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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
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扫码加入AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 宽带RF功率LDMOS晶体管 - 数据表
RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BT169H,412 | 1 | WeEn Semiconductor Co Ltd | Silicon Controlled Rectifier, |
|
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$0.15 | 查看 | |
| CS60-16IO1 | 1 | IXYS Corporation | Silicon Controlled Rectifier, 75A I(T)RMS, 48000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, PLUS247, 3 PIN |
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$10.2 | 查看 | |
| DT06-6S-CE06 | 1 | TE Connectivity | DT PLUG ASM |
|
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$3.01 | 查看 |
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