AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 宽带RF功率LDMOS晶体管 - 数据表

2023/04/25 作者：恩智浦

727

加入交流群

扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 宽带RF功率LDMOS晶体管 - 数据表

RF功率LDMOS 晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。

特点

适用于136至520 MHz操作
无与伦比的输入和输出，可实现广泛的频率范围利用
集成ESD保护 · 集成稳定性增强功能
宽带——全频段满功率输出
异常的热性能
极高的耐用性
高线性性能：TETRA，SSB，LTE
在胶带和卷盘上提供。 R1后缀= 500个单元，44毫米胶带宽度，13英寸卷盘

推荐器件

更多器件

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	数据手册	ECAD模型	风险等级	参考价格	更多信息
B82144A2103K000	1	TDK Corporation	General Purpose Inductor, 10uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT		ECAD模型下载ECAD模型		$0.46	查看
BTA12-600BRG	1	STMicroelectronics	12A standard and Snubberless™ Triacs		ECAD模型下载ECAD模型		$0.97	查看
MAC12NG	1	onsemi	Triac, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE		ECAD模型下载ECAD模型		$2.2	查看

原创声明：本文为恩智浦原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

相关推荐

AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶体管-数据手册
资料恩智浦
499
2023/04/25
MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率数据手册
资料恩智浦
441
2023/04/25
多颗艾为芯助力小米SU7实现“人车家全生态”的驾乘进阶体验
方案艾为电子
1353
02/14 09:37
台懋半导体MOS管：助力车灯革新
方案台懋中低压MOS
1331
01/13 08:47
台懋半导体MOS管：在 RGB 控制器中的卓越表现
方案台懋中低压MOS
1697
01/08 13:37
HG200N15LS加湿器MOS管应用方案
方案惠海半导体
3351
2024/04/12
ASC30N1500MT4L碳化硅MOS管1500V80mΩ
资料碳化硅MOS+模块+应用（芯片）
747
08/12 13:19

方案定制

方案开发定制化，2000+方案商即时响应！

相关资料

TA的热门作品