电子硬件助手
元器件查询
275
扫码加入MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率数据手册
RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS123TA | 1 | Zetex / Diodes Inc | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
|
$0.57 | 查看 | |
| 0395000003 | 1 | Molex | Strip Terminal Block, 8A, 1.31mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT |
|
|
$1.71 | 查看 | |
| SMMBT3906LT1G | 1 | onsemi | 200 mA, 40 V PNP Bipolar Junction Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL |
|
|
$0.3 | 查看 |
人工客服
© 2010 - 2026 苏州灵动帧格网络科技有限公司 版权所有
ICP经营许可证 苏B2-20140176 | 苏ICP备14012660号-6 | 苏公网安备 32059002001874号
扫码关注
扫码加入
电子硬件助手
元器件查询
芯耀
与非AI
下载ECAD模型
