与非网 10 月 22 日讯,SK 海力士公司宣布,其已成功开发出 1Znm 16Gb DDR4 动态随机存储器(DRAM),创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比,其产能提升约 27%,因其无需昂贵的极紫外(EUV)光刻加持,因此更具成本竞争优势。

 

此外,新型 1Z nm DRAM 还支持高达 DDR4-3200 的数据传输速率。与使用 1Y nm 工艺打造、基于 8Gb DRAM 制成的同容量模块相比,其能耗更是降低了 40% 。

 

 

什么是 1Xnm,1Ynm 和 1Znm

在内存工艺进入 20nm 之后,由于制造难度越来越高,内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是希望通过两代或三代 1Xnm 节点去升级 DRAM,由此称为 1Xnm、1Ynm、1Znm。大体上 1Xnm 工艺相当于 16-19nm 级别、1Ynm 相当于 14-16nm,1Znm 工艺相当于 12-14nm 级别。

 

重要的是,第三代产品使用了上一代生产过程中未使用的新材料来增加电容,电容是指存储电荷的数量 / 容量。随着 DRAM 电容的增加,数据的保留时间和一致性也会增加,这是 DRAM 的关键要素。另外,已经引入了新的设计技术以提高稳定性。

 

SK Hynix 表示:第三代 10nm 级 DDR4 是满足行业客户寻求高性能 / 大容量 DRAM 的最佳产品,我们将在今年内做好批量生产的准备,并于 2020 年开始全面供应,并将积极响应市场需求。

 

同时,SK 海力士计划将第三代 10nm 级技术扩展到各种应用,例如下一代移动 LPDDR5 和 HBM3。HBM 是一种高性能产品,使用 TSV 技术作为高带宽存储器,比传统 DRAM 数据处理速度更快。