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低 VCE(sat) 双极晶体管 (BJT) 是汽车管理电路中功率开关平面 MOSFET 的极具吸引力的替代品。 事实证明，它们比同等尺寸的平面 MOSFET 具有更强的 ESD 鲁棒性、功耗更低，而且通常成本更低，从而降低了系统成本。 本应用笔记将讨论低 VCE(sat) BJT 在汽车电源管理电路中的使用。
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低 VCE(sat) 双极晶体管 (BJT) 是汽车管理电路中功率开关平面 MOSFET 的极具吸引力的替代品。 事实证明，它们比同等尺寸的平面 MOSFET 具有更强的 ESD 鲁棒性、功耗更低，而且通常成本更低，从而降低了系统成本。 本应用笔记将讨论低 VCE(sat) BJT 在汽车电源管理电路中的使用。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AT91SAM7X512B-AUR | 1 | Microchip Technology Inc | IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100LQFP |
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$15.51 | 查看 | |
| OPF345A | 1 | TT Electronics Resistors | LED Emitter, 830nm Min, 870nm Max, Through Hole Mount, |
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$11.86 | 查看 | |
| TPS2491DGSG4 | 1 | Texas Instruments | 9-V to 80-V hot swap controller with power limiting and Auto Retry 10-VSSOP -40 to 85 |
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$4.1 | 查看 |
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