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射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
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扫码加入MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册
射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2-520263-2 | 1 | TE Connectivity | ULTRA-FAST 250 ASY REC 22-18 TPBR |
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$0.3 | 查看 | |
| CRCW12060000Z0EAHP | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.75W, 0ohm, Surface Mount, 1206, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
|
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$0.33 | 查看 | |
| SS34-E3/57T | 1 | Vishay Intertechnologies | DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN, Rectifier Diode |
|
|
$0.51 | 查看 |
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