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扫码加入AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 宽带RF功率LDMOS晶体管 - 数据表
RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 320563 | 1 | TE Connectivity | (320563) TERMINAL,PIDG R 16-14 1/4 |
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$0.49 | 查看 | |
| 0603ESDA2-TR2 | 1 | Eaton Corporation | Trans Voltage Suppressor Diode, Bidirectional, 1 Element, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 0603, 2 PIN |
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$0.56 | 查看 | |
| SXH-001T-P0.6N | 1 | JST Manufacturing | Connector Accessory, 0.0512in Min Cable Dia, 0.0748in Max Cable Dia, Contact, Phosphor Bronze, |
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$0.04 | 查看 |
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