氮化镓功率放大器核心技术综述:发展与未来展望
氮化镓(GaN)功率放大器技术在过去几年取得了显著进步,尤其是在支持5G/6G和毫米波雷达等高端应用方面。本文综述了氮化镓集成电路功率放大器的发展现状与未来展望,涵盖了氮化镓晶体管的进展、高性能功率放大器架构、线性化技术和回退效率提升等方面的内容。 首先,氮化镓晶体管因其出色的输出功率密度和高工作电压能力而备受关注。最新的工艺已经实现了栅长20纳米、截止频率450吉赫兹、工作电压超过600伏的晶体管。此外,氮化镓功率放大器架构也在不断发展,包括电抗匹配功率放大器、非均匀分布式放大器等,以适应不同应用场景的需求。 其次,为了提高功率放大器的线性度和回退效率,研究人员开发了多种线性化技术,如多尔蒂功率放大器和可重构功率放大器。这些技术可以有效降低非线性失真,提高功率放大器的整体性能。 最后,本文还展望了氮化镓晶体管和电路架构的潜在改进方向,包括缩小晶体管栅长以实现更高频率工作、提高击穿电压以提升功率密度、解决氮化镓工艺的集成能力和电路设计难题等。 总的来说,氮化镓功率放大器技术正处于快速发展阶段,有望在未来进一步推动无线通信和其他高功率应用的进步。