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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
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扫码加入MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率数据手册
RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SMP100LC-200 | 1 | Vishay Intertechnologies | Silicon Surge Protector, 265 V, 55 A, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
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$1.44 | 查看 | |
| ZTX651STZ | 1 | Zetex / Diodes Inc | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
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$1.4 | 查看 | |
| IHLP2525CZER1R0M01 | 1 | Vishay Intertechnologies | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1 uH, COMPOSITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 2525, GREEN |
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$1.15 | 查看 |
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