屯兵22纳米低功耗工艺，3巨头意欲何为？

在中国建厂与投资 FD-SOI（全耗尽绝缘层上硅）工艺，或许是格芯（GlobalFoundries）CEO Sanjay Jha 职业生涯最重要的赌注，期望通过这两项举措给晶圆代工市场格局带来变化。在第五届 FD-SOI 论坛上，介绍完格芯成都工厂建设进度与 22FDX 工艺发展近况以后，Sanjay 表示，2017 年格芯 22FDX 平台接到的试验性流片（即 MPW，直译为多项目晶圆）订单有 20 例，其中 10 例来自中国设计公司。“市场广阔，机会难得，FDX 就是为中国市场量身打造的技术。”

在演讲中，Sanjay Jha 对三个尚未量产的 22 纳米工艺进行了对比。与台积电 22ULP（超低功耗 22 纳米工艺）及英特尔 22FFL（22 纳米低功耗鳍式场效应晶体管工艺）相比，格芯的 22FDX（22 纳米 FD-SOI 工艺）晶体管密度最高，光罩数最少（流片成本低），功耗也最低。

由于和体硅工艺路线不同，所以格芯 22FDX 在 2018 年推出并不奇怪，但对台积电和英特尔而言，最先进工艺已经走到了 10 纳米节点，为何又回头重新开发 22 纳米低功耗工艺？（当然，英特尔刚在中国召开新闻发布会，宣布 2017 年下半年量产 10 纳米工艺，并称根据其计算方法，台积电和三星的 10 纳米工艺远远落后英特尔 10 纳米，根本就不是一代技术。）

芯原董事长兼 CEO 戴伟民认为，台积电 22ULP 的推出，很大程度是为 5G 做准备，因为在 FinFET 上很难实现射频工艺，退回平面工艺以后，可以相对容易地集成射频功能。

英特尔推出的 22FFL 工艺，也特地强调包含一个完整的射频（RF）套件，可结合多种模拟和射频器件来实现高度集成的芯片。

与 28 纳米工艺相比，这三种 22 纳米工艺功耗更低，晶体管密度更高，而与 14/16 纳米工艺相比，22 纳米工艺开发成本更低，也都可实现射频工艺集成。

所以，5G 到来以后新一代物联网终端芯片，将是这三种 22 纳米工艺的最主要目标市场。

虽然近年来资本支出排行榜排名前三的公司中，两家都回头去做 22 纳米低功耗工艺，但三星现在并没有在 22 纳米工艺投资的计划。这一方面是由于三星 28 纳米 FD-SOI 工艺当前最为成熟，据三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung 介绍，过去三年，三星 FD-SOI 工艺已经有 7 家客户，36 个产品进行了流片，现在流片产品数量在不断增加。相比 28 纳米体硅工艺，28 纳米 FD-SOI 的特色就是功耗低，因此非常适合物联网应用。

另一方面，三星 FD-SOI 工艺规划的下一个节点是 18 纳米，因此在三星代工产品线当中，28 纳米和 14 纳米节点之间，除了规划中的 18 纳米 FD-SOI，就没有其他工艺提供。

不过，如果 22 纳米低功耗工艺市场接受度良好，不知道急于扩大代工业务的三星是准备用 18 纳米 FD-SOI 工艺来错位竞争，还是也跟风上 22 纳米？反正对财大气粗的三星电子来说，开发 22 纳米工艺的资金不成问题。

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