MOSFET技术

• MDD辰达半导体推出低内阻、强抗浪涌MOSFET，电池管理系统BMS中的关键元器件

  一、 BMS工作原理与安全机制 储能系统已成为构建新型电力系统的关键环节，而电池管理系统（BMS）在储能中承担着关键角色。 BMS的核心使命是确保电池组安全、高效、长寿。它通过实时监测电池电压、电流、温度等参数，实现三大核心保护功能： 过充/过放保护：电压超限时切断相应MOSFET回路 过流/短路保护：极短时间内（<100ms）关断放电MOSFET 过温保护：温度异常时禁止充放电操作，防止热

  MDD辰达半导体

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  11/22 09:39

  bms 浪涌保护
• 芯片百大榜——峰岹科技，“硬”啃人形机器人？

  在上一篇文章《国内外人形机器人用MCU对比分析》中，我们对国内外人形机器人用MCU厂家进行了对比分析。今日，我们再来聊聊一家以自主研发为核心的（BLDC）电机驱动芯片公司——峰岹科技。 峰岹科技与大多数竞争对手采用的ARM 内核架构不同，公司从底层架构上将芯片设计、电机驱动架构、电机技术三者有效融合，用算法硬件化的技术路径在芯片架构层面实现复杂的电机驱动控制算法，形成自主知识产权的电机驱动控制处理

  王兵

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  04/29 10:51

  MCU芯片 ASIC芯片

  
• 三代进化，安森美 EliteSiC MOSFET 技术发展解析

  SiC 器件性能表现突出，能实现高功率密度设计，有效应对关键环境和能源成本挑战，也因此越来越受到电力电子领域的青睐。与硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的运行频率更高，有助于实现高功率密度设计、减少散热、提高能效，并减轻电源转换器的重量。其独特的材料特性可以减少开关和导通损耗。与 Si MOSFET 相比，SiC 器件的电介质击穿强度更高、能量带隙更宽且热导率更优，有利于开发更紧凑、更高效的电源转换器。

  安森美半导体

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  02/20 10:55

  安森美 SiC MOSFET
• 提高工业电机效率：采用SiCMOSFET技术的三相逆变器

  工业电机需要可靠、高效的电源解决方案。这款采用SiC（碳化硅）MOSFET技术设计的三相逆变器代表着在满足现代工业应用的功率和效率需求方面迈出了重要一步。SiCMOSFET因其降低导通电阻和增加击穿电压的能力而受到认可，使其成为高压、高效应用的理想选择。在本文中，我们将介绍逆变器的规格、关键组件和操作功能。

  腾恩科技

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  2024/11/15

  SiC MOSFET 三相逆变器

  
• KLV2002光耦固态继电器的主要特性

  KLV2002采用光耦合MOSFET技术，在输入和输出之间提供3750Vrms的隔离，以确保在高压环境下安全运行。其隔离屏障由输入侧的高效GaAlAs红外LED和输出侧的MOSFET组成，实现无电接触的信号传输。

  克里雅半导体科技

  747

  2024/11/15

  光耦 光耦合器

  
• 600KHZ固定频率24V/800mA同步降压转换器具有轻载PFM节能模式

  PCD2203 是一款 3.8V-24V 的宽输入电压范围同步降压转换器，拥有 30V 输入过压保护，能够驱动 0.8A 的负载。内部集成两个低 RDSON 功率管，可减小导通损耗，提高效率。该芯片采用峰值电流模式控制，可以实现优秀动态性能，也使得外围补偿电路简单，由于开关频率固定为 600K，可以选用小尺寸电感、电容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封装，可以实现小尺寸的电源解决方案。具有15uA 静态工作电流与 2uA 关断电流，适用于低功耗要求的供电系统。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保护，输入 OVP 以及热关断功能。

  集芯微电科技

  974

  2024/04/25

  同步降压转换器 N沟道MOSFET

  
• 车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力

  车规MOSFET技术

  与非网编辑

  715

  2023/02/09

  MOSFET MOSFET技术

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