纳米压印技术

佳能半导体机器业务部长岩本和德表示，佳能采用纳米压印技术的光刻机有望生产2nm芯片，且成本可以降至传统光刻设备的一半。在岩本和德发声的4天以前，荷兰半导体设备制造商ASML宣布，已向英特尔交付了全球首台High NA（高数值孔径）EUV（极紫外）光刻系统，支持2nm制程及以下工艺的芯片制造。

日本佳能公司10月13日宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行电路图案转移。佳能据介绍，佳能的纳米压印光刻（Nano-Imprint Lithography，NIL）技术可实现最小线宽14nm的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5nm节点。此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。NanoimprintLithography(NIL)，是一种新型的微纳加工技术。该技术将设计并制作在模板上的微小图形，通过压印等技术转移到涂有高分子材料的硅基板上。纳米压印的分辨率由所用印模板图形的大小决定，物理上没有光刻中的衍射限制，纳米压印技术可以实现纳米级线宽的图形。

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2021年全球集成电路、面板、LED用光刻机出货约650台，较2020年增加70台。其中集成电路制造用光刻机出货约500台；面板、LED用光刻机出货约150台。