栅极驱动器

• 荣湃隔离驱动器性能优势与典型应用

  荣湃推出Pai82xxx和Pai658x系列隔离栅极驱动器，具备UVLO保护，驱动能力达4A~8A，隔离耐压3.75kVrms和5kVrms，适用于逆变电源系统中的功率开关管控制。产品采用多种封装形式，支持单通道和双通道配置，并提供灵活的EMI解决方案和米勒钳位保护功能。

  荣湃半导体

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  19小时前

  栅极驱动器 隔离式栅极驱动器

  
• 电力电子IGBT栅极驱动器简介

  栅极驱动器是电力电子系统的关键组件，负责为功率半导体器件提供适当高电流的栅极驱动。随着电力电子器件性能的提高，栅极驱动器的设计和性能变得尤为重要。栅极驱动器电路不仅影响DC-DC转换器的输出，还涉及隔离需求以保障安全性和功能性。

  先进光半导体

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  光耦 栅极驱动器
• 极海发布G32M3101电机控制SoC

  极海正式发布G32M3101系列高性能、高性价比、高集成电机控制SoC，集成“MCU+LDO+栅极驱动器”三合一单芯片方案，进一步降低了系统成本和PCB面积，提升系统效率与可靠性。 该系列新品具有优异的高效运算与处理速度，支持多种模拟与连接功能，配备丰富的外设接口，有效提升电机驱动性能，可广泛应用于低压吊扇、落地扇、空气净化器、低压水泵、筋膜枪等场景。 高集成度设计，提升系统效率与可靠性 G32M

  Geehy极海半导体

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  01/14 08:25

  SoC 电机控制
• 为EliteSiC匹配栅极驱动器，16大知识点一次性讲透

  本文提供了关于为EliteSiC匹配栅极驱动器的专业指导，涵盖了光伏、电动汽车充电、主驱逆变器等多种高功率应用。重点介绍如何通过选择合适的栅极驱动器来减少导通损耗和功率损耗，以最大化SiC器件的效率。文章还讨论了不同开关类型所需的栅极驱动电压，并举例说明了负偏压如何提高关断效率。最后，提供了完整的指南下载链接并鼓励关注作者。

  安森美半导体

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  2025/11/12

  栅极驱动器
• 华普微数字隔离器，如何守护变频冰箱的“安、稳”运作？

  在智能家电领域，随着智能化、低碳化时代到来，以及消费者对“精准控温、节能省电、长期实用”等需求的持续提升，变频冰箱作为能够深度契合低碳环保趋势、精准满足食材保鲜需求，同时融合了动态控温技术、低能耗运行模式与长效耐用设计的智能家电设备，已成为众多家庭中的刚需产品。 而数字隔离器作为一种能在不同电气回路间构建电气隔离屏障的安规器件，不仅能有效阻断电气噪声传播路径，避免干扰源侵入数字电路，保障信号传输纯

  华普微 HOPERF

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  2025/10/31

  数字隔离器 栅极驱动器
• 高压、高频功率转换系统中，为何要使用隔离式栅极驱动器？

  隔离式栅极驱动器是指栅极驱动器与数字隔离器的一体化单芯解决方案，其主要负责隔绝高低压电路间的直接电气联系，同时充当逻辑侧MCU的功率放大器，以产生适当的大电流栅极驱动，让MOSFET、IGBT和SiC MOSFET等功率晶体管得以高速导通或关闭，进而降低系统功耗并增强其对噪声的抗干扰能力。 一种典型增强型双通道隔离式栅极驱动器（CMT8602X）的应用原理图 如上述应用原理图所示，在涉及高频电力变

  华普微 HOPERF

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  2025/09/29

  晶体管 隔离器

  
• 电动车电力系统的 “黄金搭档”：安森美EliteSiC与栅极驱动器如何引领创新？

  在欧盟2035年零排放目标等雄心勃勃的计划推动下，从化石燃料向电动汽车(EV)的转型正在加速。为了吸引消费者，电动汽车必须拥有足够的续航里程，支持快速充电，而且要经济实惠。在这一变革中，碳化硅(SiC)半导体，尤其是MOSFET器件，是大幅提升电力电子性能的关键技术。 SiC MOSFET的优势 在高压应用中，SiC MOSFET性能优于传统硅器件，具体表现为能效更高、开关速度更快、热损耗更低。借

  安森美半导体

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  2025/07/09

  SiC 安森美
• 意法半导体推出新款栅极驱动器，适用于控制无线家电、移动机器人和工业驱动设备的无刷电机

  意法半导体推出新一代集成化栅极驱动器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相无刷电机，提高消费电子和工业设备的性能、能效和经济性。 STDRIVE102H适用于单电阻电流采样电机控制方案，而STDRIVE102BH适用于三电阻电流采样电机控制设计，工作电压范围6V 至 50V，设计人员可以通过两个模拟引脚轻松配置驱动器，用一个简单的电阻分压器设置栅极驱动器的驱动电流，无需使用

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  2025/06/23

  意法半导体 MOSFET

  
• IXD0579M高压侧和低压侧栅极驱动器提供紧凑型即插即用解决方案

  新型栅极驱动器集成电路集成了自举二极管和电阻器，有助于简化无刷电机、电动工具和DC-DC转换器的高速设计 Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出IXD0579M高速栅极驱动器集成电路。IXD0579M简化了电路板设计，节省了空间，并为驱动半桥配置中的N沟道MOSFET或IGBT提供了可靠

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  2025/06/03

  二极管 Littelfuse

  
• 选择栅极驱动器IC时应考虑哪些关键因素？

  电源转换是当今几乎所有电子设计的核心功能。理想情况下，将直流电压（例如9 V）转换为另一个电平（例如24 V）的过程应尽可能高效，损耗应尽可能小。为了应对各种应用的不同电压、电流和功率密度需求，工程师开发了多种电路架构（也就 是拓扑）。对于DC-DC电源转换，可以使用降压、升压、降压-升压、半桥和全桥拓扑结构。此外还得考虑输出是否需要与输入电压进行电气隔离，由此便可将转换方法分为两类，即非隔离式和隔离式。

  亚德诺半导体

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  2025/05/27

  栅极驱动器 驱动器IC

  
• 大联大品佳集团推出基于Infineon产品的48V汽车电子电气架构（EEA）方案

  致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）TC387 MCU、TLE9140栅极驱动IC、2ED4820-EM以及2ED2410-EM栅极驱动器的48V汽车电子电气架构（EEA）方案。 图示1-大联大品佳基于Infineon产品的48V汽车电子电气架构（EEA）方案的展示板图 在乘用车低电压系统演进中，48V系统凭借在降低线束损

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  2025/05/13

  英飞凌 存储器

  
• 适用于高频功率应用的 IXD2012NTR 高压侧和低压侧栅极驱动器

  Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣部推出高压侧和低压侧栅极驱动器IXD2012NTR，设计用于驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET或IGBT。该IXD2012NTR针对高频电源应用进行了优化，具有卓越的开关性能和更高的设计灵活性。 IXD2012NTR可在10V~20V的宽电压范围内工

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  2025/05/13

  驱动器 CMOS

  
• 意法半导体车规栅极驱动器提升电动汽车电驱系统的可扩展性和性能

  意法半导体的SiC MOSFET和IGBT电隔离车规栅极驱动器STGAP4S可以灵活地控制不同额定功率的逆变器，集成可设置的安全保护和丰富的诊断功能，确保电驱系统通过ISO 26262 ASIL D认证。STGAP4S驱动器集成模数转换器 (ADC) 和反激式电源控制器，功能丰富，取得了功能安全标准认证，适用于设计可扩展的电动汽车电驱系统。 STGAP4S的设计灵活性归功于输出电路，该电路允许将高

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  2025/05/12

  意法半导体 IGBT

  
• 新品 | EiceDRIVER™ 650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列

  英飞凌的新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比，提供了一种更稳健、更具性价比的解决方案。1ED21x7x是高电压、大电流和高速栅极驱动器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT开关，设计采用英飞凌的绝缘体上硅（SOI）技术。

  英飞凌

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  2025/03/19

  栅极驱动器

  
• 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装， 在提升效率的同时简化设计

  目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列，这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。该产品系列目前扩展到TO-247-2

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  2025/03/17

  封装 肖特基二极管

  
• 浮地非隔离半桥栅极驱动器

  作者：Srikesh Pulluri，产品应用工程师 摘要 半桥拓扑结构广泛用于各种商业和工业应用的电源转换器件中。这种开关模式配置的核心是栅极驱动器IC，其主要功能是使用脉宽调制信号向高端和低端MOSFET功率开关提供干净的电平转换信号。 本文重点介绍了工程师在为应用选择栅极驱动器IC时应考虑的关键因素。除了基本的电压和电流额定值之外，本文还说明了高共模瞬变抗扰度的重要性和可调死区时间的必要性。

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  2025/03/13

  MOSFET 栅极驱动器

  
• 非常见问题解答第225期：原来为硅MOSFET设计的DC-DC控制器能否用来驱动GaNFET？

  作者：Kevin Thai，应用经理 问题 没有专门用于驱动GaNFET的控制器时，如何使用GaNFET设计四开关降压-升压DC-DC转换器？ 回答 众所周知，GaNFET比较难驱动，如果使用原本用于驱动硅(Si) MOSFET的驱动器，可能需要额外增加保护元件。适当选择正确的驱动电压和一些小型保护电路，可以为四开关降压-升压控制器提供安全、一体化、高频率GaN驱动。 简介 在不断追求减小电路板尺

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  2025/01/06

  控制器 MOSFET

  
• 意法半导体推出的250W MasterGaN参考设计可加速实现紧凑、高效的工业电源

  为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓(GaN)电源(PSU)的设计，意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。 意法半导体的MasterGaN-SiP在一个封装内整合了GaN功率晶体管与开关速度和控制准确度优化的栅极驱动器。使用高集成度的系统级封装SiP代替采用多个分立元件的等效解决方案，有助于最大限度地提高电源的性能和可靠性，同时

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  2024/12/20

  氮化镓 栅极驱动器

  
• 使用热插拔控制器增强系统可靠性

  作者：Karl Audison Cabas，产品应用开发工程师 Ralph Clarenz Matocinos，产品应用开发助理工程师 Christian Cruz，产品应用高级工程师 摘要 本文探讨了在系统级应用中实施热插拔控制器的优势和好处。热插拔控制器提供了一种先进的解决方案，可无缝插入和拔出电子设备，确保持续运行、防止过流并进行实时监测。通过提供参考设计，用户可以更好地了解关键功能，从而增

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  1950

  2024/12/13

  控制器 MOSFET

  
• 英飞凌推出符合ASIL-D标准的新型汽车制动系统和电动助力转向系统三相栅极驱动器 IC

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于12 V无刷直流（BLDC）电机安全关键型应用的新型MOTIX™ TLE9189栅极驱动器 IC。通过这款三相栅极驱动器IC，英飞凌将满足线控解决方案对电机控制IC日益增长的需求。该驱动器IC符合AEC Q100 0级和ISO 26262（ASIL D）标准，非常适用于线控制动和线控转向系统，这些系统在未来将取消

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  1045

  2024/11/26

  英飞凌 栅极驱动器

  

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