ASC300N650MDSK碳化硅 SOT227封装650V300A

01/29 07:14 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC300N650MDSK:650V300A , SOT227 碳化硅（SiC）MOSFET

1. 高功率密度和紧凑设计，高开关速度；

2. 高耐压，低导通电阻，高可靠性；

3. 参数范围： VDS：650V ID：300A RDS(on) ：4mΩ

碳化硅 IDM厂家，专注碳化硅功率器件，分享电力电子信息，碳化硅器件应用技术等行业资料，一起交流学习。

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