2025年全球半导体产能布局呈现鲜明的“K型分化”——先进制程领域,台积电、三星、英特尔激战正酣,资本开支与产能扩张毫不手软;成熟制程领域,扩产节奏明显放缓,厂商普遍转向审慎投资与差异化竞争。这一年,全球预计新增18座12英寸晶圆厂,较2024年的42座大幅回落,折射出行业对产能过剩风险的集体警惕。
下面分厂商拆解2025年的产能分配逻辑。
1. 台积电:先进制程狂飙,旧厂整合降本
作为行业绝对龙头,台积电2025年的策略极其清晰:先进制程全力扩张,成熟/老旧产能果断收缩。
在先进制程方面,台积电亚利桑那州第三座2nm晶圆厂破土动工,产能已被苹果、英伟达提前锁定;中国台湾宝山F20工厂2nm产能预计2025年底达5万片/月。同时,台积电放缓High-NA EUV设备采购节奏,转而自研EUV光罩薄膜并推进量产,以降低对ASML依赖、优化先进制程良率。
在成熟/老旧产能方面,台积电明确未来两年内逐步退出6英寸晶圆制造,并对新竹8英寸厂进行整合,部分员工调往南部科学园区。6英寸旧厂改造为CoPoS面板级封装基地,8英寸厂则承担EUV薄膜量产等战略任务。这一“退出低端、聚焦高端”的策略,旨在将资源集中于7nm及以下制程的绝对统治地位——2025年台积电资本开支远超其他厂商之和,3nm/2nm、AI GPU(英伟达Blackwell)及苹果/华为旗舰芯片订单高度集中,市占率高达70.2%。
2. 三星:DRAM减产保价,代工投资腰斩
三星2025年的产能策略呈现“存储收缩、代工谨慎”的双线特征。
DRAM业务:2025年第一季度,SK海力士凭借36%市场份额首次超越三星(33.7%),终结后者长期DRAM霸主地位。三星的应对是“减产保价”——计划从下半年起调整产能分配,略微减少华城15/16号线晶圆投片量,转向利润率而非产量。其背后是HBM3e产品设计改版导致高单价出货骤减,叠加对华出口限制,DRAM业务盈利急剧下滑。
代工业务:三星代工部门计划将2025年设施投资砍半,从2024年的10万亿韩元降至5万亿韩元。投资集中在华城S3工厂(部分3nm产线转2nm)和平泽P2工厂(2025年底安装1.4nm测试线)。这一策略显示三星在先进制程上保持跟进,但对成熟制程扩产极为谨慎。
3. 中芯国际:成熟制程满产,国产替代驱动
中国大陆代工厂在2025年走出独立行情。中芯国际2025年三季度产能利用率达95.8%,产线处于“供不应求”状态,全年营收预计超90亿美元。
其产能分配呈现三个特点:
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产能结构稳定:12英寸与8英寸晶圆收入占比77%和23%,制程复杂产品出货占比提升。
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消费电子需求强劲:三季度消费电子收入环比增长15%,主要受益于国内家电等品类对本土晶圆的需求增加。
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资本开支持平:2025年资本开支与去年大致相当或略增,主要用于成熟制程及特色工艺的产能建设和工艺升级。
中芯国际的强劲表现背后是国内市场扩容及供应链调整的红利。2025年全球新建18座晶圆厂中,中国占3座,集中于成熟制程,与中芯国际、华虹的扩产规划高度契合,预计到2027年中国成熟制程产能占比将升至47%。
4. 其他主要厂商:分化加剧
| 厂商 | 2025年产能策略 | 关键数据 |
|---|---|---|
| 英特尔 | 18A工艺主攻自用,产能扩张谨慎 | 爱尔兰Fab34与Fab10连通扩充Intel4/3产能;18A月产能规划约2万片,2026年目标1-1.5万片,主要供自家产品 |
| SK海力士 | HBM激进扩产,巩固AI市场 | 清州M15X新建产线,计划Q4量产12层HBM4,预计2025年HBM销售额占比超50% |
| 联电/格芯 | 保守投资,提升盈利 | 大幅削减资本开支,聚焦工业/汽车芯片温和复苏需求 |
| 华虹半导体 | 功率器件驱动高景气 | 功率器件(IGBT)、PMIC、CIS需求推动产能维持高位 |
| 晶合集成 | 细分赛道产能爬坡 | 显示驱动IC、CIS等细分市场需求驱动,产能利用率显著提升 |
5. 区域格局与制程分布
根据OECD 2025年11月报告,全球晶圆产能分布呈现鲜明地域特征:
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先进逻辑(<20nm):中国台湾以1.55百万片WSPM(晶圆/月)居首,美国0.84百万片次之,中国大陆0.39百万片。
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成熟逻辑(≥20nm):中国大陆以4.23百万片WSPM领先,中国台湾2.48百万片,日本1.24百万片。
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功率/分立器件:中国大陆6.28百万片WSPM遥遥领先,中国台湾2.42百万片,日本1.60百万片。
这一格局揭示2025年产能分配的核心逻辑:各区域基于自身产业基础与技术积累,在特定制程节点形成专业化分工。
6. 一张表看懂2025年主要晶圆厂产能策略
| 厂商 | 先进制程策略 | 成熟制程策略 | 资本开支 | 核心驱动力 |
|---|---|---|---|---|
| 台积电 | 2nm/3nm激进扩产 | 退出6英寸,整合8英寸 | 远超行业总和 | AI浪潮、苹果/英伟达订单 |
| 三星 | 2nm/1.4nm跟进 | DRAM减产保价 | 代工投资减半 | HBM竞争失利、利润压力 |
| 中芯国际 | 少量跟进 | 成熟制程满产扩张 | 持平略增 | 国产替代、消费电子复苏 |
| 英特尔 | 18A主攻自用 | - | 约180亿美元 | 自家产品需求、代工转型 |
| SK海力士 | HBM4激进扩产 | - | 未披露 | AI服务器HBM需求 |
| 联电/格芯 | - | 谨慎扩产,提升盈利 | 削减 | 工业/汽车温和复苏 |
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