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GD3160,用于SiC MOSFET和IGBT的高级栅极驱动器
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什么是隔离式栅极驱动器?
在电子设备领域,“驱动”一词占据着至关重要的地位,充当推动信号、控制和电源的力量。这个复杂世界中的一个重要组件是隔离式栅极驱动器,这项技术在确保各种电子系统高效、安全运行方面发挥着关键作用。
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Microchip推出3.3 kV XIFM 即插即用mSiC™ 栅极驱动器
这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动器可与基于SiC的高压电源模块搭配使用,从而简化并加快系统集成 万物电气化推动了碳化硅 (SiC)技术在交通、电网和重型汽车等中高压应用领域的广泛采用。为了帮助开发人员部署SiC解决方案并快速推进开发流程,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日推出采用Augmented Switching™ 专利技术的3.
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浮思特| 如何为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动器
额外的电路通常比专用 SiC 占用更多的空间。因此,高端设计通常选择专用的 SiC 核心驱动器,这会考虑到更快的开关、过压条件以及噪声和 EMI 等问题。他说:“你总是可以使用标准栅极驱动器,但你必须用额外的电路来补充它,通常这就是权衡。”
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Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能
全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)宣布与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.(Allegro)(Nasdaq: ALGM)开展合作,使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器,针对大功率应用扩展氮化镓电源系统设计。
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ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。
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