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混合键合

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混合键合（Hybrid Bonding）结合了电介质-电介质键合和金属-金属键合，无需使用焊料或其它粘合剂即可实现晶圆与晶圆、芯片与晶圆或芯片与芯片的互连。

混合键合（Hybrid Bonding）结合了电介质-电介质键合和金属-金属键合，无需使用焊料或其它粘合剂即可实现晶圆与晶圆、芯片与晶圆或芯片与芯片的互连。收起

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  • 近2亿资本加持，秋水半导体Micro-LED量产，8英寸混合键合产线年内通线
    2026年初，秋水半导体完成近2亿融资，计划在宁波高新区建设8英寸混合键合量产线，目标月产千片8英寸晶圆，年产千万颗Micro-LED芯片。该公司通过创新芯片架构解决了红光效率低下的问题，并采用混合键合垂直堆栈架构，实现了高效量产。此项目标志着中国企业在Micro-LED量产上的重大进展。
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    06/02 20:47
    microLED 混合键合
  • 整线方案破局先进封装：迈为科技如何用“晶圆重构+混合键合”卡位后摩尔时代
    先进封装正在成为后摩尔时代半导体产业变革的核心引擎。随着AI算力、智能驾驶、高性能计算等应用对芯片集成度的要求不断攀升，传统的有机基板和硅中介层在成本、性能、翘曲控制等方面逐渐逼近物理极限。玻璃基板、混合键合、晶圆重构、芯粒异质集成等新技术路线加速从实验室走向产线。与此同时，本土封装设备厂商也在这一轮技术迭代中快速崛起——从过去的单点设备仿制，到如今提供整线解决方案、掌握核心零部件、与客户协同工艺
    1722
    06/02 13:34
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    整线方案破局先进封装：迈为科技如何用“晶圆重构+混合键合”卡位后摩尔时代
  • 先进封装核心量产技术 — 混合键合、玻璃基板、CPO
    先进封装已成为推动AI算力芯片性能迭代的主要驱动力，预计到2026年将是混合键合、玻璃基板和CPO共封装光学三大技术全面量产落地的关键时期。这些技术涵盖了高密度芯片互连、封装材料革新和数据中心光电互连等方面，具有显著的技术优势和广阔的市场前景。
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    04/24 15:57
    先进封装 玻璃基板
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  • 国内封装关键技术TSV和混合键合产业进展
    本文探讨了TSV（硅通孔）与混合键合（Hybrid Bonding）在3D异构集成中的作用及其在国内封装产业的应用现状。TSV技术由长电科技、通富微电、华天科技等企业掌握，已实现量产应用。混合键合技术由长江存储、物元半导体等企业推动，其中长江存储的Xtacking架构在全球存储领域率先应用混合键合技术。国内多家设备制造商也在混合键合设备领域取得突破，促进了国产替代进程。总体来看，中国在TSV和混合键合技术上已具备国际竞争力，有望在未来AI算力爆发中占据核心战略位置。
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    04/02 09:46
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  • CMP是混合键合的关键工艺 面临哪些挑战和解决方案解读（文后附全文报告）
    该报告详细介绍了混合晶圆键合（HWB）中的化学机械抛光（CMP）技术面临的两大核心挑战及其解决方案，并探讨了晶圆背减工艺和TSV集成工艺中的CMP挑战与选型策略。
    1274
    03/31 10:23
    CMP 混合键合
  • 混合键合进展到哪一步了？为什么说是后摩尔时代未来十年的必选技术路线
    混合键合（HB）作为后摩尔时代的关键技术，在高密度3D异构集成中不可或缺。尽管取得了进展，但仍面临缺陷、翘曲、量测、热、成本和设计标准化等挑战。预计未来十年，HBM、3D DRAM和3D NAND将成为主要应用领域，并推动材料、工艺、设备和设计的协同创新。目前，聚合物低温杂化键合、全流程缺陷管控、纳米级量测对准和设计IP标准化是最具量产潜力的技术组合，有望加速HBM和3D存储的大规模商业化。
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    03/27 14:39
    混合键合
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  • 半导体设备的下一个金矿，藏在封装厂里
    先进封装已成为半导体行业的焦点，摩尔定律的局限促使行业探索新途径。芯片微缩面临物理极限和成本压力，迫使行业转向异构集成和系统重构。当前主流的先进封装技术包括2.5D/3D封装、Chiplet封装、扇出型封装和SiP系统级封装，各有侧重。光刻技术和混合键合设备是先进封装的关键支柱，尤其是在3.5D封装领域，各大半导体巨头纷纷投入资源，推动技术创新。未来，设备的技术迭代和与芯片设计的协同优化将是决定先进封装产业竞争力的核心因素。
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    03/23 09:41
    先进封装 混合键合
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  • 重塑3D半导体架构的战略引擎：混合键合技术路线和产业竞争解析报告
    混合键合技术通过原子级融合实现3D IC封装的革新，提升了互连密度和能效，成为AI与HPC领域的重要解决方案。该技术依赖超高精度CMP工艺和低温退火，克服了传统微凸点技术的局限。尽管面临材料和工艺挑战，如纳米孪晶铜和表面保护层的应用，混合键合在HBM4后的超高堆叠架构中展现出巨大潜力。全球领先代工厂如台积电、英特尔和三星都在积极布局混合键合技术，以应对未来的集成需求。
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    03/16 15:02
    混合键合 3D IC
    重塑3D半导体架构的战略引擎：混合键合技术路线和产业竞争解析报告
  • 混合键合取代微凸块：异构集成引爆3D封装互连技术革命
    异构集成推动封装缩放进入新阶段，从传统的集成与聚合转向集成与去聚合的新范式。封装缩放聚焦于互连结构的微缩化，包括缩减和扩展两个维度。互连技术沿微凸块到混合键合路径演进，从传统焊料凸块到无焊料热压键合再到混合键合，键合节距不断缩小。玻璃基板技术满足高密度互连需求，因其优异的物理和电气性能。D2W键合工艺应对良率和对准精度挑战，通过创新技术和优化工艺提高键合质量。混合键合制造面临材料与工艺复杂性，需要解决铜表面清洁度、晶粒结构和平坦度等问题。3D系统架构从2.5D向全3D集成演进，通过硅通孔技术实现垂直互连，催生了Wafer-on-Wafer和Chip-on-Wafer等多层混合集成架构。
    4173
    01/16 16:02
    3D封装 异构集成
    混合键合取代微凸块：异构集成引爆3D封装互连技术革命
  • 混合键合（Hybrid Bonding）
    混合键合技术通过金属与介电材料的同时键合，实现了芯片间的高密度、低延迟连接，显著提升通信带宽与速度，降低寄生效应，适用于3D和2.5D封装，成为下一代关键互连技术，推动异构集成和高性能计算的发展。
    3411
    2025/12/22
    混合键合 芯片互连
    混合键合（Hybrid Bonding）
  • 下一个半导体周期，这些领域是关键
    集成芯片间的竞争日益激烈，英特尔、台积电和三星代工都在提供全3D IC的基础组件，以实现性能提升和功耗降低。据Future Market Insights预测，3D IC和2.5D IC封装市场将以9.0%的年复合增长率增长，至2035年市场规模将达到1380亿美元。中国以12.2%的增速领先全球市场。 芯片集成技术，尤其是芯粒（Chiplet）为核心的异构集成，成为推动行业发展的关键方向。通过先进封装技术，芯粒可以在单一封装内实现高效集成，优化成本与性能。EDA工具和方法、数字孪生、多物理场仿真等技术革新，以及先进设备的支持，对于实现3D集成至关重要。 混合键合设备是实现高性能计算的关键设备，荷兰的BESI公司和韩国的韩美半导体等企业在该领域取得显著进展。国内厂商如拓荆科技和迈为股份也开始布局混合键合设备。 存算一体技术解决了传统计算架构中的“冯·诺依曼瓶颈”，通过3D封装工艺实现高带宽内存与逻辑计算芯片的垂直堆叠，降低数据搬运的能耗与延迟。国际和国内半导体厂商都在积极布局存算一体技术，推出商业化产品。
    2081
    2025/10/20
    eda 存算一体
    下一个半导体周期，这些领域是关键
  • 混合键合，大热
    混合键合技术因其在高密度互联和小型封装尺寸方面的显著优势，正迅速成为先进封装领域的热门话题。尤其是在HBM（High Bandwidth Memory）应用中，混合键合技术有望在未来取代传统的热压键合（TCB）技术，成为主流解决方案。多家半导体巨头，如三星、SK海力士和美光，已经开始投资和采用混合键合技术，以应对不断加速的内存更新换代需求。与此同时，设备制造商如BESI和ASMPT也在积极推动混合键合设备的研发和生产，预示着这一技术将在未来的半导体行业中扮演重要角色。
    2303
    2025/09/09
    先进封装 混合键合
    混合键合，大热
  • 从中国香港走出的芯片设备巨头
    1975年某天的中国香港午后，维多利亚港阴云密布，站在岸边的27岁年轻人林师庞眉头紧锁。
    808
    2025/07/30
    半导体设备 混合键合
    从中国香港走出的芯片设备巨头
  • 韩国HBM龙头宣布HBM5 全面拥抱混合键合 这是为何？
    7月22日，韩国半导体产业协会在京畿道城南市召开"商用半导体技术创新论坛"。三星电子DS事业部半导体研究院未来技术组执行副总裁金大宇在演讲中指出："当HBM堆叠层数突破16层时，传统热压键合（TC）技术将面临瓶颈"，并透露"公司计划自16层HBM产品起采用混合键合方案"。
    855
    2025/07/24
    三星电子 混合键合
    韩国HBM龙头宣布HBM5 全面拥抱混合键合 这是为何？
  • 存储大厂押注混合键合！
    三星电子正引领高带宽存储器（HBM）技术向更高层数和更先进互连方案演进，计划逐步引入混合键合（Hybrid Bonding）技术，以克服当前制造工艺的物理极限。
    1207
    2025/07/24
    HBM 混合键合
    存储大厂押注混合键合！
  • 【先进封装】关键工艺技术对比：无助焊剂TCB vs.混合键合
    在半导体封装技术持续迭代的背景下，新型键合工艺正成为突破芯片集成瓶颈的关键。作为当前的研究热点，无助焊剂热压键合（Fluxless TCB）技术凭借其独特的工艺优势，在AI加速器、高带宽存储器（HBM）及光电集成等领域展现出重要的价值。无助焊剂TCB创新性地采用等离子体处理与可控还原气氛相结合的方式，在无需助焊剂的条件下实现了高洁净度的金属键合
    8827
    2025/07/23
    先进封装 混合键合
    【先进封装】关键工艺技术对比：无助焊剂TCB vs.混合键合
  • 混合键合（Hybrid Bonding）工艺介绍
    所谓混合键合（hybrid bonding），指的是将两片以上不相同的Wafer或Die通过金属互连的混合键合工艺，来实现三维集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump)或微凸点（Micro bump）来实现芯片与基板
    4887
    2025/07/16
    混合键合 先进封装技术
  • 混合键合，下一个焦点
    作者；丰宁 "混合键合" 之战，似乎已箭在弦上。 不管是在晶圆代工龙头、存储芯片巨头还是半导体设备龙头的发展路线图中，几乎都能看到 "混合键合（Hybrid Bonding）" 这一关键词。 那么，为何这项技术能让台积电、三星等巨头集体押注？它又凭什么征服先进封装的下一个十年？ 01 混合键合，下一个十年 随着摩尔定律逐渐进入其发展轨迹的后半段，芯片产业越来越依赖先进的封装技术来推动性能的飞跃。这
    1411
    2025/07/01
    HBM 混合键合
    混合键合，下一个焦点
  • 什么是混合键合？
    混合键合（Hybrid Bonding）结合了电介质-电介质键合和金属-金属键合，无需使用焊料或其它粘合剂即可实现晶圆与晶圆、芯片与晶圆或芯片与芯片的互连。它不像传统热压键合（如TCB）那样依赖焊料，也不同于直接分子键合不带金属。
    2977
    2025/05/26
    混合键合 键合工艺
    什么是混合键合？
  • 青禾晶元发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备
    中国半导体键合集成技术领域的领先企业青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司（简称“青禾晶元”）宣布，正式推出全球首台C2W&W2W双模式混合键合设备SAB8210CWW。作为先进半导体键合集成技术与解决方案的提供商，青禾晶元此次发布标志着公司在技术创新领域的又一重要突破。 青禾晶元新推出的混合键合设备SAB8210CWW具备多尺寸晶圆兼容、超强芯片处理能力、兼容不同的对准方式等优势，可以帮
    957
    2025/03/12
    芯片 半导体产业
    青禾晶元发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备

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