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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
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扫码加入AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 宽带RF功率LDMOS晶体管 - 数据表
RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MS27488-22-2 | 1 | Aero-Electric Connector Inc | Connector Accessory, |
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$0.12 | 查看 | |
| EZADT22AAAJ | 1 | Panasonic Electronic Components | RC Network, RC Low Pass Filter, 0.063W, 47ohm, 12V, 0.000047uF, Surface Mount, 10 Pins, CHIP |
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暂无数据 | 查看 | |
| VS-P101W | 1 | Vishay Intertechnologies | Silicon Controlled Rectifier, |
|
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$39.5 | 查看 |
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