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无锡曜硅 LS8524D|SOP‑8 浮地 / 共地双架构副边同步整流功率开关

10/21 14:12
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很多中小功率适配器方案,会遇到变压器副边浮地、共地两种不同硬件架构,客户希望一颗 SR 芯片兼容两套设计,减少物料型号库存。无锡曜硅 LS8524D,SOP‑8 封装副边同步整流开关,同时支持浮地架构、共地架构两种典型反激副边电路,兼容 DCM、QR 准谐振工作模式,内置高压自供电模块,无需辅助绕组供电,面向 5‑40W 中小功率充电器、适配器。作为无锡曜硅总一级代理,提供参考原理图,协助浮地 / 共地两种版本调试,样品与批量供货。

产品定位

LS8524D 为副边同步整流功率开关,SOP‑8 封装,内置功率 MOS,集成高压自供电电路,不需要辅助绕组,最大特色是一颗芯片同时支持浮地、共地两种应用拓扑,工程师可以一套器件适配两种不同变压器 / PCB 方案,简化 BOM 物料管理。主要适配 DCM 断续、QR 准谐振反激,适合中小功率适配器。

核心技术亮点

一颗芯片兼容浮地、共地两种拓扑,物料简化 市面上多数同步整流芯片只能支持单一拓扑;LS8524D 硬件原生支持两种主流副边接法,做不同版本产品时不用更换 SR 器件,减少物料种类、降低库存压力。

内置高压供电模块,省去辅助绕组 SW 引脚实现自供电,变压器不需要专门给 SR 芯片做辅助绕组,简化变压器绕制,降低变压器成本。

DCM+QR 准谐振双模式适配 适配 DCM 断续模式、QR 谷底开通准谐振反激,开通延时约 120ns,关断延时约 30ns;内置 500ns 前沿消隐 LEB,屏蔽开通尖峰电压,避免谐振造成芯片误导通,提升系统稳定性。

完备保护机制 内置 VCC 欠压 UVLO 保护;当系统偶尔进入轻度 CCM 工况,建议在 SW‑GND 增加 RC 吸收回路,抑制反向尖峰,保护芯片 MOS 管;故障条件下可靠关断 MOS,依靠体二极管续流,保障电源基础工作。

关键电气参数

封装 SOP‑8,盘装 4000pcs / 盘;

支持输出电压 4.7V‑36V;

适配 DCM、QR 工作模式;

前沿消隐时间 500ns;

典型开通延时 120ns,关断延时 30ns。

典型应用场景

5‑40W 消费类 AC‑DC 充电器、适配器

小型 LED 驱动电源

小家电、IoT 设备隔离辅助电源

同时存在浮地、共地两套硬件平台,希望统一 SR 物料的项目

替换传统肖特基二极管,提升整机效率

PCB 与设计注意事项

SW 引脚铺铜,改善内置 MOS 散热;

VCC 旁路电容必须紧靠 VCC 与 GND 引脚;

若系统会出现轻度 CCM 工况,SW 与 GND 之间务必增加 RC 吸收电路,抑制反向电压尖峰;

副边功率环路走线短而粗,降低寄生电感;

区分功率地,大电流路径不要经过小信号走线。

代理服务说明

无锡曜硅总一级代理,原厂直供配额;免费样品申请,输出浮地、共地两套参考原理图与 BOM;FAE 工程师协助两种拓扑的调试,RC 吸收参数选型,解决误导通、尖峰异常问题,支持大小批量订单交付。

小结

LS8524D 差异化优势就是单芯片同时支持浮地、共地两种副边拓扑,免辅助绕组,兼容 DCM/QR,非常适合多平台中小功率适配器项目,统一 SR 物料,简化 BOM 与库存管理。是 5‑40W 反激电源性价比很高的国产同步整流器件。

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