EUV光刻机_EUV光刻机是什么意思

重大突破！ASML 27亿天价光刻机曝光

ASML宣布下一代High-NA EUV光刻机具备量产成熟度，售价4亿美元，预计2027-2028年大规模使用。该设备大幅提升了芯片制造精度，有助于AI芯片发展，但实际导入量产还需2-3年。随着旧时代的EUV逼近物理极限，High-NA EUV成为先进制程的关键工具，推动芯片制造向更精细方向发展。

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207

13小时前

EUV光刻机

EUV光刻机，迎来重大突破！

ASML宣布在EUV光刻机光源功率上取得突破，有望大幅提升芯片制造产能，预计到2030年每小时晶圆处理能力提升约50%，助力全球芯片供应链应对市场需求激增。此技术进展巩固了ASML在EUV领域的领先地位，对未来芯片制造效率提升具有重要意义。

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02/27 13:20

EUV光刻机

28亿一台，全球首台High-NA EUV光刻机来袭，精度突破0.7nm

英特尔宣布全球首台商用 High-NA EUV 光刻机安装并通过验收，售价高达 28 亿元人民币。这款光刻机将大幅提高芯片制造的分辨率和套刻精度，有望推动英特尔在先进制程上的突破。尽管面临高昂的成本和技术挑战，英特尔认为这是对未来十年技术发展的关键投资。

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2025/12/22

EUV光刻机 High-NA

EUV光刻机的发光原理

EUV光刻采用激光等离子体光源（LPP），通过高速喷射液态锡并用高功率激光将其加热至高温等离子体状态，从而发射出具有极高能量的13.5nm极紫外光。由于该波长的光子能量极高，可以电离几乎所有元素的原子外层电子，因此不能用传统透镜或气体激光方式产生。EUV光刻机的核心光源机制称为激光等离子体光源（LPP），其基本过程包括生成锡微滴、高功率激光轰击锡微滴使其成为高温等离子体，并最终发射出特定能量的13.5nm极紫外光。EUV光无法透过任何物质，所以在真空中运行并通过多层反射镜进行收集和成像。

TOM聊芯片智造

1939

2025/11/18

EUV光刻机 EUV光刻

汤之上隆：台积电的竞争力，来自超150种EUV设备

台积电2025年第三季度销售额和营业利润创新高，分别达到331亿美元和167.5亿美元，营业利润率回升至50%以上。台积电的销售额主要来源于3nm和5nm制程节点，尤其是5nm和3nm节点的销售额增长显著。相比之下，7nm及以下制程节点的销售额和晶圆投入量呈下降趋势。台积电的核心业务从智能手机转向人工智能半导体，高性能计算业务迅速崛起，预计到2025年将成为最大收入来源。台积电凭借强大的EUV光刻技术优势，保持领先地位，其设备数量远超竞争对手。

半导体产业纵横

1898

2025/11/12

半导体设备 EUV

EUV光刻机

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