GaN技术_GaN技术资讯

智能GaN降压控制器设计——第2部分：配置和优化

作者：James R. Staley，高级产品应用工程经理摘要为了提供正确的死区时间延迟，传统上是在控制器中内置固定的预设延迟，或通过外部元件进行一定程度的调整。这种调整需要充分考虑特定FET器件的特性，防止因过驱而造成损坏。这一调整过程可能非常耗时，而且难以准确衡量。为了优化导通和关断摆率与延迟，必须高度重视测量技术。精确的测量能够确保系统在实现最大功率输出的同时，将损耗降至最低，并有效避免

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01/22 11:04

控制器 ADI

现代汽车投资GaN，金额超1.8亿

全球电动汽车行业关注车规级GaN技术，多家车企加大投资。现代汽车与起亚通过HKMC参与VisIC Technologies的B轮融资，融资金额达2600万美元，主要用于第三代和第四代GaN技术的研发、供应链稳定及新应用拓展。现代汽车表示此举有助于提高电动汽车的效率和性能。此外，现代汽车还与英国GaN公司CGD达成合作，CGD的单芯片ICeGaN解决方案获得现代汽车的认可，有望应用于电动车牵引逆变器。

行家说三代半

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2025/12/16

GaN GaN技术

在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项

作者：Frederik Dostal，电源管理专家摘要本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。简介宽禁带技术在开关模式电源中越来越受欢迎。如果电路设计人员有兴趣在未来设计中使用这项相对较新的技

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2025/12/15

宽禁带半导体 GaN技术

新增5起GaN合作，涉及长安汽车/台积电等

随着车规、消费电子等领域对GaN需求增加，产业链各方积极合作，推动GaN技术在多个领域的应用。平创半导体与长安汽车合作攻克车规级GaN功率芯片技术；红与蓝微电子与联颖光电加强GaN器件技术交流；格罗方德与台积电达成GaN技术授权；罗姆半导体与微星合作推广GaN适配器；英飞凌与海信携手推出GaN电视适配器。这些合作展示了GaN技术在不同应用场景中的潜力。

行家说三代半

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2025/11/13

GaN GaN技术

基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计

作者：安森美在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gal

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2025/08/22

安森美电源转换

前线芯思路 | 基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计

随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gallium Nitride, GaN）无疑是最具代表性的技术之一。本文为第一篇，将介绍GaN技术优势、安森美iGaN概述、VDD, LDO旁路电容等。

安森美半导体

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2025/08/12

GaN LDO

慕尼黑法院判决英飞凌控告英诺赛科专利侵权案胜诉

德国慕尼黑地方法院（Landgericht München I）近日就英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）控告英诺赛科（Innoscience）关于氮化镓（GaN）技术专利侵权的一审判决中，判定英飞凌胜诉。该案的核心是英诺赛科未经授权使用了英飞凌受专利保护的氮化镓（GaN，以下同）技术。氮化镓技术在实现高性能及高能效的电源系统中发挥着关键作用，应用范围广泛涵盖可

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2025/08/04

英飞凌工业自动化

长城为何联手英诺赛科？解密背后的GaN技术创新

4月9日，英诺赛科宣布，长城电源面向AI数据中心的钛金级电源中，采用了其先进的氮化镓（InnoGaN）技术。这一创新之举，使得电源的转换效率突破96%大关，轻松超越全球最高80PLUS钛金级能效标准，为行业树立了新的技术标杆。

行家说三代半

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2025/05/08

英诺赛科 GaN技术

金刚石基GaN技术解决热管理散热难题

DT半导体获悉，在当今科技飞速发展的时代，电子器件的性能提升备受关注，而散热问题始终是制约其发展的关键因素之一。氮化镓（GaN）作为高频、高功率微波功率器件的理想材料，在众多领域有着广泛应用。然而，随着GaN HEMT（高迁移率晶体管）器件功率密度及频率的不断提高，散热问题日益凸显，已成为性能进一步提升的瓶颈。

DT半导体

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2025/03/25

金刚石 GaN技术

GaN进军医疗市场，仅CT设备规模就超300亿元

回顾前几期《行家瞭望》，英飞凌和EPC等行业巨头纷纷押注GaN技术，认为其正处于被更多行业采用的临界点。近期，“行家说三代半”也发现了GaN在医疗领域的广泛应用前景，以下是一些具体的应用案例：

行家说三代半

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2025/02/07

GaN 医疗设备

德州仪器扩大氮化镓（GaN）半导体自有制造规模，产能提升至原来的四倍

德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，加上德州仪器现有 GaN 制造产能，德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。德州仪器技术和制造集团高级副总裁 Mohammad Yunus 表示：“基于在 GaN 芯片设计和制造领域数十年的专业知识，我们已成功验证了德州仪器 8 英寸

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2024/10/28

服务器德州仪器

Qorvo® 率先推出面向 DOCSIS 4.0 的 24V 功率倍增器

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）宣布，率先推出面向 DOCSIS 4.0 宽带和有线电视（CATV）的 24V 功率倍增放大器——QPA3390。该款全新 1.8GHz 表面贴装模块带来卓越的效率和性能，且尺寸比传统混合解决方案缩小 30-40%，非常适合空间受限的应用场景。得益于先进的 GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 技术，此次发布的 QP

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2024/09/19

Qorvo 放大器

这家GaN公司正式被收购，买方竟是它！

近年来，GaN（氮化镓）技术得益于高频率、高功率、耐高温、低功耗等特性，迅速渗透消费电子市场，并进一步向更高功率的应用市场探索。然而，在消费电子市场的发展空间不断缩小之际，GaN在高压高功率市场的发展不如预期，在此背景下，多家厂商因经营不佳，相继选择调整业务，或并入实力雄厚的功率半导体大厂，或直接退出市场。

化合物半导体市场

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2024/05/09

氮化镓 GaN技术

又一款GaN充电桩，供应商是它？

近日，英飞凌联手日本欧姆龙推出了一款集成GaN技术的V2X 充电桩。据“行家说三代半”了解，国内外还有4家企业也将GaN技术应用在新能源汽车充电桩，详细情况请往下看。

行家说三代半

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2024/01/18

充电桩 GaN技术

6500V+1200V！国内氮化镓技术再破瓶颈

近日，国内2家机构先后在超高压 GaN技术领域上取得重要成果：● 北京大学：新研发4500V GaN，可实现低动态电阻，实现大于6500V 耐压；● 能华半导体：开发超薄缓冲层外延技术，发布1200V增强型GaN单片集成平台；

行家说三代半

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2024/01/09

GaN 氮化镓

Allegro：集成化趋势下Power-Thru系列隔离栅极驱动器

全球清洁能源市场要求汽车和工业领域的功率系统设计师更高效地生产、储存和使用能源，而宽带隙碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）能够在系统级提供明显的效率优势，但往往伴随着一些巨大的集成挑战。 Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）是全球领先的磁传感器和功率IC解决方案厂商，总部位于美国新罕布什尔州的曼彻斯特。Allegro MicroSystems全球