MOS

• MDD辰达半导体推出集成ESD防护小型化MOS，赋能智能穿戴与精密接口开关

  当下，智能穿戴设备、便携式数码产品、工业小型模块持续向着微型化、低功耗、高可靠、多电压适配方向升级。PCB 空间愈发紧凑、待机续航要求不断提高、接口信号切换愈发频繁，对小体积 MOS 管的耐压、导通损耗、开关速度、静电防护等综合性能提出了更高标准。 一、小型化封装 兼具ESD防护 MDD 推出MDD3134KM、MDD3139KM、2N7002KM三款同封装 MOSFET 产品。统一采用SOT-7

  MDD辰达半导体

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  06/24 14:44

  ESD MOS
• Hi7000D替换H5119L：外驱MOS方案，输出电流更大，双调光模式更灵活

  一、为什么要替换H5119L H5119L是一款经典的外驱MOS型LED恒流驱动器，采用SOT23-6封装，输入电压5-85V，支持PWM和模拟调光，在景观亮化、舞台灯光、汽车照明等领域有广泛应用。但其输出电流上限取决于外置MOS，原厂参考设计最大可做到5A。在实际应用中，H5119L存在几个局限：调光方式实现较为复杂（LD端口需实现三功能切换，包括悬空高亮、1/2电流低亮、模拟调光三种模式），P

  eefocus_4227309

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  06/23 15:53

  MOS 输出电流
• Hi9204：5-70V输入，600mΩ内置MOS，0.6A连续输出，电流模降压转换器

  一、产品背景 在电池驱动工具、通信电源、工业控制等应用中，系统常需从高压母线获取小功率辅助电源，例如48V转5V/0.5A。传统方案内置MOS耐压普遍不足（40V），高压方案则需外置MOS增加面积。Hi9204是一款非同步降压转换器，采用SOT23-6封装，输入5-70V，内置600mΩ高侧MOS，提供0.6A连续输出电流（峰值1.5A），采用电流模控制实现快速瞬态响应，开关频率450kHz，外围

  eefocus_4227309

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  06/18 15:42

  降压转换器 电流
• Hi7011：5-100V输入，内置100V MOS，支持65536级高辉PWM调光LED恒流驱动器

  一、产品背景 在景观亮化、舞台灯光、高端汽车照明、智能照明等应用中，LED驱动不仅需要宽电压输入和高效率，更要求极高的调光深度和细腻的调光效果。传统恒流芯片在低亮度时容易出现跳闪、色偏或调光非线性。Hi7011是聚能芯半导体推出的一款平均电流型LED恒流驱动器，输入电压5-100V，内置100V/200mΩ功率MOS，输出电流60mA至1.5A可调，支持PWM调光，可响应最小60ns脉宽，实现65

  eefocus_4227309

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  06/17 16:01

  PWM LED恒流驱动器
• 一文搞定MOS管——MOS类型全梳理

  MOS管，全称金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是电子工程领域出场率最高的有源器件之一。在电源、电机驱动、单片机开关电路、射频放大器，甚至CPU内部，都能看到它的身影。但问题来了：当你在数据手册或电路图上看到“N沟道增强型”“P沟道耗尽型”“双栅MOSFET”“功率MOSFET”等一堆名词时，会不

  湖南静芯

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  06/13 10:13

  MOS
• 森利威尔 SL3042 | 9V-120V 宽压输入 1.25-50V 可调输出 峰值 10A 电源

  这是一款外置 MOS 管架构的电流模式降压转换器，输入电压 9V~120V，输出电压 1.25V~50V 连续可调，峰值输出电流可达 10A。采用 120kHz 固定开关频率，ESOP8 小型封装，外围电路简洁，线性与负载调整性能优异，适配各类高压降压电源场景。 核心亮点（重点突出） 超宽电压适配，通用性强 输入覆盖 9V 至 120V 高压区间，输出可在 1.25V~50V 任意调节，无需额外前

  森利威尔电子-

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  06/11 16:50

  电源 降压转换器
• 重塑高能效电源：瑞斯特半导体GE014S10ALH 如何以TOLL封装重新定义100V MOSFE

  在当今的电力电子设计中，工程师们正面临着前所未有的挑战：系统功率密度持续攀升，板级空间被极度压缩，同时还要满足严格的能效标准。无论是高性能负载点（POL）转换器、电池管理系统，还是电机驱动电路，对开关器件的要求已不仅仅停留在“导通”或“关断”的层面。我们需要的，是集极低导通电阻、卓越热管理和高速开关能力于一身的核心器件。瑞斯特半导体GE014S10ALH，这款采用先进SGT（屏蔽栅沟槽）技术的10

  瑞斯特半导体RST

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  04/25 10:34

  MOS
• 开关电源MOS的8大损耗计算与选型原则！

  MOS设计选型的基本原则包括电压应力、漏极电流、驱动要求、损耗及散热等方面。在电源电路应用中，首先要考虑漏源电压VDS的选择，使其不超过器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。其次是漏极电流的选择，原则上不应超过规格书中标称最大漏源电流的90%，且考虑到温度效应。驱动要求方面，应选择栅极总充电电量(Qg)较小的器件，并在保证远离最大栅源电压的前提下，选择合适的驱动电压。损耗及散热方面，导通损耗、截止损耗、开启过程损耗、关断过程损耗、驱动损耗、Coss电容的泄放损耗、体内寄生二极管正向导通损耗和反向恢复损耗都需要进行计算。这些损耗计算有助于评估器件的实际性能和散热能力，从而做出合理的选择。

  时科

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  01/13 09:32

  开关电源 MOS

  
• 数字隔离器，复杂环境下的电气安全“防火墙”

  在工业自动化、新能源设施及各类高压终端向更高集成度与可靠性持续演进的过程中，如何确保不同电路之间的通信安全，已成为系统设计中的重要问题； 尤其是在高低压并存、强弱电混合的应用场景中，不同电路在相互通信时更易受到浪涌、电磁干扰及接地电位差等因素影响，进而引发器件损坏或系统失效等现象。 在此背景下，数字隔离器作为一种能保证数字信号在不同电路之间安全、精准地传输的半导体器件，不仅能实现不同电路之间的电气

  华普微 HOPERF

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  01/07 08:33

  电路 数字隔离器

  
• AH5212：18V耐压,1.4A两节锂电池升压充电管理芯片

  AH5212是针对两节锂电池设计的充电管理芯片，采用DFN3*3-8封装（顶部标识5212），工作温度范围-40℃至125℃，内置MOS管简化BOM成本，预留EMC设计，适用于需紧凑供电方案的便携式设备。 芯片输入电压范围4.5~5.5V，欠压锁定阈值4.6V，输入过压保护阈值5.75V（滞回150mV），ESD防护等级±2KV，可靠性突出。输出电压通过VSET引脚外接电阻可调，1K对应8.1V、

  上大科技蔡生

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  2025/12/03

  锂电池 MOS
• 森利威尔SL3036H 宽输入电压 DC-DC 芯片 内置150V MOS 高效率降压解决方案

  在工业控制、电动车供电、智能设备等场景中，高压输入、稳定降压、高效节能是核心需求。森利威尔推出的 SL3036H 降压型 DC-DC 芯片，凭借内置 150V 功率 MOS、8-120V 宽输入电压范围、95% 超高转换效率等优势，成为解决高压降压难题的优选方案，广泛适配多领域设备研发需求。 一、核心亮点：SL3036H 的四大核心竞争力 宽压输入 + 内置高压 MOS，适配多场景供电 SL303

  森利威尔电子-

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  2025/11/13

  芯片 DC-DC
• MDD辰达半导体推出低内阻、高开关频率MOS管，解决车载快充的效率与温升难题

  车载快充市场是一个随着智能手机、平板电脑等移动设备普及和汽车保有量持续增长而迅速扩张的细分市场。它已经从早期的“点烟器转换头”发展成为一个技术驱动、需求多样的成熟品类。 一、 市场驱动因素 1、移动设备电量焦虑的普遍存在： 智能手机屏幕越来越大，功能越来越强，耗电速度加快，用户对“随时满电”的需求强烈。 2、汽车成为“第二生活空间”： 通勤时间变长，车内娱乐（手机导航、音乐、播客、车载视频等）和办

  MDD辰达半导体

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  2025/10/27

  半导体 快充
• 大功率MOS驱动设计中的米勒效应

  MOS 管的米勒效应是由于栅极和漏极之间的寄生电容 Cgd 导致的，它影响开关过程中的电压和电流变化。为了降低开关损耗，应选择 Ciss 小的 MOS 管，并使用强大驱动电流加速充电过程。

  轩哥谈芯

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  2025/10/20

  MOS 驱动设计

  
• MDD系列MOS，提升新国标电动自行车充电效率与安全性

  一、背景与政策驱动 部分电动自行车用户长期面临充电安全隐患，根源在于充电器产品缺乏强制认证标准，导致大量劣质配件通过非正规渠道流入市场，引发充电起火、电池爆炸等安全事故。为应对这一行业痛点，市场监管总局于2024年7月2日发布新规，明确自2025年11月起，电动自行车充电器及锂电池组必须通过3C认证并标注认证标志后方可出厂销售，推动行业向正规化、标准化方向发展。 二、各类充电器认证情况概览 截至2

  MDD辰达半导体

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  2025/09/18

  MOS 电动车充电
• PS5090E适用于TYPE-C接口,集成30V OVP功能

  PS5090E是一款5V输入，最大1.5A充电电流，支 持双 节 锂 电 池 串 联 应 用 的 升 压 充 电 管 理 I C 。PS5090E集成功率MOS，采用异步开关架构， 使其在应用时仅需极少的外围器件，可有效减少整体 方案尺寸，降低BOM成本。PS5090E的升压开关 充电转换器的工作频率为500KHz，转换效率为90%。 PS5090E内置四个环路来控制充电过程，分别为 恒流（CC）

  parksonx

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  2025/09/03

  MOS USB Type-C接口
• 从3.3 V 3.7V 5V升压7.4V12V芯片-H6391在应急供电智能门锁中的应用

  在智能家居蓬勃发展的当下，智能门锁以其便捷、多重保护的特性，成为现代家庭安防的重要组成部分。在智能门锁电量耗尽的情况下，应急电源外接移动电源（USB5V输入） H6391升压到7.4V供电可应急开锁。增强用户在锁具的识别性、管理性方面更加智能化简便化的使用感。 一 、H6391 升压芯片技术解析 H6391 作为一款高性能异步内置 MOS 管升压恒压芯片，具备高效能、高精度与多重保护机制等技术优势

  东莞市惠洋科技有限公司

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  2025/09/03

  芯片 低功耗
• NS4828 0.8A 线性同步移动电源管理芯片

  NS4828 是一款专为移动电源设计的同步升压的单芯片解决方案，内部集成了线性充电管理模块、同步放电管理模块、电量检测与 LED 指示模块、保护模块等。 NS4828 内置充电与放电功率 MOS 管，充电电流固定为 0.8A，同步升压支持最高 0.8A 的输出电流。 NS4828 内部集成了温度补偿、过温保护、过充与过放保护、输出过压保护、输出短路保护等多重安全保护功能以确保芯片和电池的安全。芯片

  parksonx

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  2025/08/29

  移动电源 MOS
• 惠海H6266C 150V高压3A电流 降压恒压芯片 48V60V80V100V120V降12V5V

  随着恒压供电领域不断的发展，以及市场对电源高耐压大电流的需求日益迫切，惠海半导体针对控制板供电、车载仪表供电及BMS供电等应用场景，推出更优的高耐压大功率低功耗驱动解决方案：H6266C。 H6266C芯片介绍 H6266C是一种内置150V耐压MOS，支持输入高达130V的高压降压开关控制器，可以向负载提供3A的连续电流。H6266C支持输出恒定电压，可以通过调节VFB采样电阻来设置输出电压。H

  东莞市惠洋科技有限公司

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  2025/08/27

  芯片 MOS
• 外置MOS,120VIN,异步降压芯片,XZ1813

  封装：ESOP8 输入电压：9V-120V 输出电压：ADJ(1.25V-50V) 输出电流：外置MOS,10A 工作频率：125KHz 静态电流：2mA 关断电流：100uA 概述 这是一款120V开关型降压恒压驱动器，需要外置NMOS完成BUCK直流降压，可工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整度。安全保护机制包括每周期的峰值限流、软启动、过压保护和温度保护。独特的软开关ZVS技术，如果

  科芯创展

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  2025/08/26

  驱动器 直流
• 200V高压降压芯片H6253HV 180V150V120V100V转12V5V3.3V3A大电流

  降压恒压芯片H6253HV：200V高压，高效稳定 科技的力量，在于将复杂留给自己，将简单留给用户。 在电动自行车呼啸而过、新能源汽车日益普及的今天，你是否想过，这些设备的背后，是什么在默默支撑着它们稳定高效地运行？答案之一，便是那些藏在设备内部、默默工作的高压降压芯片。 而今天我们要讲解的，是一款备受工程师青睐的高压降压解决方案——惠海H6253HV。它内置200V耐压MOS，支持高达180V的

  东莞市惠洋科技有限公司

  587

  2025/08/23

  芯片 MOS

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