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• 适合8英寸硅片生产的湿法清洗设备推荐

  针对8英寸硅片生产的湿法清洗设备需求，结合技术适配性、工艺成熟度及市场验证，推荐以下设备方案： 1. 芯矽科技单片清洗机（如SC系列） 适用场景： 光刻后残胶去除、蚀刻后金属污染清理等关键工序。 兼容低介电常数材料及化合物半导体（如GaN/SiC）。 技术亮点： 高精度控制：温度调节范围常温~80℃，精度±0.1℃；化学试剂与DI水流速可编程控制，确保均匀性。 复合清洗技术：集成兆声波（>8

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  硅片 大硅片
• 芯片清洗设备有哪些种类和功能

  芯片清洗设备是半导体制造中的关键设备，其种类和功能多样。以下是一些芯片清洗设备的种类和功能介绍： 种类 单片清洗设备 特点：每次仅能清洗单片晶圆，采用高压喷淋、二流体清洗或兆声波清洗等技术。 优势：微粒去除能力强，避免交叉污染，适用于先进制程（如28nm以下）的逻辑产品和存储产品。 槽式清洗设备 特点：通过溶液浸泡和兆声波清洗等方式，每个腔体能清洗多片晶圆，适合大批量生产。 局限：颗粒控制精度较低

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  01/26 16:00

  芯片 芯片生产
• 槽式超声波清洗机设计全解析：从核心部件到智能控制

  合理设计一款槽式超声波清洗机需综合考虑机械结构、功能模块、材料选择及智能化控制等多方面因素。以下是具体分析： 一、核心部件设计与选型 换能器与发生器匹配 根据清洗需求选择合适频率（如28kHz或40kHz）的换能器，并确保其与发生器的功率、阻抗匹配15。例如，采用移相全桥架构的发生器可稳定输出高频电压信号，避免浪涌电流干扰。 优化换能器布局，底贴式安装于槽体底部以增强空化效应均匀性。 多槽结构与隔

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  超声波
• 半导体湿法设备主要企业介绍

  在半导体制造产业中，湿法设备起着至关重要的作用。以下是对一些主要企业的介绍： 国内企业 盛美上海：作为国产半导体湿法清洗设备的龙头，在单片式清洗设备领域竞争力强，其全球首创的 SAPS/TEBO 兆声波清洗技术，能有效解决传统清洗中的损伤问题，Tahoe 单片槽式组合设备适用于 45nm 以下制程，打破了国际垄断。 至纯科技：是国内集成电路领域高纯工艺系统的领导者和湿法设备的领先者，其湿法设备产品

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  01/14 16:10

  半导体
• 中国晶圆槽式清洗设备厂家名录

  在半导体制造的精密流程中，晶圆槽式清洗设备发挥着关键作用。以下是一些国内知名的晶圆槽式清洗设备厂家： 苏州芯矽电子科技有限公司：核心产品如 12 寸全自动晶圆化学镀设备和 12 寸全自动炉管 / Boat/ 石英清洗机已占据行业领先地位。 盛美上海：作为国产半导体清洗设备的龙头企业，在晶圆清洗领域占据重要地位。公司专注于半导体湿法设备的研发、生产和销售，其清洗设备占营收比例高达 84%。通过持续的

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  晶圆 晶圆制造设备
• 原子级清洁解决方案：模块化设备驱动半导体酸洗效率提升

  半导体高效酸洗工艺是半导体制造中去除硅片表面杂质的关键工序，直接影响产品的良率与可靠性。以下从核心工艺、技术创新及设备优化三个维度展开分析： 一、化学体系设计 混合酸液配方 氢氟酸（HF）+盐酸（HCl）组合：如湖北鑫阳半导体专利所述，采用HF与HCl混合液（例如HF占5%-10%，HCl占85%-90%），利用HF的强络合能力溶解金属杂质（如Fe³⁺），同时通过HCl破除氧化层并促进反应产物脱离

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  半导体
• 水平与垂直式石英清洗机如何选择？关键差异与适用场景全解析

  在半导体、光伏及光学等领域的石英部件清洗中，水平式与垂直式石英清洗机各有千秋。二者在结构设计、工艺适配性、应用场景等方面存在显著差异： 一、核心优势对比 水平式清洗机 高效批量处理：采用多槽分段清洗系统（酸洗/碱洗/超纯水冲洗），结合高压喷淋（0.3~0.8MPa）与兆声波技术，可清除亚微米级颗粒及复杂污染物。例如，针对半导体石英炉管的碳沉积问题，可选配高温热解模块（800℃惰性气体环境）恢复热传

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  2025/12/25
• 半导体晶舟盒清洗设备核心功能一览

  半导体晶舟盒清洗设备是保障晶圆制造过程中洁净度的关键环节，其核心功能可归纳如下： 高效污染物清除 物理清洗技术：集成超声波清洗（高频空化效应剥离亚微米颗粒）、高压喷淋（360°旋转喷头覆盖复杂结构）及软质刷洗，去除顽固污染物。 化学清洗工艺：采用SPM（硫酸+双氧水）、SC-1/SC-2等标准清洗液溶解有机物与金属氧化物，配合稀氢氟酸（DHF）去除氧化层。 干燥防二次污染 多阶段干燥：离心旋转甩干

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  2025/12/23

  半导体
• 硅片清洗设备主流品牌

  在半导体制造工艺中，硅片清洗设备对于确保芯片生产的高质量至关重要。以下是一些主流的硅片清洗设备品牌： 芯矽科技 产品特点：提供多种类型的湿法清洗设备，如全自动8寸槽式湿法清洗机、全自动硅片清洗机等。其设备采用先进的清洗技术和材料，具有能耗低、无污染、占地面积小、单片处理时间短、微粒去除能力强、碎片率低等优点。 市场应用：在国内市场得到广泛应用，并与长江存储、中芯国际等多家知名企业建立了合作关系，产

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  2025/12/16

  硅片 大硅片
• 中国十大湿法清洗设备盘点与核心技术解析

  在中国半导体产业崛起的浪潮中，湿法清洗设备作为晶圆制造的核心装备，正扮演着越来越重要的角色。在众多优秀企业中，芯矽科技凭借其卓越的技术创新能力和对品质的不懈追求，脱颖而出，成为国内领先的半导体湿法清洗设备供应商之一。 一、芯矽科技：国产湿法清洗设备的创新引领者 苏州芯矽电子科技有限公司（简称“芯矽科技”）成立于2018年，总部位于江苏苏州工业园区，是一家专注于半导体湿法清洗设备研发与生产的国家高新

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  2025/12/03

  半导体 晶圆制造
• 晶圆湿法清洗设备核心功能与技术突破

  晶圆湿法清洗设备是半导体制造中用于去除晶圆表面污染物的关键设备，其功能可系统归纳如下： 一、高效化学清洗与物理强化协同 化学腐蚀溶解 氧化分解：利用强氧化性试剂（如SPM硫酸-过氧化氢混合液）将有机物氧化为CO₂和。 酸性/碱性溶解：SC-2盐酸-过氧化氢溶液溶解金属离子；DHF稀释氢氟酸去除自然氧化层（SiO₂），形成氢终止表面防再吸附。 物理作用增强 超声波/兆声波：20–40kHz超声波通过

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  2025/12/03

  晶圆 晶圆制造设备
• 化学清洗机，对晶圆处理分为哪几个阶段?

  化学清洗机对晶圆的处理通常分为以下五个核心阶段，每个阶段针对不同污染物并采用特定技术组合： 一、预清洗（Pre-Clean） 目的：去除松散颗粒和大尺寸污染物，为深度清洗奠定基础。 方法： 去离子水冲洗：初步溶解可溶性杂质。 超声波清洗：利用空化效应破坏颗粒与晶圆表面的结合力，尤其适用于亚微米级颗粒去除 创新点：部分设备引入动态旋转机制（顺时针/逆时针交替），增强流体冲刷力，提升颗粒剥离效率。 二

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  2025/12/02

  晶圆 超声波清洗机
• sc1和sc2清洗工艺

  SC-1和SC-2清洗工艺是半导体制造中常用的两种湿法清洗技术，以下是关于这两种清洗工艺的介绍： SC-1清洗工艺 配方组成：通常由氨水（NH₄OH）、过氧化氢（H₂O₂）和去离子水（H₂O）按体积比1:2:5~1:2:7混合而成5。 作用原理：氨水提供碱性环境，腐蚀硅片表面的自然氧化层（SiO₂），使附着的颗粒脱离晶圆表面；过氧化氢作为强氧化剂，分解有机物并氧化硅片表面形成新的亲水性氧化膜。同时

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  2025/12/01

  半导体 半导体装备
• 半导体零部件清洗全流程解析

  半导体零部件清洗是保障半导体设备高性能、高可靠性及长寿命的关键工艺，其流程需兼顾污染物去除效率与材料兼容性。以下是半导体零部件清洗的核心流程： 预清洗 目的：去除大颗粒或松散污染物。 方法：机械刷洗（软毛刷或喷淋）、低压气流吹扫、初步溶剂冲洗（如DI水或低浓度酒精。 主清洗 湿法化学清洗 酸性清洗：使用HF溶液去除硅氧化物（SiO₂），适用于硅部件表面氧化层；SC-1配方（NH₄OH+H₂O₂）可

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  2025/11/25

  半导体 零部件产业
• 晶圆基板清洗方法

  晶圆基板清洗是半导体制造中关键环节，目的是去除表面污染物（颗粒、有机物、金属离子、氧化物等），确保后续工艺（光刻、沉积、刻蚀）的良率和器件性能。以下是主要清洗方法及特点： 一、物理清洗法 超声波清洗 原理：利用高频声波在液体中产生空化效应，通过气泡破裂时的冲击力剥离表面附着物。 适用场景：去除大尺寸颗粒和松散污染物，常用于预处理阶段。 局限性：对纳米级间隙中的污染物清除效果有限，可能引起微裂纹扩展

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  2025/11/24

  晶圆 器件
• 蚀刻工艺和外延工艺区别

  蚀刻工艺和外延工艺是半导体制造中的两个核心步骤，它们在功能、原理、材料变化及应用场景等方面存在显著差异。以下是详细的对比分析： 一、定义与核心目标 特性 蚀刻工艺（Etching） 外延工艺（Epitaxy） 主要目的  去除材料：通过化学或物理方法选择性地溶解特定区域的薄膜（如氧化层、金属层），形成沟槽、通孔或图案化结构。 生长材料：在单晶衬底上沉积一层或多层晶体结构匹配的新材料，扩展器件的功能

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  2025/08/11

  碳化硅外延片 外延片
• 半导体蚀刻气体工艺要求

  半导体蚀刻气体工艺是干法蚀刻的核心，其要求涉及气体选择、纯度、流量控制、反应条件等多个方面，以确保高精度、均匀性和选择性。以下是详细的工艺要求及关键要素： 一、气体选择与分类 1. 蚀刻气体类型 氟基气体（如CF₄、SF₆、CHF₃）： 作用：蚀刻介质层（SiO₂、Si₃N₄）和硅。 特点：高反应性，易形成挥发性产物（如SiF₄）。 氯基气体（如Cl₂、BCl₃、CCl₄）： 作用：蚀刻金属（如A

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  2025/07/15

  机械设计 自动化装备
• 实验室硅片清洗方法

  实验室硅片清洗是半导体工艺中的关键步骤，旨在去除硅片表面的有机物、无机污染物、颗粒和氧化层，确保表面洁净度和活性。以下是常见的实验室硅片清洗步骤，主要基于RCA清洗工艺（Radio Corporation of America标准）和兆声波辅助清洗技术。 一、清洗前准备 设备与材料： 清洗机（含兆声波、喷淋、加热功能）。 清洗槽（耐化学腐蚀材质，如PFA或石英）。 去离子水（DI Water，电阻

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  2025/07/07

  硅片 大硅片
• wafer清洗失效时间是多少

  圆（wafer）清洗后的失效时间（即清洗后到表面再次出现污染或氧化的时间）取决于多种因素，包括清洗工艺、环境条件、晶圆表面材料以及后续处理方式等。以下是一个简要的分析： 1. 典型失效时间范围 常温常压下：在洁净的干燥环境中，清洗后的晶圆表面可能保持数小时到数天的洁净度，具体取决于环境湿度、颗粒浓度和表面吸附特性。 高湿度环境：如果环境湿度较高（如>50%），晶圆表面可能在几小时内吸附水分或

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  2025/06/24

  半导体 半导体照明
• 晶圆湿法清洗吹扫氮气纯度要求

  晶圆湿法清洗后吹扫氮气（N₂）的纯度要求至关重要，直接影响晶圆表面洁净度、干燥效果及后续工艺良率。以下是关键分析： 1. 核心要求 典型纯度：99.999%（5N）以上，部分高端制程（如EUV光刻）可能要求99.9999%（6N）。 杂质控制重点： 氧气（O₂）：<1 ppm（避免氧化残留污染物或影响金属层）。 水蒸气（H₂O）：露点≤-70℃（防止水渍残留导致颗粒团聚或腐蚀）。 颗粒物：&

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  2025/06/23

  硅晶圆 晶圆产能

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