芯耀
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2026年2月6日，供应链确认三星电子 HBM4 正式通过英伟达（NVIDIA）认证，将于2月第三周（农历新年假期后）启动量产。为了在这一代产品上追平竞争对手，三星采用了激进的技术组合：1c nm DRAM 工艺配合 4nm 逻辑 Base Die（基础裸片）。
这一技术突破固然稳固了 AI 算力的供应链，但其对存储产业的深层影响远超技术本身。随着平泽 P4 等核心产线向 HBM4 全面倾斜，一场针对全球 DRAM 产能的“结构性抽血”愈发严重。当我们剥离 AI 带来的增长光环，看向更广泛的通用存储市场，会发现 HBM 的产能扩张本质上是一场与通用 DRAM（DDR4/DDR5）的零和博弈。
物理层面的“挤出效应”：这不是加法，是减法
很多人误以为 HBM 的扩产只是存储巨头们在现有蛋糕上开出的最肥美的一层奶油，但从晶圆厂的投片逻辑来看，这其实是一道残酷的减法题。
2026年2月6日传出的确切消息，三星平泽 P4 工厂已将原定用于扩产 DDR5 的产线全数转为 HBM4 专用线。这并非孤例，根据 TrendForce 截至 2026年1月 的数据，三大原厂 HBM 总产能已突破 35.5万片晶圆/月，占全球 DRAM 总投片量的比例从两年前的 8% 激增至 23%。
图1：全球主要存储原厂晶圆产能分配趋势 (来源: TrendForce/自制)
技术陷阱：HBM4 引入了 16-Hi 堆叠及混合键合工艺。且不说良率目前仅维持在 55% 上下（远低于 DDR5 的 90%+），单就物理晶圆消耗而言，生产同等容量的 HBM4，其消耗的晶圆面积是 DDR5 的 2.5-3倍 [见参考文献 8]。
“HBM不再是内存市场的甜点，它是黑洞。它正在物理上吞噬DDR5的生存空间。”
— Dylan Patel, Chief Analyst at SemiAnalysis
供给侧逻辑：寡头的“合谋”与战略性放弃
回顾过去十年的存储周期，从未像今天这样割裂。对于存储三巨头而言，这或许是自 2017 年以来最好的时光，但也是吃相最难看的时刻。HBM4 的毛利率稳定在 65%-70% 的惊人区间，而通用 DDR5 即便涨价，毛利也不过 30% 上下 [见参考文献 9]。
在资本支出有限的前提下，企业的逐利本能决定了其产能分配的优先级。Gartner 的数据显示，AI 服务器对 DRAM 的位元消耗年复合增长率（CAGR）高达 70%左右，而 PC 和智能手机仅为 3-5%。
图2：2024-2026各应用领域 DRAM 位元需求年复合增长率 (来源: Gartner/自制)
这是一个非常危险的信号：原厂正在战略性放弃中低端市场。这种行为在经济学上接近于“默契合谋”——通过制造通用产品的稀缺，来维持其价格的高位运行。
需求侧的修罗场：低毛利终端的“生死劫”
这种上游的狂欢，传导至下游，便是尸横遍野。我们必须修正之前的观察：最恐怖的涨幅并不在最先进的 DDR5，而是在被原厂抛弃的 DDR4。这是一场典型的“尾部暴力拉升”。
关键洞察：数据不会说谎。虽然 DDR5 的绝对价格更高，但 DDR4 的 1800% 同比涨幅 远超 DDR5 的 500%。这意味着，原厂为了 HBM 而进行的“物理产能抽血”，对成熟制程的冲击甚至大于先进制程。
这对于还在大量出货 DDR4 的中低端 PC、工业控制及物联网设备厂商是毁灭性的。DDR5 是“贵但买得到”，而 DDR4 正面临“断供性涨价”。TechInsights 在其《2026 消费电子展望》中警告：2026 年将是消费电子产业链的重组大年。当上游涨价无法向下游传导时，夹在中间的组装厂和二线品牌，要么提价找死，要么不提价等死。
产业格局变迁：国产替代的“黄金缺口”与冷思考
在这一片哀鸿遍野中，我看到了中国半导体产业的一个“结构性机会”。当存储三巨头义无反顾地冲向 HBM 的高地，他们在身后的中低端市场留出了一个巨大的战略真空。
长鑫存储正好站在了这个缺口上。这不再是本土整机厂商想不想用的问题，而是不得不至少将长鑫作为存储器的备选供应商，而部分本土厂商因为买不到国外存储颗粒，则要把长鑫存储作为首选供应商。
综合推演：虽然长鑫在全球市场的总份额预计在 2025 年底仅为 8%-10%（数据源：Counterpoint），但因其产能高度集中在成熟制程，在原厂撤出的细分市场，其有效供给能力被成倍放大。综合数据显示，目前长鑫存储在国内通用 DRAM 市场的占比已达 40% 左右，在原厂撤出的中低端消费电子市场，国产颗粒的渗透率已实现该突破。
但我们也要保持清醒：这依然是“吃剩饭”的逻辑。我们在 HBM、GDDR 等高附加值领域，依然缺乏核心话语权。国产替代的繁荣，本质上是承接了巨头溢出的低端需求。
总结：繁荣下的残酷清洗
HBM 的高光表现 的掩盖了产业话语权彻底失衡的现实。存储巨头正利用“产能结构性置换”这一物理杠杆，将追逐 AI 带来的高昂资本开支，暴力转嫁给缺乏议价能力的通用市场。对于消费电子供应链而言，2026 年面临的不再是简单的周期性涨价，而是一场因底层产能被抽离而导致的“利润清洗”——这才是本轮行情的残酷真相。
周边雷达：除了存储，还需要盯住什么？
据Design And Reuse 2026年初报道，SMC 2nm (N2) 存储产品良率超预期突破 90%，逻辑芯片良率达 80%+，Apple A20 芯片已锁定首批产能
点评：这宣告了 GAAFET 时代的代工格局已定。Samsung Foundry 试图弯道超车的愿景基本破灭，先进制程的“马太效应”将比 FinFET 时代更加恐怖。
Wolfspeed 8英寸 SiC 晶圆价格腰斩。TrendForce及市场数据，8英寸SiC衬底价格已跌至1000美元区间，与6英寸成本接近打平。
点评：这是碳化硅产业的“奇点”。一旦8英寸成本打平，电动车主驱逆变器将彻底抛弃硅基IGBT。对于国内还在大举扩产6英寸SiC的厂商，这是一次产能过剩的预警。
CoWoS-L 产能预警，恐成 HBM4 交付新瓶颈。供应链消息称，2026三季度之前的CoWoS-L产能已被NVIDIA和AMD瓜分殆尽。
点评：HBM4造得出来不代表能“装”得上去。先进封装已成为与光刻机同等重要的战略瓶颈。
引用来源与参考链接
Samsung, SK Hynix Project 'Dual 100 Trillion Won' Profit Amid AI Boom (Chosun Ilbo, Jan 29, 2026)https://www.chosun.com/english/industry-en/2026/01/29/SGKV7NTNTVDN5AEQOREZPPZCQQ/
DRAMeXchange Daily Spot Price (Feb 7, 2026)https://www.dramexchange.com/
Dylan Patel Quote Source: SemiAnalysis - The AI Capacity Crunchhttps://semianalysis.com/
TechInsights Warning: Consumer Electronics Outlook Report 2026https://www.techinsights.com/outlook-summit-series-2026/consumer-electronics-market
TrendForce: HBM4 Mass Production Delayed to End of 1Q26 (Jan 8, 2026)https://www.trendforce.com/presscenter/news/20260108-12869.html
TSMC Achieves 90% Yield in 2nm Memory Chip Production (Design And Reuse)https://www.design-reuse.com/news/202528834-tsmc-achieves-90-yield-in-2nm-memory-chip-production/
Oversupply of SiC Substrate Leading to Price Decline (TrendForce)https://www.trendforce.com/news/2024/10/23/news-oversupply-of-6-inch-sic-substrate-leading-to-price-decline/
HBM4 Wafer Consumption Ratio (3.5x): TrendForce / SemiAnalysis Estimateshttps://www.trendforce.com/insights/memory-wall (General HBM3e/4 vs DDR5 capacity analysis)
HBM4 Gross Margin (65-70%) Estimates: Morgan Stanley / Goldman Sachs / TrendForce Reportshttps://investors.micron.com (Reference to high-margin HBM guidance in earnings calls)
Counterpoint: 2025 DRAM Market Share Report (Jan 2026)https://counterpoint.com/report/2025-dram-market-share/
