芯耀
与非AI
500
器件通过AEC-Q102认证，CMTI达到业内先进的40 kV/µS，最大重复峰值隔离电压达707 Vpeak
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型3.6 mm窄体SOP-5封装车规级1 MBd高速光耦---VOMHA43A。Vishay Semiconductors VOMHA43A相对漏电起痕指数为400，共模瞬态抗扰度（CMTI）不低于 40 kV/µS 达到业内先进水平，可提高信号传输质量并节省空间，适用于额定隔离峰值电压（VIORM）达707 Vpeak的各种应用。
日前发布的器件通过 AEC-Q102认证，适于汽车、工业、家居楼宇控制及通信应用隔离数据通信、高速信号切换、地环路信号隔离以及逻辑电压电平转换。在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）及低速电动车（LSEV）领域，该光耦可为 CAN、LIN、I2C和SPI接口，以及智能功率模块（IPM）驱动器等隔离驱动电路应用提供通信总线隔离保护。
传统SOP-5封装宽度为 4.4 mm，而VOMHA43A采用窄体 SOP-5 封装大幅节省 PCB 空间，同时支持堆叠式布局。器件最小 CMTI 是最接近竞品的两倍以上，显著增强抗电脉冲尖峰、射频干扰（RF）及电磁干扰（EMI）能力。竞品器件的最大重复峰值隔离电压为567 Vpeak，而这款光耦的隔离耐压达到707 Vpeak，完全满足 400V 车载电池系统的应用需求。
VOMHA43A包含 GaAlAs 红外发射二极管，它以光学耦合的方式连接集成的光电探测器及高速晶体管。光电探测器与晶体管采用结隔离，减小密勒电容效应。光耦具备集电极开路输出功能，便于工程师连接不同逻辑系统时灵活调整负载状态，探测器芯片集成法拉第屏蔽层，因此器件能够抑制并减小输入输出端共模瞬态高电压。
光耦符合 RoHS 标准，无卤素，工作温度范围 -40 °C至 +125 °C，与主流竞品元件引脚兼容，可直接替换，无需重新进行机电设计。
VOMHA43A光耦现可提供样品并已实现量产，供货周期为6周。
