dram

• 美光Q2净利暴增7.7倍：DRAM涨价65%，NAND涨价80%！

  当地时间3月18日，美国存储芯片制造大厂美光（Micron）公布了至2026年2月26日的2026财年第二财季财报，营收及利润均同比暴涨数倍，对于第三财季业绩指引均超出市场预期。但由于美光将2026财年的资本支出大幅上调至250亿美元，并预计2027财年资本支出将再增加100亿美元，导致美光股价在盘后交易中一度大跌6%。

  芯智讯

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  03/20 15:06

  dram NAND

  
• 一文了解存储芯片分类及DRAM工作原理

  半导体存储器发展历程概述：早期阶段：从纸质记录到机械存储，再到磁带和磁鼓内存，逐步过渡到电子计算机时代。磁性存储器：1928年磁带商业化，1932年磁鼓内存诞生，显著提升存储容量和访问速度。半导体存储器：1966年动态随机存取存储器（DRAM）问世，极大推动了信息存储领域的进步。分类：半导体存储器分为非易失性和易失性两类，前者包括ROM及其衍生类型，后者主要包括RAM。

  半导体全解

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  03/12 10:18

  存储器 dram

  
• DRAM产业的九大进入壁垒

  如果说逻辑芯片依靠摩尔定律不断推高数字世界的算力上限，那么 DRAM 更像是承载这一切运算结果的“记忆器官”。但与逻辑芯片领域设计与制造分离、百家争鸣的格局不同，DRAM 行业在过去四十年里经历的是一场极其残酷的淘汰赛，最终留在赛场上的少数玩家，构成了一个极高进入壁垒的产业生态。

  全球半导体观察

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  03/11 10:58

  半导体 存储器

  
• SK海力士千亿工厂已建成，正安装设备

  韩国忠清北道清州市正崛起为SK海力士下一代人工智能（AI）存储器——高带宽存储器（HBM）的关键生产基地。 从DRAM生产到TSV工艺和先进封装，HBM制造所需的所有关键流程如今都集中在清州，预计清州将成为“尖端HBM生产中心”。 今年1月，SK海力士宣布计划在清州投资19万亿韩元建设P&T7工厂，该工厂将用于人工智能（AI）半导体的先进封装。 P&T7工厂将位于清州兴德区五北洞3

  芯片说 IC TIME

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  03/05 20:23

  dram SK海力士
• 中国台湾半导体产值数据里看行业趋势（2025-12）

  台湾地区2025年12月本土半导体产值达到125.9亿美元，同比增长21.2%，创历史新高。其中，12吋晶圆产值显著增长，而8吋晶圆产值几乎不变。晶圆制造增长主要受AI算力需求推动，预计未来仍将保持增长态势。DRAM生产方面，在全球DRAM缺货背景下，本土产值急速增长，反映整体DRAM市场的火爆。晶圆测试产值因AI算力芯片需求激增而大幅上涨，成为观察GPU芯片上市销售量的重要指标。其他台湾地区半导体产值表现平稳，设计公司产值略有波动。整体来看，AI和存储相关供应商增长良好，其他领域则面临挑战。

  半导体综研

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  03/05 09:54

  半导体行业 dram

  
• SK海力士1500亿项目最新进展来了…

  SK海力士决定追加投资21.6万亿韩元，用于龙仁晶圆厂集群的首座晶圆厂建设。这使得该晶圆厂仅骨架建设的总投资就达到了31万亿韩元（1479亿元人民币）。预计到2030年，SK海力士还将投资约160万亿韩元（7632亿元人民币）用于剩余骨架建设和六间洁净室的建设，随后还将建设内部配套设施。 据SK海力士2月28日消息，该公司已完成龙仁集群首座晶圆厂一期骨架建设，并计划于2030年前完成剩余骨架建设及

  芯片说 IC TIME

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  03/02 19:22

  dram SK集团
• DRAM一年涨价10倍

  DRAM价格在短短11个月内飙升了十倍。这一前所未有的涨幅毋庸置疑，甚至超过了2018年的半导体“超级周期”。预计仅今年第一季度，部分PC产品线的价格就将比专业产品翻一番。 业内人士预计，价格上涨至少会持续到年底，但中国政府大力投资以提高自给自足能力被认为是影响价格走势的一个变数。 据市场研究公司DRAMeXchange 3月1日发布的数据显示，2月份通用PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8

  芯片说 IC TIME

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  03/02 19:15

  半导体 dram
• 研报 | 涨价效应带动2025年第四季度DRAM产业营收季增达29.4%

  TrendForce报告显示，AI应用扩展至推理推动数据中心转向通用服务器，促使存储器采购重心转移，导致Conventional DRAM合约价大幅上涨，2025年第四季营收增至535.8亿美元，季增29.4%。供需紧张加剧，各类买方需求无法满足，推动议价能力向原厂倾斜，Conventional DRAM及HBM整体合约价分别上涨45-50%和50-55%。展望2026年第一季度，消费性应用需求淡季，原厂出货位元季增幅收敛，价格继续上涨，预计Conventional DRAM合约价将上涨90-95%。

  TrendForce集邦咨询

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  02/27 17:17

  dram AI应用

  
• DRAM涨价100%，惠普也“扛不住”了

  当地时间2月24日，惠普（HP）公司公布了截至2026年1月31日的2026财年第一财季财报，虽然整体业绩表现超出市场预期，但是惠普透露一季度DRAM价格上涨了100%，并预计存储芯片紧缺及成本上涨将可能会持续到2027年，并导致DRAM和NAND芯片在其2026年PC物料成本当中占比提高至35%，PC出货量将出现两位数百分比的下滑，导致其股价在当日的美股盘后交易中一度下跌约7%。

  芯智讯

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  02/27 16:48

  dram 存储芯片

  
• 涨价效应带动2025年第四季度 DRAM产业营收成长达29.4%

  由于AI应用由LLM模型训练延伸至推理，推动CSPs业者的数据中心建置重心由AI Server延伸至General Server，进一步推动存储器采购重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各类容量的RDIMM，积极释出追加订单，带动Conventional DRAM的合约价大幅上涨，2025年第四季DRAM产业营收为535.8亿美元，较上季度增加29.4%。 在平均销售单价方面，

  与非网编辑

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  02/27 07:17

  存储器 dram

  
• DRAM短缺真相、台积电与英特尔的反击

  本文介绍了大山聡在半导体行业的经历，并聚焦于2026年的三个重要关注点：DRAM市场的前景、台积电熊本厂的3nm生产线规划调整以及英特尔复活的关键因素。首先，DRAM市场面临供需紧张，特别是由于AI需求的增长导致价格上涨，预计紧缩将持续至2026年底。其次，台积电计划在其熊本第二工厂投产3nm生产线，反映了其在低运营成本地区的产能布局策略。最后，英特尔的EMIB-T技术因其在先进封装领域的潜力而备受关注，尽管其制造部门的分拆进展缓慢，但仍有可能成为其复苏的关键。

  芯世相

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  02/25 16:58

  英特尔 台积电

  
• 苹果将引入长鑫、长江存储？

  近日，国内多家科技媒体都报道了“苹果将引入长鑫、长江存储到自己的供应链，以应对不断涨价的存储芯片”这一新闻，这到底是空穴来风还是真有其事？ 个人推测 个人认为该消息极有可能是基于以下行业背景和市场传闻的综合解读与推测： 首先是供应链的博弈策略，当前存储芯片市场价格波动较大，且三星、SK海力士、美光、铠侠等主要供应商拥有较强的定价权。市场分析人士普遍认为，苹果为了在谈判中获得筹码、压低采购成本，有动

  曹顺程

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  02/25 09:00

  苹果 dram

  
• 警惕“结构性抽血”：HBM4狂欢背后的DRAM产业冷思考

  2026年2月6日，供应链确认三星电子 HBM4 正式通过英伟达（NVIDIA）认证，将于2月第三周（农历新年假期后）启动量产。为了在这一代产品上追平竞争对手，三星采用了激进的技术组合：1c nm DRAM 工艺配合 4nm 逻辑 Base Die（基础裸片）。

  TechSugar

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  02/14 14:37

  dram HBM4

  
• SK海力士1b DRAM最快本月量产

  SK海力士正加速10nm工艺第五代（1b）DRAM的量产，以应对NVIDIA对HBM4的需求。公司计划扩建M15x和M16晶圆厂，预计本月开始量产1b DRAM，以满足NVIDIA和Vera Rubin的要求。三星电子即将宣布HBM4量产，竞争激烈。SK海力士面临证明自身竞争力的压力，尤其是在良率和价格竞争力方面。

  芯片说 IC TIME

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  02/04 09:08

  dram SK海力士
• 存储价格“狂飙”不止，全球多个晶圆厂开建谋破局！

  在人工智能技术爆发式增长的当下，全球半导体产业正迎来前所未有的变革与机遇。近日，半导体行业巨头美光科技动作频频，分别在美国纽约州和新加坡启动了总投资超1240亿美元的重大项目，这一巨额投资在半导体行业激起千层浪。与此同时，存储器价格在AI的驱动下持续攀升，产业规模不断扩大。 01 240亿美元，新加坡NAND闪存晶圆厂动工 1月27日，美光科技（Micron）宣布，其位于新加坡现有NAND闪存制造

  全球半导体观察

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  01/29 13:39

  存储器 dram
• 原厂预警、终端涨价不休，存储器连锁效应持续发酵

  三星、美光与铠侠三大存储大厂应对存储器市场波动，三星否认全面涨价80%，铠侠预计供需紧张持续至2027年，美光计划收购力积电扩产。存储器涨价导致手机、电脑等终端产品开始涨价，AI投资加剧存储芯片短缺，存储器市场面临重大变革。

  全球半导体观察

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  01/29 09:40

  存储器 dram
• 中微半导突发最高50%涨价，这可能只是开始

  “即日起对MCU、Norflash等产品进行价格调整，涨价幅度15%-50%。”1月27日，中微半导体（深圳）股份有限公司向客户发出涨价通知函，芯片涨价潮已从存储领域蔓延至主控芯片。 中微半导在函件中明确表示，此次涨价决定是“受当前全行业芯片供应紧张、成本上升等因素的影响，封装成品交付周期变长，成本较此前大幅度增加，框架、封测费用等成本也持续上涨”。 涨价函背后的解析 中微半导此次涨价并非孤立事件

  曹顺程

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  01/28 08:56

  MCU dram

  
• AI运算架构升级推升存储器市场产值有望于2027年再创高峰，预估年增率超过50%

  AI的创新带来市场结构性变化，数据的存取量持续扩大，除了依赖高带宽、大容量且低延迟的DRAM产品配置，以支撑大型模型参数存取、长序列推理与多任务并行运作之外，NAND Flash也是高速数据流动的关键基础元件，因此存储器已成为AI基础架构中不可或缺的关键资源，更成为CSP的兵家必争之地。在有限的产能之下必须达成更多的分配，带动报价不断上涨，连带使得整体存储器产业产值逐年创高，预估2026年达5,5

  与非网编辑

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  01/22 15:05

  AI dram

  
• 研报 | 美光收购力积电铜锣晶圆厂，2027年全球DRAM供给或将上修

  Micron计划以18亿美元收购PSMC铜锣厂，加强先进封装代工合作，预计2027年全球DRAM供给将上调。此次收购有助于Micron扩充产能，而PSMC则能提升成熟制程DRAM供应能力，维持市场竞争力。

  TrendForce集邦咨询

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  01/20 10:31

  dram 晶圆厂

  
• Cadence 采用下一代低功耗 DRAM 和 Microsoft RAIDDR ECC 技术

  业界首款专为数据中心设计、采用 RAIDDR ECC 算法的 LPDDR5X IP 系统解决方案 楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，推出业界首款专为企业与数据中心应用设计的高可靠性 LPDDR5X 9600Mbps 内存 IP 系统解决方案。该创新方案融合了 Cadence 经过量产验证的 LPDDR5X IP 与微软的先进冗余独立双倍数据速率阵列（RAIDD

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  01/20 07:18

  dram 内存

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