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扫码加入MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册
射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VLF302512MT-100M | 1 | TDK Corporation | General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1210, CHIP, 1210 |
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$1.85 | 查看 | |
| BSS123TA | 1 | Zetex / Diodes Inc | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
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$0.57 | 查看 | |
| 236-402 | 1 | WAGO Innovative Connections | Strip Terminal Block, 15A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s), |
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$1.42 | 查看 |
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