RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW04021M00FKEDHP | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 1000000ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.13 | 查看 | |
| BAT54S-7-F | 1 | Diodes Incorporated | Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
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$0.2 | 查看 | |
| TAJA106K010RNJ | 1 | Kyocera AVX Components | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, 10uF, Surface Mount, 1206, CHIP |
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$0.34 | 查看 |
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