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ASR23N1200ME2F碳化硅（SiC）功率模块内加碳化硅二极管

2小时前
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ASR23N1200ME2F碳化硅（SiC）功率模块内加碳化硅二极管

796.57 KB

ASR23N1200ME2F碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4. 参数范围：    VDS：1200V    ID：82A    RDS(on) ：22.5mΩ

碳化硅IDM厂家，专注碳化硅功率器件，分享电力电子信息，碳化硅器件应用技术等行业资料，一起交流学习。

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