RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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| TP-107-02-1-T | 1 | Components Corporation | Interconnection Device, ROHS COMPLIANT |
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$0.79 | 查看 | |
| CRCW04024K70FKED | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 4700ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.12 | 查看 | |
| 43031-0002 | 1 | Molex | Wire Terminal, |
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$0.08 | 查看 |
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