原子层沉积(ALD,Atomic LayerDeposition)工艺,是当前及未来工艺节点相关的收缩及更复杂器件几何形状上沉积薄层材料的关键技术。如今,随着技术节点以惊人的速度持续进步,精确而又高效地生成关键器件特征成为了一项持久的挑战。

 

原子层沉积工艺依靠专业的高性能原子层沉积阀在数百万个脉冲中输送精确的化学品剂量,构建形成材料层。为了达到原子级精密度和高生产良品率,输送这些脉冲式化学品剂量的阀门必须日益精确且一致。世伟洛克一直致力于此,不断刷新ALD阀使用寿命、响应时间、高温高流量应用及一致性性能指标的新高。

 

▲世伟洛克ALD系列阀门发展历程▲

 

世伟洛克即将推出的ALD7超高纯隔膜阀是ALD技术的创新,通过改善流量一致性、提高流通能力、提升执行机构响应速度和更高的温度性能来提高芯片产量。

 

 ALD7,为毫不妥协的精度而打造

 

ALD7提供了在超高循环寿命中,阀门与阀门之间、进料与进料之间及腔室与腔室之间的一致性能。

 

  • 在 ALD 应用中,ALD7 在数百万次的循环过程中提供精确的进料

  • 提升的执行机构技术使得阀门执行比行业标准技术更快,响应时间低至5ms

  • 执行机构可浸入 150°C,而阀体的额定温度为 200°C,可在高温和真空条件下,提供一致的流量

  • ALD7阀体由世伟洛克专有的超高纯 316L VIM-VAR不锈钢构成,具备抵抗腐蚀性气体的能力

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 ALD7,更高的性能,更少的返工

 

与业界标准阀门相比,ALD7提升了流通能力,但占用空间保持不变。其紧凑的设计,使半导体制造商能够在不进行重大工艺改变的情况下,提升原有设备的生产力。

 

  • ALD7 可提供高达 0.7 的流量系数 (Cv) 并实现阀门与阀门之间精确、可重复的进料

  • ALD7 保持了与现有世伟洛克 ALD 阀门相同的 1.5-inch占用空间

  • 该阀门拥有一个集成式热隔离器,缩短了阀门整体尺寸,使系统设计者能够尽可能地利用反应腔室附近的有限空间

 

新款ALD7超高纯(UHP)隔膜阀能提供一致的、提升的性能,即使和我们的老款阀门相比也是如此。采用更高性能的ALD7阀门替换现有设备中的阀门,无需重新设计。ALD7阀门与其他世伟洛克ALD 阀门的占用空间相同,并且紧凑的阀门设计使工艺设计者能够尽可能地利用反应腔室附近的有限空间。

 

 

无论是集成到新设备还是现有设备中,ALD7阀门都为半导体设备OEM提供了一种简单的方式,来提高芯片制造商的生产力,满足全球对芯片日益增长的需求。它为制造商提供了在可变工艺条件下的一致性能,在不增加运营成本的情况下,尽可能地提高产量。