RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B82498F3681J000 | 1 | TDK Corporation | General Purpose Inductor, 0.68uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0805, CHIP, 0805, ROHS COMPLIANT |
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$1.02 | 查看 | |
| 0444851211 | 1 | Molex | Push-On Terminal, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$1.26 | 查看 | |
| 43025-0400 | 1 | Molex | Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Crimp Terminal, Locking, Black Insulator, Receptacle, |
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$0.24 | 查看 |
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