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ASC800N1700HPD三相全桥碳化硅（SiC)1700V模块

2025/07/23 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC800N1700HPD三相全桥碳化硅（SiC)1700V模块

928.79 KB

HPD 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 最高工作结温175℃；

2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

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