徕飞硅电容持续上新：高稳定硅电容登场

面对精密电路与高速信号设计，MLCC的温漂、直流偏压掉容等现象常常让工程师头痛不已。在面对这些痛点时，这几款硅电容可以给出更优方案。徕飞硅电容本次主要推出了四个型号：FSC0101V101R0300、FSC0202V102R0300、FSC0201D103M0016、FSC0201D243M0011。

高压高稳定担当：FSC0101V101R0300、FSC0202V102R0300

核心参数为：300V击穿电压、65ppm/℃、0.01%/VDC，前者容值0.1nF，后者容值为1nF。在300V的超高电压之下，这两款硅电容依旧可以保持极低的电压系数（0.01%/VDC）。这意味着在高压电路中，这两款硅电容的容值几乎不随电压波动，完美替代高压MLCC，被广泛用于高压滤波、工业电源等场景。

高容值+抗ESD担当：FSC0201D103M0016

核心参数为：10nF、16V击穿电压、65ppm/℃、-0.05%/VDC、ESD 2.0kV。该类型自带2.0kV ESD防护能力，在便携设备、可穿戴设备、接口保护等对静电敏感的应用中，它可以省去额外的ESD保护器件，从而节省PCB空间和BOM板的成本。

超低电压系数担当：FSC0201D243M0011

核心参数为：24nF、11V 击穿电压、65ppm/℃、-0.05%/VDC.该型号在0201M小封装下实现24nF大容量，并且电压系数低至-0.05%/VDC。在低压DC-DC转换器、高速信号去耦等场景中，提供极其稳定的电容值，在告别“电压一加容值就衰退”的MLCC的同时，依旧可以提供较大容量。