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Vrrm是衡量二极管性能的参数。
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MDD超快恢复二极管的典型失效模式分析 如何避免过热与短路
MDD超快恢复二极管因其反向恢复时间短、开关损耗低的特性,广泛应用于高频开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路及新能源领域。然而,在实际应用中,超快恢复二极管可能因不合理的电路设计或使用环境导致失效,常见的失效模式主要包括过热失效和短路失效。 1.过热失效及其规避措施 过热失效通常是由于功率损耗过大、散热不良或工作环境温度过高导致的。主要成因包括: 正向导通损耗:当二极管导通时,流经器件
MDD辰达半导体
1290
2025/04/11
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列,继续扩充宽禁带半导体产品
工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件
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2021/11/05
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