HCP031N06L 是惠海半导体原厂采用沟槽工艺开发的 N 沟道功率 MOS 管,额定参数 12A、60V,可与同系列 15N10、30N10 等规格 MOS 管一同纳入功率器件选型参考,可用于投影仪、车灯等多类开关电路方案。
惠海半导体原厂HCP031N06L依托先进沟槽结构设计,在导通电阻 RDS (ON)、栅极电荷之间实现均衡表现,低栅极电荷特性有助于降低开关损耗,适配高频切换工况;器件可在 10V 栅极驱动电压下正常工作,对常规驱动电路兼容性较好,适合高频开关、同步整流类拓扑。 出厂环节执行 100% UIS 雪崩耐受测试与 100% DVDS 耐压测试,对电路中常见的电压尖峰、瞬时冲击具备对应的耐受余量,功率与电流承载能力可满足中小功率开关回路需求,产品为无铅器件,符合对应环保要求。
惠海半导体原厂HCP031N06L特点
低栅极电荷
100% UIS 测试,100% DVDS 测试
高功率和电流处理能力
获得了无铅产品
从电路应用维度来看,惠海半导体原厂HCP031N06L 可应用于 DC/DC 转换器,除投影仪、车灯驱动外,同平台低压沟槽 MOS 器件可覆盖丰富的终端场景:加湿器、雾化器、美容仪等小型健康家电,蓝牙音箱、电弧打火机等消费电子,舞台灯等照明驱动,马达驱动、逆变器、无线充、POE 供电、无刷电机、电动工具、PD 快充、太阳能电源、防盗器、充电器、电动车转换器等功率电路。
惠海半导体原厂60VMOS型号选型:
HCK016N06L、HC010N06L、HC037N06L、HC031N06L、HCK029N06L、HCP029N06L、HCD031N06L、HCP031N06L、HC6019D、HC037N06LS、HC070N06L、HC706、HC070N06LS、HGE004N06L、HGK004N06L、HGA004N06L、HGE2R2N06L、HGK2R2N06L、HGE2R6N06L、HGK2R6N06L、HGA008N06L
惠海半导体原厂中低压MOS系列 VDS 耐压覆盖 ±20V 至 ±250V,同时提供 N 沟道、P 沟道两种极性,搭配多封装形态,方便工程师根据 PCB 空间、散热需求、电流等级选型:
P 沟道 SOT23-3L:3401、10P03、5P04、4P06、5P10
N 沟道 SOT23-3L:3400、8N03、6N04、6N06、3N10、5N10、6N10、2N15、5N12、15N10、30N10、50N10、90N10、30N12、15N15、50N15、10N20
N 沟道 PDFN5*6 / TO-252:30N03、60N03、90N03、120N03、100N04、90N04、30N06、50N06、90N06、120N06
P 沟道 TO-252:100P02、60P06、30P10、50P10、20P15、20P20
N 沟道 SOT89:15N10、12N06、40N06、20N03、15N15、10N20
N 沟道 PDFN3×3:30N03、60N03、90N03、25N06、50N06、70N06、15N10、25N10、45N10、70N10、10N15
不同封装在散热能力、贴装面积上各有区别,贴片小封装适合紧凑化的消费电子方案,TO-252、PDFN5*6 封装更适合电流偏大、对散热有要求的驱动回路。在方案设计时,可根据实际回路耐压、持续电流、开关频率、布局空间,搭配对应规格 MOS 管。
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