ASR1P5N1200HPD-A三相全桥碳化硅模块1200V1000A(HPD）

03/20 08:27 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASR1P5N1200HPD-A三相全桥碳化硅模块1200V1000A(HPD）

1.51 MB

ASR1P5N1200HPD-A

1200 伏、1000 安、1.3 毫欧，六联封装（三相）碳化硅金属 - 氧化物半导体场效应晶体管模块

概述

AST-HPD 系列模块集成了爱仕特第四代 1200 伏 N 沟道碳化硅金属 - 氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET），模块内部集成 NTC 温度传感器。

产品特性

耐高温、高湿及偏置工作环境

超低寄生电感，寄生电感＜10 纳亨

支持高频工作

MOSFET 关断无拖尾电流

常关型器件，具备故障安全工作模式

铜质基板搭配氮化硅绝缘层

产品优势

助力打造紧凑型、轻量化、高效能系统

适配户外恶劣环境安装

有效缓解过压保护压力

降低热设计要求与系统整体成本

符合 HF、RoHS 相关标准

应用领域

新能源汽车牵引逆变器

航空控制器

工业控制器
碳化硅IDM厂家，专注碳化硅功率器件，分享电力电子信息，碳化硅器件应用技术等行业资料，一起交流学习。

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