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射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
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扫码加入MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册
射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B32922C3474M000 | 1 | TDK Corporation | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPROPYLENE, 630V, 0.47uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
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$0.99 | 查看 | |
| CRCW0603100RFKEAC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 100ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP |
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$0.02 | 查看 | |
| CRCW0603330RFKEAC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 330ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP |
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$0.06 | 查看 |
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