没有时间?那就从这里开始吧!这个快速列表概述了这本书的要点。阅读本章节要点,如果有您感兴趣的内容,可在之前章节中查看完整的阐述说明。
» 氮化镓 (GaN) 是一种高性能化合物半导体。GaN 是一种 III-V 直接带隙化合物半导体,就像砷化镓 (GaAs) 一样。化合物半导体可在许多微波射频 (RF) 应用领域中提供速度和功率的出色组合解决方案。
» GaN 可为射频应用带来独特的优势。GaN 独特的材料属性可为射频系统提供高功率附加效率 (PAE)、高功率输出、小巧外形、宽带宽、热优势和坚固耐用等优势。
» GaN 极其可靠,即使在恶劣的环境下亦是如此。GaN 在 200℃温度条件下,平均无故障时间 (MTTF) 超过 1000 万小时 ;在 225℃ 温度条件下,MTTF 超过 100 万小时,比其他半导体技术更加可靠。
» GaN 可用于大批量生产应用。美国国防部 (DOD) 将 GaN 归类为最高级别制造成熟度 (MRL)(即 MRL 10)的工艺,这意味着全速生产和精益生产实践已经就绪。
» GaN 正在开拓新市场。由于其独特的性能,GaN 开始扩展到许多新的领域,包括汽车、医疗系统和先进的科学应用。
» GaN 技术将继续发展。未来 GaN 技术和封装方面的创新将支持更高的频率、更高的电压,甚至更宽的带宽,从而进一步推动 GaN 的普及。
《GaN 技术》系列
——本文来源:QORVOb半导体
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