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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
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扫码加入AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 宽带RF功率LDMOS晶体管 - 数据表
RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C0402C104K4RACAUTO | 1 | KEMET Corporation | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 16V, ±10%, X7R, 0402 (1005 mm), -55º ~ +125ºC, Bulk |
|
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$0.13 | 查看 | |
| 0190730017 | 1 | Molex | Ring Terminal, 0.8mm2, ROHS COMPLIANT |
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$0.65 | 查看 | |
| TSM-103-01-L-SV-P-TR | 1 | Samtec Inc | Board Connector, 3 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator, Receptacle, ROHS COMPLIANT |
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$1.35 | 查看 |
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