RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B82464G4224M000 | 1 | TDK Corporation | General Purpose Inductor, 220uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 4141, ROHS COMPLIANT |
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$2.19 | 查看 | |
| 02011602101 | 1 | HARTING Technology Group | Board Euro Connector, 160 Contact(s), 5 Row(s), Male, Right Angle, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Receptacle, |
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$27.85 | 查看 | |
| CRCW04021K00FKEDHP | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 1000ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.13 | 查看 |
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