RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N4148WS-E3-08 | 1 | Vishay Intertechnologies | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
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$0.24 | 查看 | |
| AU1201 | 1 | Okaya Electric America Inc | RC Network, |
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$0.72 | 查看 | |
| 43045-0412 | 1 | Molex | Rectangular Power Connector, 4 Contact(s), Male, Solder Terminal, Plug, |
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$0.61 | 查看 |
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