MOS

• AH5212：18V耐压,1.4A两节锂电池升压充电管理芯片

  AH5212是针对两节锂电池设计的充电管理芯片，采用DFN3*3-8封装（顶部标识5212），工作温度范围-40℃至125℃，内置MOS管简化BOM成本，预留EMC设计，适用于需紧凑供电方案的便携式设备。 芯片输入电压范围4.5~5.5V，欠压锁定阈值4.6V，输入过压保护阈值5.75V（滞回150mV），ESD防护等级±2KV，可靠性突出。输出电压通过VSET引脚外接电阻可调，1K对应8.1V、

  上大科技蔡生

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  12/03 10:38

  锂电池 MOS
• 森利威尔SL3036H 宽输入电压 DC-DC 芯片 内置150V MOS 高效率降压解决方案

  在工业控制、电动车供电、智能设备等场景中，高压输入、稳定降压、高效节能是核心需求。森利威尔推出的 SL3036H 降压型 DC-DC 芯片，凭借内置 150V 功率 MOS、8-120V 宽输入电压范围、95% 超高转换效率等优势，成为解决高压降压难题的优选方案，广泛适配多领域设备研发需求。 一、核心亮点：SL3036H 的四大核心竞争力 宽压输入 + 内置高压 MOS，适配多场景供电 SL303

  森利威尔电子-

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  11/13 14:10

  芯片 DC-DC
• MDD辰达半导体推出低内阻、高开关频率MOS管，解决车载快充的效率与温升难题

  车载快充市场是一个随着智能手机、平板电脑等移动设备普及和汽车保有量持续增长而迅速扩张的细分市场。它已经从早期的“点烟器转换头”发展成为一个技术驱动、需求多样的成熟品类。 一、 市场驱动因素 1、移动设备电量焦虑的普遍存在： 智能手机屏幕越来越大，功能越来越强，耗电速度加快，用户对“随时满电”的需求强烈。 2、汽车成为“第二生活空间”： 通勤时间变长，车内娱乐（手机导航、音乐、播客、车载视频等）和办

  MDD辰达半导体

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  10/27 16:38

  半导体 快充
• 大功率MOS驱动设计中的米勒效应

  MOS 管的米勒效应是由于栅极和漏极之间的寄生电容 Cgd 导致的，它影响开关过程中的电压和电流变化。为了降低开关损耗，应选择 Ciss 小的 MOS 管，并使用强大驱动电流加速充电过程。

  轩哥谈芯

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  10/20 15:25

  MOS 驱动设计

  
• MDD系列MOS，提升新国标电动自行车充电效率与安全性

  一、背景与政策驱动 部分电动自行车用户长期面临充电安全隐患，根源在于充电器产品缺乏强制认证标准，导致大量劣质配件通过非正规渠道流入市场，引发充电起火、电池爆炸等安全事故。为应对这一行业痛点，市场监管总局于2024年7月2日发布新规，明确自2025年11月起，电动自行车充电器及锂电池组必须通过3C认证并标注认证标志后方可出厂销售，推动行业向正规化、标准化方向发展。 二、各类充电器认证情况概览 截至2

  MDD辰达半导体

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  09/18 17:28

  MOS 电动车充电
• PS5090E适用于TYPE-C接口,集成30V OVP功能

  PS5090E是一款5V输入，最大1.5A充电电流，支 持双 节 锂 电 池 串 联 应 用 的 升 压 充 电 管 理 I C 。PS5090E集成功率MOS，采用异步开关架构， 使其在应用时仅需极少的外围器件，可有效减少整体 方案尺寸，降低BOM成本。PS5090E的升压开关 充电转换器的工作频率为500KHz，转换效率为90%。 PS5090E内置四个环路来控制充电过程，分别为 恒流（CC）

  parksonx

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  09/03 15:56

  USB Type-C接口 MOS
• 从3.3 V 3.7V 5V升压7.4V12V芯片-H6391在应急供电智能门锁中的应用

  在智能家居蓬勃发展的当下，智能门锁以其便捷、多重保护的特性，成为现代家庭安防的重要组成部分。在智能门锁电量耗尽的情况下，应急电源外接移动电源（USB5V输入） H6391升压到7.4V供电可应急开锁。增强用户在锁具的识别性、管理性方面更加智能化简便化的使用感。 一 、H6391 升压芯片技术解析 H6391 作为一款高性能异步内置 MOS 管升压恒压芯片，具备高效能、高精度与多重保护机制等技术优势

  东莞市惠洋科技有限公司

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  09/03 15:45

  芯片 低功耗
• NS4828 0.8A 线性同步移动电源管理芯片

  NS4828 是一款专为移动电源设计的同步升压的单芯片解决方案，内部集成了线性充电管理模块、同步放电管理模块、电量检测与 LED 指示模块、保护模块等。 NS4828 内置充电与放电功率 MOS 管，充电电流固定为 0.8A，同步升压支持最高 0.8A 的输出电流。 NS4828 内部集成了温度补偿、过温保护、过充与过放保护、输出过压保护、输出短路保护等多重安全保护功能以确保芯片和电池的安全。芯片

  parksonx

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  08/29 15:08

  移动电源 MOS
• 惠海H6266C 150V高压3A电流 降压恒压芯片 48V60V80V100V120V降12V5V

  随着恒压供电领域不断的发展，以及市场对电源高耐压大电流的需求日益迫切，惠海半导体针对控制板供电、车载仪表供电及BMS供电等应用场景，推出更优的高耐压大功率低功耗驱动解决方案：H6266C。 H6266C芯片介绍 H6266C是一种内置150V耐压MOS，支持输入高达130V的高压降压开关控制器，可以向负载提供3A的连续电流。H6266C支持输出恒定电压，可以通过调节VFB采样电阻来设置输出电压。H

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  08/27 15:23

  芯片 MOS
• 外置MOS,120VIN,异步降压芯片,XZ1813

  封装：ESOP8 输入电压：9V-120V 输出电压：ADJ(1.25V-50V) 输出电流：外置MOS,10A 工作频率：125KHz 静态电流：2mA 关断电流：100uA 概述 这是一款120V开关型降压恒压驱动器，需要外置NMOS完成BUCK直流降压，可工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整度。安全保护机制包括每周期的峰值限流、软启动、过压保护和温度保护。独特的软开关ZVS技术，如果

  科芯创展

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  08/26 15:28

  驱动器 直流
• 200V高压降压芯片H6253HV 180V150V120V100V转12V5V3.3V3A大电流

  降压恒压芯片H6253HV：200V高压，高效稳定 科技的力量，在于将复杂留给自己，将简单留给用户。 在电动自行车呼啸而过、新能源汽车日益普及的今天，你是否想过，这些设备的背后，是什么在默默支撑着它们稳定高效地运行？答案之一，便是那些藏在设备内部、默默工作的高压降压芯片。 而今天我们要讲解的，是一款备受工程师青睐的高压降压解决方案——惠海H6253HV。它内置200V耐压MOS，支持高达180V的

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  08/23 10:50

  芯片 MOS
• IU5207E/IU5208E/IU5209E：2-4 节串联锂电升压充电芯片，集成 30V OVP

  上海埃诚攸微电子推出 IU5207E、IU5208E、IU5209E三款锂电升压充电芯片，精准覆盖 2-4 节串联锂电池应用需求。三款芯片均集成 30V OVP（过压保护）功能，输入端口可稳定承受 30V 以内耐压冲击，适配 TYPE-C 接口场景（TYPE-C口的电压不稳定），同时 BAT 输出端口同样耐压 30V，大幅提升系统可靠性。 IU5207E、IU5208E和IU5209E自带QC3.

  上大科技蔡生

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  08/21 16:20

  锂电 MOS
• SiC MOSFET 界面陷阱检测升级：Force-I QSCV 方法详解

  电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技术，通过施加电流并测量电压与时间来推导电容，获得更稳定可靠的数据。 For

  与非网编辑

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  08/21 13:55

  MOSFET 半导体材料

  
• H4025耐压4V-36V同步降压DC-DC转换器24V36V40V降12V5V3.3V/3A锂电池

  【高性能同步降压DC-DC转换器H4025 稳定，赋能多元电源设计】 H4025 是一款集成40V耐压MOS管的同步降压型DC-DC转换芯片，具备高精度恒压与恒流控制能力，适用于多种工业和消费电子电源场景。其宽输入电压范围（4.5V–36V）3A持续输出电流，该器件通过FB引脚外接电阻可设置输出电压，范围2.5V–32V，恒压精度±3%，恒流精度±8%，性能可靠。采用电流采样架构，比较传统输出端采

  惠海半导体

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  08/20 16:44

  MOS 同步降压转换器
• 同步整流MOS驱动电路在输出短路状态，关断的时候会SW节点振荡是怎么回事？如何解决？

  当同步整流MOSFET电路输出对地短路时，电路进入非常态工作模式，导致振荡加剧。短路状态下，电感电流迅速上升至极高值，体二极管反向恢复产生巨大反向恢复电流，引发高频LC振荡。优化措施包括减小功率回路面积和增加Snubber缓冲电路，以降低振荡峰值电压，保护MOSFET。

  硬件那点事儿

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  08/18 11:02

  电路设计 电路分析

  
• 高耐压内置MOS降压恒压芯片 H6266A 100V转12V 120V转5V 150V转3.3V

  突破高压供电瓶颈！H6266A 内置150V MOS降压控制器为工业仪表与车载系统赋能 在工业控制、电动车载仪表等高压供电场景中，传统电源方案常面临输入范围窄、转换效率低、系统可靠性不足等挑战。H6266A高压降压恒压芯片的推出，为工程师提供了更优的宽压输入电源解决方案。 核心技术亮点： 宽压高耐压设计 内置150V耐压MOS管，支持 20V-130V宽范围输入，可直接对接100V/120V/15

  东莞市惠洋科技有限公司

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  08/11 17:41

  芯片 MOS
• MDDG03R01G低导通MOS 跨越新领域 提升同步整流 DC-DC转换效率

  在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。 一、技术突破：PowerTrench工艺与屏蔽栅设计 MDDG03R01G在栅源电压 VGS = 10V、漏极电流 ID = 5

  MDD辰达半导体

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  07/29 10:57

  转换器 DC-DC
• MDD辰达半导体-MDD8205那么小又那么大 原来是这颗MOS

  在智能家电与电动工具快速迭代的今天，高效能与小型化已成为产品设计的核心需求。MOSFET作为现代电子系统的核心功率开关器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等领域。其性能直接影响系统的效率、功耗和可靠性。随着便携式设备、智能家居和工业自动化对功率密度和能效的要求越来越高，工程师需要更高性能的MOSFET解决方案。 一、双N沟道，为高效而生   MDD8205是一款20V双 N沟道MOS，采用

  MDD辰达半导体

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  07/29 10:33

  半导体 逆变器
• ATA-2161高压放大器在量子点显示器发光MOS结中的应用

  实验名称：用于超高分辨率量子点显示器的发光MOS结 实验内容：为了避免亚微米级别发光像素之间的电学串扰和多层功能层之间的精确对准，我们提出了一种基于量子点的发光MOS结构。我们通过测量器件的光电特性，例如电压-频率-发光强度特性，电压-频率-发光光谱特性等，分析了载流子输运行为，并揭示了器件的工作机制。 测试设备：信号发生器、光谱仪、亮度计、Aigtek的ATA-2161高压放大器等。 实验过程：

  Aigtek安泰电子

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  07/23 17:57

  高压放大器 显示器
• 浅谈辰达MOSFET在USB PD快充电源中的应用挑战与应对

  在USB PD快充电源设计中，MOSFET作为功率控制与转换的核心器件，发挥着关键作用。随着充电功率向65W、100W甚至更高迈进，对MOSFET的性能提出了更严苛的挑战。本文将从应用挑战出发，结合FAE工程实践，分析MOSFET在USB PD快充中的关键设计要求与应对策略。 一、应用背景：MOSFET在USB PD快充中的位置 USB PD（Power Delivery）协议允许设备间进行动态电

  MDD辰达半导体

  1335

  07/09 17:07

  PD快充 MOS

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