dram

• 台湾省地区半导体产业10月份数据：DRAM产值也开始发力了

  中国台湾地区10月份半导体行业产值数据显示，多数数据亮眼，尤其是DRAM产值显著增长。晶圆制造方面，12吋晶圆产值大幅上升，而6/8吋则保持稳定。DRAM产品单价逐月上涨，封装测试产值亦有显著增加，尤其晶圆测试贡献突出。IC设计行业产值表现也不错。总体而言，各领域产值均有不同程度的增长。

  半导体综研

  330

  12/25 10:00

  半导体产业 dram

  
• 国产存储芯片抢抓“超级周期”机遇

  自今年第三季度起，存储芯片行业开始进入史无前例的“超级周期”。TrendForce集邦咨询的数据显示，2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元；前五大NAND品牌商合计营收季增16.5%，逼近171亿美元；前五大企业级SSD品牌厂合计营收季增28%，达65.4亿美元，创今年新高。存储芯片领军企业SK海力士指出，当前DRAM的需求激增，供应商库存已经达到最低水平，缺货情况可能要持续到2028年。

  中国电子报

  2275

  12/22 09:47

  dram 存储芯片

  
• 美光单季108亿美金DRAM业务的狂欢与布局

  AI浪潮下，存储芯片迎来历史性发展机遇。美光科技2026财年第一季度DRAM业务表现出色，单季营收突破108亿美元，同比增长显著。供需失衡引发的超级周期显现，技术领先与产能布局成为关键。美光通过技术领先、产能加码和策略升级，在当前周期中获得丰厚利润，并在全球存储竞争中占据战略制高点。随着AI应用深化，DRAM作为核心算力基础设施的重要性进一步凸显。

  芯通社

  322

  12/22 09:42

  dram 存储芯片

  
• DDR5高获利放大产能排挤效应，2026年HBM3e定价动能同步转强

  近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随之走扬，但是预期未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距仍将明显收敛。 TrendForce集邦咨询表示，2025年5月NVIDIA（英伟达）率先与三大DRAM供应商展开2026年采购协商，当时在买方主导定价的情况下，2026

  与非网编辑

  233

  12/18 14:45

  存储器 dram
• 巨头抢滩HBM，边缘侧存储“隐形冠军”悄然崛起

  2025年全球存储市场因技术迭代与产能转移而面临结构性转折，DDR4产能退出，DDR5与HBM兴起。利基型存储市场与主流市场加速分离，华邦电子凭借IDM产能自主、产品矩阵精准和技术路线前瞻，抓住边缘AI带来的增长机遇。华邦电子推出HYPERRAM™、LPDDR4和CUBE架构，满足不同边缘智能应用场景的需求。IDM模式让华邦电子在产能自主性和灵活性上占据优势，尤其是在汽车和工业市场。随着边缘AI的发展，利基存储市场展现出新的成长潜力。

  夏珍

  1269

  12/16 11:29

  与非观察 dram

  
• 研报 | 预计2026年第一季度存储器涨势持续强劲，智能手机、笔电品牌启动价格上修与规格降级

  Dec. 11, 2025

  TrendForce集邦咨询

  345

  12/13 08:00

  智能手机 存储器
• 预计2026年第一季度存储器涨势持续强劲，智能手机、笔电品牌启动价格上修与规格降级

  由于预期2026年第一季存储器价格将显著上涨，全球终端产品面临艰巨的成本考验，智能手机、笔电产业上修产品价格、调降规格，销量展望再度下修已难避免，资源优势将向少数龙头品牌高度集中。 TrendForce集邦咨询表示，存储器对智能手机、PC等消费型终端的BOM cost影响正在迅速扩大，即便是获利表现相对优异的iPhone系列，2026年第一季存储器在整机BOM cost的占比也将明显提升，迫使Ap

  与非网编辑

  464

  12/12 09:14

  存储器 dram

  
• 为提升获利，DRAM三巨头“分道扬镳”

  三星电子计划减产HBM3E以扩大通用DRAM供给，SK海力士侧重扩大数据中心DRAM产能，美光则退出Crucial消费类存储业务，转投数据中心/企业级需求。

  芯智讯

  824

  12/09 09:31

  dram HBM3E

  
• 海力士DRAM营收超越三星，全球存储器市场统计及预测（2025-Q3）

  本文汇总了各大半导体存储器供应商Q3的详细财报数据，展示了DRAM和NAND市场的营收排名及发展趋势。预计到2026年，DRAM市场将达到1760亿美元，同比增长25.1%，NAND市场也将达到833亿美元，同比增长26.0%。文章还提供了三星、SK海力士和美光三家主要供应商的具体预测数据。

  半导体综研

  846

  12/09 08:58

  存储器 dram

  
• 2026年DRAM均价预计再涨 58%，谁能在“史上最疯狂”周期下少挨点打？

  引言：2026年DRAM均价（ASP）年对年上涨约58%；行业营收将再增长约85%，DRAM产业规模首次突破3000亿美元。 近日，在深圳举行的“MTS2026存储产业趋势研讨会”上，集邦咨询（TrendForce）资深研究副总经理吴雅婷给出了一个大胆的预测：2026年全球DRAM供应（bit）年增约20%，需求年增约26%，至少存在6个百分点的缺口。在这一前提下，吴雅婷预估——2026年DRAM

  李坚

  3627

  12/02 17:25

  dram 存储

  
• 一文读懂DRAM之DDR4 和 DDR5的不同

  本文介绍了DRAM和DDR的基本概念及其发展。DRAM是一种动态随机存取存储器，依靠电容存储电荷表示0/1，并且需要周期性刷新。DDR则是双倍数据率SDRAM，能够在同一个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据。 文章详细比较了DDR4和DDR5的关键区别，包括速率、电压、通道结构、Bank数量、单条容量、PMIC位置和ECC机制等方面。DDR5相比DDR4具有更高的频率、带宽、通道并行度、电压降低和更复杂的电源管理特性。 此外，文章还探讨了DDR5在信号完整性、电源管理和可靠性方面的挑战，以及其在封装和模组上的差异。最后，针对工程应用提出了何时选择DDR4还是DDR5的建议，强调了带宽需求和平台代际更新的重要性。

  老虎说芯

  3768

  11/28 10:03

  dram DDR5

  
• 研报 | 2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元

  TrendForce集邦咨询预测2025年第三季度DRAM产业营收增长30.9%，达到414亿美元。预计第四季度出货位元季增幅收敛，合约价将季增45-50%，整体合约价上涨50-55%。SK hynix、Samsung和Micron分别位居前三，市占率有所变动。南亚科、华邦电子和力积电也表现出强劲的增长势头。

  TrendForce集邦咨询

  582

  11/27 09:06

  dram

  
• 2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元

  2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合约价上涨、出货量季增，且HBM出货规模扩张，推升DRAM产业营收较前一季成长30.9%，达414亿美元。 展望第四季，随着原厂库存普遍见底，出货位元季增幅将明显收敛。价格部分，由于云端服务供应商(CSP)对采购价格态度较开放，其他应用需跟进价格涨幅，以确保原厂的供应量，预期将导致先进及成熟制程、各主要应用的合约价快速攀升，预

  与非网编辑

  775

  11/26 15:41

  dram 云端

  
• 长鑫存储“双芯"亮相IC China，首发DDR5高端新品最高速率达8000Mbps

  长鑫存储在IC China 2025（中国国际半导体博览会）上正式发布其最新DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平，并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。 此次长鑫存储以“双芯共振，5力全开”为主题，同台展示了最新DDR5系列产品以及最高速率10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb的最新LPDDR5X移动端内存。其两大产品系列

  与非网编辑

  1345

  11/24 08:48

  dram 内存

  
• IEDM见证中国创新路径，长鑫存储展现DRAM关键技术攻

  近日，在第71届国际电子器件大会（IEDM）的议程内，一场由北京大学研究员主讲的研讨会引发关注。其主题为“面向边缘大模型的器件 - 阵列 - 系统协同优化：基于BEOL FeFET的高精度高吞吐量多位模拟存内计算（ACiM）宏单元”， 直指边缘计算场景中算力瓶颈的破解路径。 模拟存内计算长期被视为提升边缘大模型能效的关键技术，但其可靠性问题一直制约落地。北京大学的研究通过器件-阵列-系统三级协同优

  与非网编辑

  1131

  11/19 11:56

  dram 长鑫存储
• DRAM短缺冲击，科技大厂争取1年长单

  由于人工智能（AI）领域投资增加，全球DRAM短缺问题日益严重，此前按月或按季度签订的供应合同正转向长期合同，以确保六个月或更长时间的供应。全球大型科技公司已与三星电子和SK海力士展开预订谈判，以确保2027年之前的DRAM供应。

  芯片说 IC TIME

  916

  11/18 10:54

  dram

  
• 存储器价格攀升冲击消费市场，下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测

  2026年全球市场仍面临不确定性，通胀持续干扰消费市场表现，更关键的是，存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端定价上调，进而冲击消费市场。基于此，TrendForce集邦咨询下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测，从原先的年增0.1%及1.7%，分别调降至年减2%及2.4%。此外，若存储器供需失衡加剧，或终端售价上调幅度超出预期，生产出货预测仍有进一步下修风险。 DRAM涨

  与非网编辑

  681

  11/17 14:21

  存储器 dram

  
• 存储器产业2026年资本支出仍显保守，对位元产出成长助力有限

  随着存储器平均销售价格(ASP)持续提升，供应商获利也有所增加，DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出成长的助力有限。DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。 其中，DRAM产业的资本支出在2025年预计将达到537.14亿美元，预计在2026年进一步成

  与非网编辑

  888

  11/14 07:18

  存储器 dram

  
• 《元器件动态周报》——存储需求激增、交期延长与价格普涨的三重考验

  核心观点 AI推理驱动全球存储市场出现结构性缺货，技术迭代与需求升级正推动产业进入长期成长周期。 原厂产能向高利润产品倾斜，HBM4等先进技术加速布局，供应链整体维持紧平衡状态。 服务器需求爆发引发全产业链涨价潮，原厂强势定价与渠道供应紧张推动价格持续上行。 三大维度解读存储器件最新供需动态 市场需求分析 今年全球存储市场出现30年来首见的结构性缺货，涵盖NAND、HDD、DRAM及HBM等多类产

  曹顺程

  7650

  11/11 08:32

  AI dram

  
• DRAM刷新原因以及机制详解

  本文介绍了DRAM刷新的原因及其机制，解释了为何DRAM需要定期刷新以防止电容漏电导致的数据丢失。文章详细描述了刷新的过程和其带来的性能开销和功耗问题，并对比了SRAM的优势与不足，最终得出结论：刷新是DRAM为了达到高容量和低成本目标而不得不接受的一个必要代价。

  郝旭帅电子设计团队

  2051

  11/07 10:29

  dram

  

正在努力加载...