HBM3E

• 为提升获利，DRAM三巨头“分道扬镳”

  三星电子计划减产HBM3E以扩大通用DRAM供给，SK海力士侧重扩大数据中心DRAM产能，美光则退出Crucial消费类存储业务，转投数据中心/企业级需求。

  芯智讯

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  12/09 09:31

  dram HBM3E

  
• 三星通用内存扩产，砍HBM3E产能

  三星电子正考虑大幅削减其10纳米制程的第四代（1a）DRAM芯片HBM3E的产能。鉴于公司明年将“利润最大化”作为全公司目标，三星计划将生产重心转向通用DRAM，因为通用DRAM的利润率高于HBM3E。虽然1a DRAM已经过重新设计，但三星认为其利用率仍然较低，因此决定减产。

  芯片说 IC TIME

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  12/03 09:35

  HBM3E

  
• DRAM供应吃紧推高DDR5合约价，2026年获利有望超越HBM3e

  2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出，供应商先前收到CSP加单需求后，调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估，涨幅从先前的8-13%，上修至18-23%，并且很有可能再度上修。 展望2026

  与非网编辑

  571

  10/30 07:08

  dram HBM

  
• 三星又向博通供应HBM3E

  继AMD之后，三星电子正向博通供应第五代高带宽存储器(HBM)。今年第一季度，三星电子在向NVIDIA供应HBM方面，将全球DRAM销量冠军宝座拱手让给了SK海力士，但凭借一系列大型科技订单，三星电子已为复苏奠定了基础。如果三星电子能够顺利获得NVIDIA的认证（批准），而这是其今年下半年面临的最大挑战，预计存储器“超缺口”的收复也将加速。

  芯片说 IC TIME

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  06/19 09:57

  HBM HBM3E

  
• 三星高管赶赴英伟达总部，将敲定HBM3E订单

  尽管美国政府对华实施制裁，NVIDIA 在今年第一季度（财年 2 月至 4 月）仍取得了令人惊喜的业绩。据悉，三星电子内存部门的主要高管近日集体前往 NVIDIA 美国总部出差。据推测，此举旨在敲定三星电子的高带宽内存 (HBM) 批量供应。

  芯片说 IC TIME

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  06/03 15:39

  三星电子 HBM3E

  
• 美光和SK海力士发布新型SOCAMM内存模组

  美光和SK海力士近日正式发布了新的SOCAMM内存模组。美光表示，该内存将用于英伟达GB300 Grace Blackwell Ultra超级芯片，作为Grace CPU的可更换内存。

  Supplyframe四方维

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  03/20 18:29

  与非观察 SK海力士

  
• 研报 |TrendForce: SK hynix率先推出HBM3e 16hi产品，推升位元容量上限

  SK hynix（SK海力士）近日在SK AI Summit 2024活动透露其正在开发HBM3e 16hi产品，每颗HBM芯片容量为48GB，预计在2025年上半年送样。根据TrendForce集邦咨询最新研究，这款新产品的潜在应用包括CSP（云端服务业者）自行研发的ASIC和general purpose GPU（通用型GPU），有望在HBM4世代量产前，提早于HBM3e世代推升位元容量上限。

  TrendForce集邦咨询

  1145

  2024/11/15

  SK海力士 HBM3E

  
• GPU需求持续狂热！原厂抢占HBM3e商机

  人工智能浪潮下，AI芯片需求持续高涨，此前HBM传出售罄、原厂积极扩产满足需求的消息，最新报道显示，英伟达Blackwell架构GPU同样供不应求。

  全球半导体观察

  512

  2024/10/14

  GPU AI芯片

  
• AMD攻势凶猛

  AMD董事长兼CEO苏姿丰在美国当地时间10月10日于旧金山举行的Advancing AI活动上带来了一整套AI“杀手锏”，给整个业界带来了全新的AI震撼。

  中国电子报

  1718

  2024/10/12

  GPU CPU

  
• 全球首款12层HBM3E开始量产，SK海力士狠甩三星、美光

  SK海力士9月26日宣布，已开始量产全球首款12层HBM3E，实现现有高带宽存储器（HBM）最大容量36GB（千兆字节）。现有的HBM3E为24GB，8颗3GB DRAM芯片垂直堆叠，12层HBM3E最大容量显著增加。

  芯片说 IC TIME

  1365

  2024/09/26

  SK海力士 HBM3E

  
• HBM3E时代到来，三星电子依然焦虑

  进入8月，有传闻称，韩国存储芯片巨头三星电子（以下简称“三星”）的8层HBM3E内存（高带宽内存新一代产品）已通过英伟达测试。对此，三星回应：与事实相距甚远。其相关人员表示：“我们不能证实与我们客户相关的传闻，但这个报道不是真的。正如我们上个月电话会议上所说的，质量测试还在进行中，在那之后还没有取得更多进展。”这番解释中，依然能看到HBM3E内存产品是三星打入英伟达产品链的“敲门砖”。

  中国电子报

  608

  2024/08/22

  三星电子 HBM3

  

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