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扫码加入RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C0603C104K5RACTU | 1 | KEMET Corporation | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 50V, ±10%, X7R, 0603 (1608 mm), -55º ~ +125ºC, 7" Reel/Unmarked |
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$0.19 | 查看 |
| STN3NF06L | 1 | STMicroelectronics | N-channel 60 V, 0.07 Ohm typ., 4 A STripFET II Power MOSFET in SOT-223 package |
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$0.88 | 查看 |
| XAL5050-153MEC | 1 | Coilcraft Inc | General Purpose Inductor, 15uH, 20%, 1 Element, Composite-Core, SMD, 2221, CHIP, 2221, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$6.75 | 查看 |
人工客服
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