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动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。收起

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  • 研报 | 预计2026年第一季度存储器涨势持续强劲，智能手机、笔电品牌启动价格上修与规格降级
    Dec. 11, 2025
    210
    12/13 08:00
    智能手机 存储器
  • 预计2026年第一季度存储器涨势持续强劲，智能手机、笔电品牌启动价格上修与规格降级
    由于预期2026年第一季存储器价格将显著上涨，全球终端产品面临艰巨的成本考验，智能手机、笔电产业上修产品价格、调降规格，销量展望再度下修已难避免，资源优势将向少数龙头品牌高度集中。 TrendForce集邦咨询表示，存储器对智能手机、PC等消费型终端的BOM cost影响正在迅速扩大，即便是获利表现相对优异的iPhone系列，2026年第一季存储器在整机BOM cost的占比也将明显提升，迫使Ap
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    12/12 09:14
    存储器 dram
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  • 为提升获利，DRAM三巨头“分道扬镳”
    三星电子计划减产HBM3E以扩大通用DRAM供给，SK海力士侧重扩大数据中心DRAM产能，美光则退出Crucial消费类存储业务，转投数据中心/企业级需求。
    582
    12/09 09:31
    dram HBM3E
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  • 海力士DRAM营收超越三星，全球存储器市场统计及预测（2025-Q3）
    本文汇总了各大半导体存储器供应商Q3的详细财报数据，展示了DRAM和NAND市场的营收排名及发展趋势。预计到2026年，DRAM市场将达到1760亿美元，同比增长25.1%，NAND市场也将达到833亿美元，同比增长26.0%。文章还提供了三星、SK海力士和美光三家主要供应商的具体预测数据。
    666
    12/09 08:58
    存储器 dram
    海力士DRAM营收超越三星，全球存储器市场统计及预测（2025-Q3）
  • 2026年DRAM均价预计再涨 58%，谁能在“史上最疯狂”周期下少挨点打？
    引言：2026年DRAM均价（ASP）年对年上涨约58%；行业营收将再增长约85%，DRAM产业规模首次突破3000亿美元。 近日，在深圳举行的“MTS2026存储产业趋势研讨会”上，集邦咨询（TrendForce）资深研究副总经理吴雅婷给出了一个大胆的预测：2026年全球DRAM供应（bit）年增约20%，需求年增约26%，至少存在6个百分点的缺口。在这一前提下，吴雅婷预估——2026年DRAM
    3358
    12/02 17:25
    dram 存储
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  • 一文读懂DRAM之DDR4 和 DDR5的不同
    本文介绍了DRAM和DDR的基本概念及其发展。DRAM是一种动态随机存取存储器，依靠电容存储电荷表示0/1，并且需要周期性刷新。DDR则是双倍数据率SDRAM，能够在同一个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据。 文章详细比较了DDR4和DDR5的关键区别，包括速率、电压、通道结构、Bank数量、单条容量、PMIC位置和ECC机制等方面。DDR5相比DDR4具有更高的频率、带宽、通道并行度、电压降低和更复杂的电源管理特性。 此外，文章还探讨了DDR5在信号完整性、电源管理和可靠性方面的挑战，以及其在封装和模组上的差异。最后，针对工程应用提出了何时选择DDR4还是DDR5的建议，强调了带宽需求和平台代际更新的重要性。
    2867
    11/28 10:03
    dram DDR5
    一文读懂DRAM之DDR4 和 DDR5的不同
  • 研报 | 2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元
    TrendForce集邦咨询预测2025年第三季度DRAM产业营收增长30.9%，达到414亿美元。预计第四季度出货位元季增幅收敛，合约价将季增45-50%，整体合约价上涨50-55%。SK hynix、Samsung和Micron分别位居前三，市占率有所变动。南亚科、华邦电子和力积电也表现出强劲的增长势头。
    501
    11/27 09:06
    dram
    研报 | 2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元
  • 2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元
    2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合约价上涨、出货量季增，且HBM出货规模扩张，推升DRAM产业营收较前一季成长30.9%，达414亿美元。 展望第四季，随着原厂库存普遍见底，出货位元季增幅将明显收敛。价格部分，由于云端服务供应商(CSP)对采购价格态度较开放，其他应用需跟进价格涨幅，以确保原厂的供应量，预期将导致先进及成熟制程、各主要应用的合约价快速攀升，预
    740
    11/26 15:41
    dram 云端
    2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元
  • 长鑫存储“双芯"亮相IC China，首发DDR5高端新品最高速率达8000Mbps
    长鑫存储在IC China 2025（中国国际半导体博览会）上正式发布其最新DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平，并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。 此次长鑫存储以“双芯共振，5力全开”为主题，同台展示了最新DDR5系列产品以及最高速率10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb的最新LPDDR5X移动端内存。其两大产品系列
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    dram 内存
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  • IEDM见证中国创新路径，长鑫存储展现DRAM关键技术攻
    近日，在第71届国际电子器件大会（IEDM）的议程内，一场由北京大学研究员主讲的研讨会引发关注。其主题为“面向边缘大模型的器件 - 阵列 - 系统协同优化：基于BEOL FeFET的高精度高吞吐量多位模拟存内计算（ACiM）宏单元”， 直指边缘计算场景中算力瓶颈的破解路径。 模拟存内计算长期被视为提升边缘大模型能效的关键技术，但其可靠性问题一直制约落地。北京大学的研究通过器件-阵列-系统三级协同优
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    dram 长鑫存储
  • DRAM短缺冲击，科技大厂争取1年长单
    由于人工智能（AI）领域投资增加，全球DRAM短缺问题日益严重，此前按月或按季度签订的供应合同正转向长期合同，以确保六个月或更长时间的供应。全球大型科技公司已与三星电子和SK海力士展开预订谈判，以确保2027年之前的DRAM供应。
    829
    11/18 10:54
    dram
    DRAM短缺冲击，科技大厂争取1年长单
  • 存储器价格攀升冲击消费市场，下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测
    2026年全球市场仍面临不确定性，通胀持续干扰消费市场表现，更关键的是，存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端定价上调，进而冲击消费市场。基于此，TrendForce集邦咨询下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测，从原先的年增0.1%及1.7%，分别调降至年减2%及2.4%。此外，若存储器供需失衡加剧，或终端售价上调幅度超出预期，生产出货预测仍有进一步下修风险。 DRAM涨
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    存储器 dram
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  • 存储器产业2026年资本支出仍显保守，对位元产出成长助力有限
    随着存储器平均销售价格(ASP)持续提升，供应商获利也有所增加，DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出成长的助力有限。DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。 其中，DRAM产业的资本支出在2025年预计将达到537.14亿美元，预计在2026年进一步成
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    11/14 07:18
    存储器 dram
    存储器产业2026年资本支出仍显保守，对位元产出成长助力有限
  • 《元器件动态周报》——存储需求激增、交期延长与价格普涨的三重考验
    核心观点 AI推理驱动全球存储市场出现结构性缺货，技术迭代与需求升级正推动产业进入长期成长周期。 原厂产能向高利润产品倾斜，HBM4等先进技术加速布局，供应链整体维持紧平衡状态。 服务器需求爆发引发全产业链涨价潮，原厂强势定价与渠道供应紧张推动价格持续上行。 三大维度解读存储器件最新供需动态 市场需求分析 今年全球存储市场出现30年来首见的结构性缺货，涵盖NAND、HDD、DRAM及HBM等多类产
    7663
    11/11 08:32
    AI dram
    《元器件动态周报》——存储需求激增、交期延长与价格普涨的三重考验
  • DRAM刷新原因以及机制详解
    本文介绍了DRAM刷新的原因及其机制，解释了为何DRAM需要定期刷新以防止电容漏电导致的数据丢失。文章详细描述了刷新的过程和其带来的性能开销和功耗问题，并对比了SRAM的优势与不足，最终得出结论：刷新是DRAM为了达到高容量和低成本目标而不得不接受的一个必要代价。
    1832
    11/07 10:29
    dram
    DRAM刷新原因以及机制详解
  • 研报 | DRAM供应吃紧推高DDR5合约价，2026年获利有望超越HBM3e
    TrendForce集邦咨询预测2025年第四季Server DRAM合约价将上涨18-23%，并有望继续上调。2026年Server整机出货量增长4%，单机DRAM搭载容量提高，推动整体需求超出预期。DDR5合约价全年上涨，而HBM3e则面临降价压力。随着DDR5价格上升，两者价差缩小，预计2026年起DDR5获利超越HBM3e。
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    10/31 14:04
    dram 内存
    研报 | DRAM供应吃紧推高DDR5合约价，2026年获利有望超越HBM3e
  • 突发，这类芯片需求暴涨，巨头集体调价！
    三星、SK海力士和美光等内存芯片供应商计划将DRAM和NAND存储产品价格上涨30%，受高带宽内存需求激增影响，科技巨头将投入大量资金于AI基础设施建设，多家公司正积极囤积内存并寻求长期供应协议，预计未来HBM价格将持续上涨，带动整个存储市场的需求增长。
    2887
    10/30 11:37
    dram NAND
    突发，这类芯片需求暴涨，巨头集体调价！
  • DRAM供应吃紧推高DDR5合约价，2026年获利有望超越HBM3e
    2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出，供应商先前收到CSP加单需求后，调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估，涨幅从先前的8-13%，上修至18-23%，并且很有可能再度上修。 展望2026
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    10/30 07:08
    dram HBM
    DRAM供应吃紧推高DDR5合约价，2026年获利有望超越HBM3e
  • 估值3000亿！传国产DRAM龙头明年冲刺IPO
    长鑫存储计划明年一季度在上海进行首次公开募股，目标估值高达3000亿元人民币。作为国内唯一实现大规模量产通用型DRAM的IDM企业，长鑫存储正在加大投资以追赶韩国海力士和三星，特别是在高带宽内存领域。
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    10/23 16:25
    dram 长鑫存储
    估值3000亿！传国产DRAM龙头明年冲刺IPO
  • 全球存储技术多赛道迭代，HBM、CXL、HBF等集体 “狂飙”
    在AI算力爆发、移动终端性能升级、数据中心存储需求激增的多重驱动下，全球存储产业正迎来技术迭代的密集期。内存作为数据处理与传输的核心枢纽，其性能直接决定了终端设备、服务器及AI加速器的运行效率。
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    10/23 15:33
    存储器 dram
    全球存储技术多赛道迭代，HBM、CXL、HBF等集体 “狂飙”

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