扫码关注
电子硬件助手
元器件查询
367
扫码加入MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册
射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW1206100RFKEAC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 100ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP |
|
|
$0.08 | 查看 | |
| 254M06QD150 | 1 | Cornell Dubilier Electronics Inc | RC Network, |
|
|
$17.55 | 查看 | |
| IRFL9110TRPBF | 1 | International Rectifier | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, TO-261AA, 4 PIN |
|
|
$1.03 | 查看 |
人工客服
© 2010 - 2025 苏州灵动帧格网络科技有限公司 版权所有
ICP经营许可证 苏B2-20140176 | 苏ICP备14012660号-6 | 苏公网安备 32059002001874号
扫码关注
扫码加入
电子硬件助手
元器件查询
芯耀
下载ECAD模型
