汽车应用中的低 VCE(sat) BJT

2024/01/10 作者：安森美半导体

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汽车应用中的低 VCE(sat) BJT

低 VCE(sat) 双极晶体管 (BJT) 是汽车管理电路中功率开关平面 MOSFET 的极具吸引力的替代品。事实证明，它们比同等尺寸的平面 MOSFET 具有更强的 ESD 鲁棒性、功耗更低，而且通常成本更低，从而降低了系统成本。本应用笔记将讨论低 VCE(sat) BJT 在汽车电源管理电路中的使用。

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器件型号	数量	器件厂商	器件描述	ECAD模型	参考价格	更多信息
DSC1123CI2-150.0000T	1	Microchip Technology Inc	OSC MEMS 150.000MHZ LVDS SMD		$2.84	查看
LTC6906IS6#TRMPBF	1	Analog Devices Inc	Micropower, 10kHz to 1MHz Resistor Set Oscillator in SOT-23	ECAD模型下载ECAD模型	$4.22	查看
PMR205AB6100M047R30	1	KEMET Corporation	RC Network, Isolated, 47ohm, 250V, 0.1uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT		$4.84	查看

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安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。

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