德欧泰克DID3A2N65 650V/3.2A N沟道MOSFET

一款49W以下的现代单电压AC-DC电源适配器，在未插入任何设备时允许浪费100毫瓦。这个数字是欧盟法律规定的，自2020年起生效。

下一次收紧已经确定，从2028年起将限值降至75毫瓦。该法规并不止步于待机状态。它还设定了介于其间的每个负载点的最低平均效率。满足这两项限值，既是控制器的决策，也是MOSFET的决策。

每个开关周期，MOSFET仅仅为自己的栅极电容充电就会消耗少量能量。

在每个有源负载点，这种损耗都会累积起来。这就是为什么低栅极电荷如今与导通电阻一起，位居设计人员规格清单的首位。

这两者决定了适配器有多少输入能够到达负载，以及有多少在开关本身中被浪费掉。

德欧泰克半导体的DID3A2N65是一款650V、3.2A的N沟道MOSFET，正是为应对这种压力而打造。

低栅极电荷、低导通电阻、快速开关，采用TO-251/I-PAK封装，尺寸适合现代法规所鼓励的紧凑型适配器。