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射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
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扫码加入MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册
射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GRM1555C1H102JA01D | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 1000pF, 50V, ±5%, C0G/NP0, 0402 (1005 mm), 0.020"T, -55º ~ +125ºC, 7" Reel/Paper Tape |
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$0.05 | 查看 | |
| CRCW12061K00FKEAHP | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.75W, 1000ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.34 | 查看 | |
| BT136S-600E,118 | 1 | WeEn Semiconductor Co Ltd | 4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-252AA, PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3/2 |
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$0.89 | 查看 |
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