电子硬件助手
元器件查询
242
扫码加入MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册
射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N5062TR | 1 | Vishay Intertechnologies | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AP, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
|
|
$0.68 | 查看 | |
| PMR209ME6470M100R30 | 1 | KEMET Corporation | RC Network, Isolated, 100ohm, 630V, 0.47uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
|
|
$5.23 | 查看 | |
| TYN1012RG | 1 | STMicroelectronics | 12A standard SCRs |
|
|
$1.03 | 查看 |
人工客服
© 2010 - 2026 苏州灵动帧格网络科技有限公司 版权所有
ICP经营许可证 苏B2-20140176 | 苏ICP备14012660号-6 | 苏公网安备 32059002001874号
扫码关注
扫码加入
电子硬件助手
元器件查询
芯耀
与非AI
下载ECAD模型
