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MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册

2023/04/25
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射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。

特点

  • 无与伦比的输入和输出，可实现广泛频率范围的利用
  • 设备可单端使用或采用推挽配置
  • 最大50 VDD操作的合格化
  • 在30到50 V范围内进行特性化，以扩展功率范围
  • 适用于具有适当偏置的线性应用
  • 集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，以改善C类操作
  • 使用系列等效大信号阻抗参数进行特性化
  • 推荐驱动器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
SBAV99WT1G 1 onsemi 100 V Switching Diode, dual, series, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL

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SBC817-25LT1G 1 Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd Small Signal Bipolar Transistor,
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AEQ2234 1 Dielectric Laboratories Inc RC Network,
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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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