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系统版本：可控硅系统
可控硅工作原理：当正电位加到器件的阳极时，在一定的电压范围内，器件仍处于关断状态。然而，当正电压大于一定的电压时，该器件迅速转变为低电阻传导状态。当加在可控硅阳极和阴极之间的电压低于磨合电压时，该器件就会关闭。
可控硅具有三个PN结(J1、J2、J3)，构成了四层P1N1P2N2结构，如下图所示。可控硅对外有三个电极，由第一层P型半导体引出的电极称为阳极A，由第三层P型半导体引出的电极称为控制极G，由第四层N型半导体引出的电极称为阴极K，其中控制极G的存在使得可控硅的工作特性不同于二极管。
当阳极A端加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态，此时由控制极G端输入正向触发信号，使得BG2管有基极电流ib2通过，经过BG2管的放大后，其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基极，故有ib1=ic2，电流又经BG1管的放大作用后，得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。此电流又流回BG2的基极，使得BG2的基极电流ib2增大，从而形成正向反馈使电流剧增，进而使得可控硅饱和并导通。由于在电路中形成了正反馈，所以可控硅一旦导通后无法关断，即使控制极G端的电流消失，可控硅仍能继续维持这种导通的状态。
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