混合键合

集成芯片间的竞争日益激烈，英特尔、台积电和三星代工都在提供全3D IC的基础组件，以实现性能提升和功耗降低。据Future Market Insights预测，3D IC和2.5D IC封装市场将以9.0%的年复合增长率增长，至2035年市场规模将达到1380亿美元。中国以12.2%的增速领先全球市场。 芯片集成技术，尤其是芯粒（Chiplet）为核心的异构集成，成为推动行业发展的关键方向。通过先进封装技术，芯粒可以在单一封装内实现高效集成，优化成本与性能。EDA工具和方法、数字孪生、多物理场仿真等技术革新，以及先进设备的支持，对于实现3D集成至关重要。 混合键合设备是实现高性能计算的关键设备，荷兰的BESI公司和韩国的韩美半导体等企业在该领域取得显著进展。国内厂商如拓荆科技和迈为股份也开始布局混合键合设备。 存算一体技术解决了传统计算架构中的“冯·诺依曼瓶颈”，通过3D封装工艺实现高带宽内存与逻辑计算芯片的垂直堆叠，降低数据搬运的能耗与延迟。国际和国内半导体厂商都在积极布局存算一体技术，推出商业化产品。

混合键合技术因其在高密度互联和小型封装尺寸方面的显著优势，正迅速成为先进封装领域的热门话题。尤其是在HBM（High Bandwidth Memory）应用中，混合键合技术有望在未来取代传统的热压键合（TCB）技术，成为主流解决方案。多家半导体巨头，如三星、SK海力士和美光，已经开始投资和采用混合键合技术，以应对不断加速的内存更新换代需求。与此同时，设备制造商如BESI和ASMPT也在积极推动混合键合设备的研发和生产，预示着这一技术将在未来的半导体行业中扮演重要角色。

1975年某天的中国香港午后，维多利亚港阴云密布，站在岸边的27岁年轻人林师庞眉头紧锁。

7月22日，韩国半导体产业协会在京畿道城南市召开"商用半导体技术创新论坛"。三星电子DS事业部半导体研究院未来技术组执行副总裁金大宇在演讲中指出："当HBM堆叠层数突破16层时，传统热压键合（TC）技术将面临瓶颈"，并透露"公司计划自16层HBM产品起采用混合键合方案"。

三星电子正引领高带宽存储器（HBM）技术向更高层数和更先进互连方案演进，计划逐步引入混合键合（Hybrid Bonding）技术，以克服当前制造工艺的物理极限。