CH5N50D TO-252封装 N沟道高压MOS管数据手册

1小时前作者：eefocus_4266617

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封装类型‌：TO-252贴片封装

关键电气指标‌：漏源耐压‌550V‌，连续漏极电流‌5A‌，导通电阻低至‌1.35Ω‌，栅极电荷仅26nC

工作特性‌：工作温度范围-55~150℃，通过RoHS环保认证，反向恢复时间220ns，截止频率1MHz

完全匹配你熟悉的电源类项目，可直接落地：

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