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射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
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射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SMMBT2222ALT1G | 1 | onsemi | NPN Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL |
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$0.25 | 查看 | |
| 796692-6 | 1 | TE Connectivity | 17.5A, MODULAR TERMINAL BLOCK, 2 ROWS, 2 DECKS |
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$8.47 | 查看 | |
| 0530470410 | 1 | Molex | Board Connector, 4 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT |
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$0.51 | 查看 |
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