MRF6S18100NR1, MRF6S18100NBR1 1805-1990 MHz, 100 W, 28 V, GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF6S18100NR1, MRF6S18100NBR1 1805-1990 MHz, 100 W, 28 V, GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

MRF6S18100NR1, MRF6S18100NBR1 1805-1990 MHz, 100 W, 28 V, GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

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