纳米压印技术

日本大日本印刷株式会社（DNP）宣布成功开发出线宽仅为10纳米的纳米压印（NIL）模板，对应逻辑芯片制造的1.4纳米制程级别电路图形化能力，预计在2025年SEMICON Japan上亮相。此技术有望成为半导体制造界的潜在替代方案，降低设备复杂性和能耗，提高图形分辨能力和良率稳定性。尽管面临挑战，纳米压印技术标志着全球半导体产业竞争格局的变化，预示着更低成本、更低能耗的芯片制造路径成为可能。

第十四届中国国际纳米技术产业博览会（简称“纳博会”）在万众瞩目中圆满落下了帷幕。这场全球纳米科技领域盛会，以1场主报告、13场分论坛、1场创新创业大赛，1场新产品发布会为主，汇聚了全球纳米科技领域的18位院士，450多位高校研究院所、上市公司、知名企业机构的顶级专家代表出席，分享专业报告476场，较往届增加132场，同比增长约33%，吸引9663位嘉宾参会听会。

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佳能半导体机器业务部长岩本和德表示，佳能采用纳米压印技术的光刻机有望生产2nm芯片，且成本可以降至传统光刻设备的一半。在岩本和德发声的4天以前，荷兰半导体设备制造商ASML宣布，已向英特尔交付了全球首台High NA（高数值孔径）EUV（极紫外）光刻系统，支持2nm制程及以下工艺的芯片制造。

日本佳能公司10月13日宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行电路图案转移。佳能据介绍，佳能的纳米压印光刻（Nano-Imprint Lithography，NIL）技术可实现最小线宽14nm的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5nm节点。此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。NanoimprintLithography(NIL)，是一种新型的微纳加工技术。该技术将设计并制作在模板上的微小图形，通过压印等技术转移到涂有高分子材料的硅基板上。纳米压印的分辨率由所用印模板图形的大小决定，物理上没有光刻中的衍射限制，纳米压印技术可以实现纳米级线宽的图形。