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗，但在实际设计中常忽略。优化电感功率损耗的方法包括精心选型、优化电路布局和控制工作频率。通过这些措施，可以有效提升电源转换效率。
  电源先生 1078 03/06 16:07 MOSFET 电感
• BUCK功率参数合集(3)：MOSFET功率损耗大揭秘

  BUCK电路中开关管功率损耗主要包括导通损耗、截止损耗、开关损耗、栅极驱动损耗、死区时间损耗、体二极管反向恢复损耗和输出电容损耗。这些损耗受到输入输出电压、电流、开关管特性、驱动电路设计、工作频率和温度的影响。降低开关管功率损耗的策略包括优化开关管选型、改进驱动电路、改善散热设计和优化电路参数。深入了解这些损耗特性有助于提高电路效率并延长设备寿命。

  
  电源先生 682 03/06 17:22 MOSFET BUCK电路
• BUCK功率参数合集(4)：MOSFET导通损耗公式推导的方法

  本文介绍了开关管导通损耗的基本概念及其计算方法，详细解释了导通电流、导通电阻和占空比三个关键因素，并通过公式推导展示了如何从导通能量损耗计算到导通功率损耗的过程。掌握这些知识有助于深入了解开关电源的设计和优化。

  
  电源先生 1084 03/09 08:55 MOSFET BUCK电路
• BUCK功率参数合集(5)：MOSFET导通损耗(平均值)公式推导方法

  本文介绍了开关电源设计中BUCK电路中高边和低边MOSFET导通功率损耗的计算方法，包括高边MOSFET的平均电流、导通功率损耗平均值、能量损耗以及低边MOSFET的相应计算。文章还讨论了如何考虑纹波电流分量影响，并提供了导通功率损耗的有效值计算方法。

  
  电源先生 1649 03/10 14:20 MOSFET BUCK电路
• BUCK功率参数合集(6)：MOSFET导通损耗(有效值)公式推导方法1

  本文介绍了基于TON导通时间内瞬时电流计算导通功率损耗有效值的方法。通过公式推导，分别计算了高边和低边MOSFET在TON和TOFF时间内的导通功率损耗，并将其相加得到总损耗。这种方法考虑了纹波电流的影响，使计算结果更加准确，有助于优化BUCK电路设计，提高系统效率和可靠性。
  电源先生 384 03/10 14:56 MOSFET 降压电路
• BUCK功率参数合集(7)：MOSFET导通损耗(有效值)公式推导方法2

  本文介绍了如何基于TON导通时间内有效电流计算MOSFET导通功率损耗有效值。首先推导了高边MOSFET在TON时间内的有效电流公式，并据此计算其导通功率损耗有效值。接着，详细阐述了低边MOSFET导通功率损耗的计算方法。最后总结了计算过程，强调了这些公式对于开关电源性能优化的重要性。
  电源先生 266 03/10 15:45 MOSFET 降压电路
• BUCK功率参数合集(8)：MOSFET导通损耗(有效值)公式推导方法3

  本文介绍了基于TSW开关周期内有效电流计算导通功率损耗有效值的方法，适用于BUCK降压开关电源电路中高边和低边MOSFET的导通损耗评估。通过公式推导，考虑了电感电流的平均值和纹波电流影响，为设计人员提供了更准确的损耗评估依据，有助于提升转换效率。
  电源先生 405 03/10 16:13 MOSFET 降压电路
• BUCK功率参数合集(9)：MOSFET导通损耗计算实例解析

  本文深入探讨了BUCK电路中MOSFET导通损耗的计算及其影响因素，特别是同步降压芯片内部低边MOSFET导通电阻的设计要点。文中详细介绍了计算实例，包括占空比、纹波电流的计算，以及高边和低边MOSFET导通功率损耗的平均值和有效值计算。文章指出，虽然纹波电流对导通损耗有显著影响，但在实际应用中其占比较小，通常可以忽略。

  
  电源先生 670 03/10 16:25 MOSFET 降压电路
• BUCK功率参数合集(10)：同步降压芯片低边MOSFET导通电阻更小的原因解析

  本文探讨了同步降压电源设计中高边与低边MOSFET散热不均衡的问题，并解释了低边MOSFET导通电阻较小的原因。通过对比不同输入电压下的导通损耗，揭示了导通时间长短对发热的影响。此外，文章指出低边MOSFET导通电阻较小是为了提升转换效率，同时可以通过并联策略进一步降低导通损耗。最终，作者强调理解这些设计背后的原因有助于工程师更好地应对电源设计挑战。
  电源先生 329 03/10 16:50 MOSFET 电源设计
• BUCK功率参数合集(11)：MOSFET截止损耗公式推导方法揭秘

  本文揭秘了BUCK电路中MOSFET截止损耗的计算公式及其优化方法，强调理解其原理的重要性，并提供了高边和低边MOSFET截止损耗的具体计算公式。
  电源先生 367 03/11 08:05 MOSFET BUCK电路
• BUCK功率参数合集(12)：MOSFET开关损耗或交叉损耗公式直观理解

  在BUCK电路中，开关损耗（Switching loss）是影响转换效率的关键因素之一。本文详细介绍了高边MOSFET开关损耗的计算公式推导，指出实际损耗仅为理论值的一半，并对比了低边MOSFET较小的交叉损耗。掌握这些计算与优化方法有助于提高电源设计效率和可靠性。
  电源先生 1023 03/11 09:17 MOSFET BUCK电路

正在努力加载...